本書首先簡要闡述近年來新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件內(nèi)涵、特點(diǎn)、研究意義與國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀，使讀者對新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件有一個宏觀把握和大致了解:接著對影響新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件總體設(shè)計方案的多種外界約束條件和性能指標(biāo)進(jìn)行分析;然后重點(diǎn)論述新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件總體情況與發(fā)展趨勢，并分別詳細(xì)論述

本書綜合了近幾年工業(yè)界的最新進(jìn)展和學(xué)術(shù)界的最新研究成果，詳細(xì)介紹并討論了碳化硅功率器件的基本原理、發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢、特性及測試方法、應(yīng)用技術(shù)和各應(yīng)用領(lǐng)域的方案。本書共分為12章，內(nèi)容涵蓋功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)，SiC二極管的主要特性,SiCMOSFET的主要特性，SiC器件與Si器件特性對比，雙脈沖測試技術(shù)，SiC器件的測試

《薄膜晶體管材料與技術(shù)》是戰(zhàn)略性新興領(lǐng)域“十四五”高等教育教材體系——“先進(jìn)功能材料與技術(shù)”系列教材之一。本書歸納薄膜晶體管（TFT）材料、器件及制備技術(shù)，總結(jié)和梳理TFT相關(guān)的基礎(chǔ)理論知識，包括材料物理與化學(xué)、器件物理、工藝原理以及實(shí)際應(yīng)用設(shè)計原理，進(jìn)一步提出新見解，為TFT技術(shù)的發(fā)展提供理論指導(dǎo)和方向參考。本書以T

氧化鎵(Ga2O3)具有超寬禁帶和高臨界擊穿場強(qiáng)，可滿足電力電子系統(tǒng)高功率(密度)、高效率和小型化發(fā)展需求，在航空航天、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊，但器件受限于高耐壓和低功耗的矛盾關(guān)系，且當(dāng)前對大功率器件及其熱穩(wěn)定性研究較少。為此，本論文在Ga2O3器件新結(jié)構(gòu)與熱穩(wěn)定性方面開展理論和實(shí)驗(yàn)創(chuàng)新研究。本研究為氧化鎵功率器件

IGCT具有通態(tài)壓降低、容量大、可靠性高、魯棒性好等有點(diǎn)，目前已應(yīng)用在直流斷路器、模塊化多電平變換器、牽引系統(tǒng)變換器等應(yīng)用場景。本書圍繞IGCT器件，分別展開介紹半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)及工作原理、阻斷特性、開通與導(dǎo)通特性、關(guān)斷特性、封裝、驅(qū)動、可靠性及應(yīng)用。同時，在各章中穿插IGCT的關(guān)鍵工藝技術(shù)，如深結(jié)推進(jìn)、邊緣終端、質(zhì)子輻

本書是一本微電子技術(shù)方面的入門書籍，全面介紹了半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)知識。全書分為三個部分共19章，首先介紹了半導(dǎo)體基礎(chǔ)，講解了半導(dǎo)體物理方面的相關(guān)知識以及半導(dǎo)體制備工藝方面的基本概念。書中闡述了pn結(jié)、雙極結(jié)型晶體管（BJT）和其他結(jié)型器件的基本物理特性，并給出了相關(guān)特性的定性與定量分析。最后，作者討論了場效應(yīng)器件，除了講

本書提供了在各個工藝及系統(tǒng)層次的半導(dǎo)體存儲器現(xiàn)狀的全面概述。在介紹了市場趨勢和存儲應(yīng)用之后，本書重點(diǎn)介紹了各種主流技術(shù)，詳述了它們的現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)和機(jī)遇，并特別關(guān)注了可微縮途徑。這些述及的技術(shù)包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)、非易失性存儲器(NVM)和NAND閃存。本書還提及了嵌入式存儲器

。本冊為《半導(dǎo)體工藝原理》，主要內(nèi)容包括：鍺和硅的化學(xué)制備與提純、半導(dǎo)體材料的生長、硅片加工、氧化工藝、薄膜沉積工藝、外延工藝、光刻工藝概述、光刻設(shè)備、光刻材料、刻蝕工藝、摻雜工藝等。

本書詳細(xì)介紹了絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的結(jié)構(gòu)和工作原理、單元結(jié)構(gòu)的設(shè)計；整個芯片架構(gòu)，包括有源區(qū)、柵極焊盤和邊緣終端；保護(hù)電路；用于控制所述器件的柵極驅(qū)動電路；電路仿真模型。經(jīng)過作者的構(gòu)思和商業(yè)化，在過去的40年里，IGBT已成為大部分經(jīng)濟(jì)部門電源管理的重要器件。本書提供了各個經(jīng)濟(jì)部門中用于每個IGBT應(yīng)用的電路

本書共7章，主要內(nèi)容包括緒論、半導(dǎo)體材料屬性實(shí)驗(yàn)、二極管特性實(shí)驗(yàn)、雙極型晶體管特性實(shí)驗(yàn)、場效應(yīng)晶體管特性實(shí)驗(yàn)、專用半導(dǎo)體特性實(shí)驗(yàn)、運(yùn)算放大器實(shí)驗(yàn)。本書涉及的實(shí)驗(yàn)分為半導(dǎo)體器件物理理論課程相配套的經(jīng)典實(shí)驗(yàn)、半導(dǎo)體器件物理前沿科技相關(guān)的器件實(shí)驗(yàn)，以及后續(xù)集成電路設(shè)計課程銜接的相關(guān)實(shí)驗(yàn)，形成了基礎(chǔ)性實(shí)驗(yàn)、設(shè)計性實(shí)驗(yàn)、綜合性實(shí)