本書不僅介紹了半導體器件中所涉及材料的刻蝕工藝，而且對每種材料的關(guān)鍵刻蝕參數(shù)、對應的等離子體源和刻蝕氣體化學物質(zhì)進行了詳細解釋。本書討論了具體器件制造流程中涉及的干法刻蝕技術(shù)，介紹了半導體廠商實際使用的刻蝕設(shè)備的類型和等離子體產(chǎn)生機理，例如電容耦合型等離子體、磁控反應離子刻蝕、電子回旋共振等離子體和電感耦合型等離子體，

本書系統(tǒng)地討論了第三代半導體材料SiC和GaN的物理特性，以及功率應用中不同類型的器件結(jié)構(gòu)，同時詳細地討論了SiC和GaN功率器件的設(shè)計、制造，以及智能功率集成中的技術(shù)細節(jié)。也討論了寬禁帶半導體功率器件的柵極驅(qū)動設(shè)計，以及SiC和GaN功率器件的應用。最后對寬禁帶半導體功率器件的未來發(fā)展進行了展望。

目前以有機/聚合物和半導體量子點為代表的新型電致發(fā)光材料與器件受到了國內(nèi)外眾多企業(yè)和人士的廣泛關(guān)注。本書從新型電致發(fā)光材料與器件原理，以及關(guān)鍵材料的開發(fā)與應用技術(shù)出發(fā)，內(nèi)容涵蓋有機電致發(fā)光概念與過程、有機電致發(fā)光材料、有機電致發(fā)光器件、半導體量子點材料、半導體量子點電致發(fā)光器件、鹵素鈣鈦礦材料及其電致發(fā)光器件等。全書反

本書主要介紹了基于光學超晶格的光波長轉(zhuǎn)換技術(shù)，首先介紹了光學超晶格的基本概念以及基于光學超晶格的光波長轉(zhuǎn)換基本原理，其中包括基于不同效應的光波長轉(zhuǎn)換原理及實現(xiàn)方案、耦合波方程的龍格庫塔解法、遺傳算法在光學超晶格結(jié)構(gòu)設(shè)計中的應用；然后分別講解了均勻分段結(jié)構(gòu)光學超晶格、階梯分段結(jié)構(gòu)光學超晶格、啁啾結(jié)構(gòu)光學超晶格及其在光波長

本書以圖解的方式深入淺出地講述了功率半導體制造工藝的各個技術(shù)環(huán)節(jié)。全書共分為11章，分別是：功率半導體的全貌、功率半導體的基本原理、各種功率半導體的原理和作用、功率半導體的用途與市場、功率半導體的分類、用于功率半導體的硅片、功率半導體制造工藝的特點、功率半導體生產(chǎn)企業(yè)介紹、硅基功率半導體的發(fā)展、挑戰(zhàn)硅極限的碳化硅與氮化

本書基于當前半導體行業(yè)制造過程中存在的問題，介紹了多種改進的批間控制和過程監(jiān)控算法及其性能。第1章為半導體制造過程概述，包括國內(nèi)外研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。第2、3章介紹批間控制、控制性能和制造過程監(jiān)控。第4～7章討論機臺干擾、故障、度量時延對系統(tǒng)性能的影響，提出多種批間控制衍生算法，包括雙產(chǎn)品制程的EWMA批間控制算法、變

集成電路制造向幾納米節(jié)點工藝的發(fā)展，需要具有原子級保真度的刻蝕技術(shù)，原子層刻蝕（ALE）技術(shù)應運而生。《半導體干法刻蝕技術(shù)：原子層工藝》主要內(nèi)容有：熱刻蝕、熱各向同性ALE、自由基刻蝕、定向ALE、反應離子刻蝕、離子束刻蝕等，探討了尚未從研究轉(zhuǎn)向半導體制造的新興刻蝕技術(shù)，涵蓋了定向和各向同性ALE的全新研究和進展�！栋�

本書以工程應用為目標，聚焦基本概念與原理、表面組裝核心工藝、主要組裝工藝問題及最新應用問題，以圖文并茂的形式，介紹了焊接的基礎(chǔ)原理與概念、表面組裝的核心工藝與常見不良現(xiàn)象，以及組裝工藝帶來的可靠性問題。全書結(jié)合內(nèi)容需求，編入了幾十個經(jīng)典案例，這些案例非常典型，不僅有助于讀者深入理解有關(guān)工藝的概念和原理，也可作為類似不良

本書系統(tǒng)介紹了用于材料位移損傷研究的多尺度模擬方法，包括輻射與材料相互作用模擬方法、分子動力學方法、動力學蒙特卡羅方法、第一性原理方法、器件電學性能模擬方法等，模擬尺寸從原子尺度的10.10m到百納米，時間從亞皮秒量級到106s，并給出了多尺度模擬方法在硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵材料位移損傷研究中的應用，揭示了典型半導

本書全面闡述了半導體刻蝕加工及金屬輔助化學刻蝕加工原理與工藝，詳細講述了硅折點納米線、超高深徑比納米線、單納米精度硅孔陣列三類典型微/納米結(jié)構(gòu)的刻蝕加工工藝，并對第三代半導體碳化硅的電場和金屬輔助化學刻蝕復合加工、第三代半導體碳化硅高深寬比微槽的紫外光場和濕法刻蝕復合加工工藝進行了詳細論述。