本書詳細地闡述了寬禁帶功率半導體器件的發(fā)展現(xiàn)狀、電熱行為模型建模方法與模型參數(shù)提取優(yōu)化算法、開通和關斷過電壓問題分析和抑制方法、串擾導通問題機理與抑制方法。通過LLC變換器展示了如何借助寬禁帶器件電熱行為模型完成功率變換器硬件優(yōu)化設計和控制算法的仿真驗證，并分析了平面磁集成矩陣變壓器的優(yōu)化設計方法，建立了LLC變換器小

《低維半導體材料及其信息能源器件》講述了低維半導體材料與器件的制備與構(gòu)筑及其在電子信息和綠色能源領域的新穎應用。全書共7章，涵蓋了低維材料的生長和表征、二維半導體材料在觸覺傳感器的應用、二維過渡金屬硫化合物感通融器件、二維過渡金屬硫化物的納米光子學和光電子學、二維半導體材料材料非易失性阻變存儲器和射頻開關、四/五主族二

本書是作者從事電子制造40年來有關單板互連可靠性方面的經(jīng)驗總結(jié),討論了單板常見的失效模式、典型失效場景以及如何設計與制造高可靠性產(chǎn)品的廣泛問題，并通過大量篇幅重點討論了焊點的斷裂失效現(xiàn)象及裂紋特征。全書內(nèi)容共4個部分，第一部分為焊點失效機理與裂紋特征，詳細介紹焊點的失效模式、失效機理、裂紋特征及失效分析方法;第二部分為

隨著先進的集成電路工藝節(jié)點不斷向納米級推進，對半導體納米器件的研究就顯得越發(fā)重要。本書詳細介紹了半導體納米器件的物理學原理、結(jié)構(gòu)、制造工藝及應用等內(nèi)容。開篇介紹了這一研究領域在過去幾十年的發(fā)展；前半部分重點介紹電子納米器件，包括準一維電子氣、強電子相關的測量、量子點的熱電特性、單電子源、量子電流標準、電子量子光學、噪聲

本書詳細介紹了半導體芯片制造中的核心技術——光刻技術。主要內(nèi)容包括驅(qū)動光學光刻的基本方程和參數(shù)的相關知識、曝光系統(tǒng)和成像基礎理論、光刻系統(tǒng)組件、工藝和優(yōu)化技術等；深入分析了光刻技術的發(fā)展前景，詳述了浸沒式光刻與極紫外（EUV）光刻。本書（第二版）特別融合了作者在研究、教學以及世界級大批量制造方面的獨特經(jīng)驗，增加了關于接

本書對半導體存儲器技術進行了全面綜合的介紹，覆蓋了從底層的器件及單元結(jié)構(gòu)到頂層的陣列設計，且重點介紹了近些年的工藝節(jié)點縮小趨勢和最前沿的技術。本書第1部分討論了主流的半導體存儲器技術，第2部分討論了多種新型的存儲器技術，這些技術都有潛力能夠改變現(xiàn)有的存儲層級，同時也介紹了存儲器技術在機器學習或深度學習中的新型應用。

半導體材料(semiconductormaterial)是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm-1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。半導體材料是一種具有極大影響力的功能材料，廣泛應用于制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件等領域，支撐著通信、計算機

本書聚焦硅基集成電路主要器件，即PN結(jié)、雙極型晶體管和場效應晶體管的基本結(jié)構(gòu)、關鍵參數(shù)、直流特性、頻率特性、開關特性，側(cè)重對基本原理的討論，借助圖表對各種效應進行圖形化直觀展示，并詳細推導了各種公式。此外，還對小尺寸場效應晶體管的典型短溝道效應及其實際業(yè)界對策進行了較為詳細的闡述。本書適合集成電路或微電子相關專業(yè)本科生

《半導體結(jié)構(gòu)》主要內(nèi)容總體可被劃分為兩個部分，分別是晶體的結(jié)構(gòu)理論和晶體的缺陷理論。第一部分主要圍繞理想晶體（完美晶體）的主要性質(zhì)與基本概念撰寫，加深讀者對晶體結(jié)構(gòu)和關鍵性質(zhì)的理解。第一部分擬通過五個章節(jié)分別介紹晶體的基本概念、晶體結(jié)構(gòu)、對稱性、晶體結(jié)構(gòu)描述方法及典型半導體晶體的重要物理、化學特性和這些特性與晶體微觀、

本書對半導體金屬氧化物基本性質(zhì)及傳感作用機制進行了系統(tǒng)性介紹，并對氣體傳感器在不同領域的應用與性能優(yōu)化策略進行詳細闡述。全書共分為十章，總結(jié)了SMO氣體傳感器的特點（主要是基本特性）、氣體傳感器的原理、氣固界面氣敏催化機制以及各種類型的SMO氣體傳感器。本書圍繞半導體金屬氧化物氣體傳感材料展開，尤其關注了SMO納米尺度