超結(jié)是功率半導體器件領(lǐng)域的創(chuàng)新的耐壓層結(jié)構(gòu)之一，它將常規(guī)阻型耐壓層質(zhì)變?yōu)镻N結(jié)型耐壓層，突破了傳統(tǒng)比導通電阻和耐壓之間的硅極限關(guān)系（Ron,spVB^2.5），將2.5次方關(guān)系降低為1.32次方，甚至是1.03次方關(guān)系，被譽為功率半導體器件發(fā)展的里程碑。本書概述了功率半導體器件的基本信息，重點介紹了作者在功率超結(jié)器件研

本書主要以幾種新型的納米多孔GaN基薄膜為研究對象，系統(tǒng)地介紹了其納米孔結(jié)構(gòu)的制備及特性研究，為其在光解水、發(fā)光器件、柔性器件及可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了理論和實驗基礎(chǔ)。

本書內(nèi)容包括4部分。第1部分介紹功率半導體器件的分類及發(fā)展歷程，主要包括功率半導體器件這個“大家族”的主要成員及各自的特點和發(fā)展歷程。第2部分介紹功率二極管，在傳統(tǒng)的功率二極管（肖特基二極管和PiN二極管）的基礎(chǔ)上，增加了JBS二極管和MPS二極管等新型單、雙極型二極管的內(nèi)容。第3部分介紹功率開關(guān)器件，主要分為傳統(tǒng)開關(guān)

硅通孔垂直互連技術(shù)是實現(xiàn)三維集成電路與微系統(tǒng)的關(guān)鍵核心技術(shù)。硅通孔可以有效縮短芯片間的互連距離，提高互連密度，從而實現(xiàn)更大的帶寬、更低的功耗和更小的尺寸。本書以作者多年來在垂直硅通孔結(jié)構(gòu)、模型、制造工藝等方面的研究成果為基礎(chǔ)，系統(tǒng)全面地介紹硅通孔制備過程中的關(guān)鍵工藝技術(shù)，是一本講述基于硅工藝的三維垂直互連技術(shù)的專著。此

本書以數(shù)據(jù)分析為基礎(chǔ)，探討了半導體材料及器件的特征參數(shù)分析和檢測的方法和技術(shù)。全書共七章，包括數(shù)據(jù)的統(tǒng)計分析、半導體物理基礎(chǔ)、半導體材料的接觸及能帶結(jié)構(gòu)測量、半導體缺陷及測量、載流子遷移率的測量、載流子動力學和太陽能電池的基本原理及表征，對相關(guān)材料專業(yè)學生和科研工作人員具有很好的參考價值和意義。

本書對標電子裝聯(lián)職業(yè)技能標準(中級)的考核方案，本題庫分為理論知識題庫和實操題庫兩部分。理論知識題庫按照工作任務(wù)進行劃分，每個任務(wù)的考核由判斷題、選擇題、簡述題和案例分析題四種題型構(gòu)成；同時，為方便學員的自我學習、自我檢查，該題庫還提供了部分習題的參考答案，利于學習效果的檢測。實操題庫根據(jù)電子裝聯(lián)職業(yè)技能標準(中級)中

本書介紹了主要半導體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為硅和鍺的化學制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體；第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的外延生長；第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導體；第9章為Ⅱ

本書適合作為集成電路、微電子、電子科學與技術(shù)等專業(yè)高年級本科生和研究生學習半導體器件物理的雙語教學教材，內(nèi)容涵蓋了量子力學、固體物理、半導體物理和半導體器件的全部內(nèi)容。全書在介紹學習器件物理所必需的基礎(chǔ)理論之后，重點討論了pn結(jié)、金屬–半導體接觸、MOS場效應(yīng)晶體管和雙極型晶體管的工作原理和基本特性。最后論述了結(jié)型場效

本書從材料、工藝、結(jié)構(gòu)、性能、歷史、產(chǎn)業(yè)和前沿研究角度，對半導體太陽能電池和發(fā)光二極管進行系統(tǒng)性的介紹。主要包括半導體與新能源，太陽能電池概述，晶體硅太陽能電池，薄膜硅太陽能電池，碲化鎘太陽能電池，砷化鎵太陽能電池，銅銦硒太陽能電池，染料敏化太陽能電池，有機太陽能電池，發(fā)光二極管概述，氮化鎵發(fā)光二極管，氧化鋅發(fā)光二極管

本書以集成電路領(lǐng)域中的等離子體刻蝕為切入點，介紹了等離子體基礎(chǔ)知識、基于等離子體的刻蝕技術(shù)、等離子體刻蝕設(shè)備及其在集成電路中的應(yīng)用。全書共8章，內(nèi)容包括集成電路簡介、等離子體基本原理、集成電路制造中的等離子體刻蝕工藝、集成電路封裝中的等離子體刻蝕工藝、等離子體刻蝕機、等離子體測試和表征、等離子體仿真、顆粒控制和量產(chǎn)。本