本書(shū)介紹本書(shū)介紹納米氧化鋅及納米氧化鋅基材料的表征、制備及應(yīng)用研究，大致分以下幾章進(jìn)行。第一章：緒論，主要講述純納米氧化鋅結(jié)構(gòu)、制備、性及應(yīng)用；第二章：表征，主要講述目前納米氧化鋅及納米氧化鋅基材料的表征方法及手段；第三章：不同形貌純ZnO納米材料的制備及應(yīng)用研究，對(duì)不同形貌ZnO納米材料的各種性質(zhì)進(jìn)行對(duì)比；第四章：功

隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的應(yīng)用逐漸從集成電路拓展到微波、功率和光電等應(yīng)用領(lǐng)域。傳統(tǒng)元素半導(dǎo)體硅材料不再能滿(mǎn)足這些多元化需求，化合物半導(dǎo)體應(yīng)運(yùn)而生并快速發(fā)展。本書(shū)以浙江大學(xué)材料科學(xué)工程學(xué)系“寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料與器件”課程講義為基礎(chǔ)，參照全國(guó)各高等院校半導(dǎo)體材料與器件相關(guān)教材，結(jié)合課題組多年的研究成果編寫(xiě)而成

Thisbookcomprehensivelyanddeeplyintroducesthesemiconductordeviceprincipleandtechnology.Thebookconsistsofthreesections:semiconductorphysicsanddevices,semiconduct

本書(shū)采用通俗易懂的語(yǔ)言、圖文并茂的形式，詳細(xì)講解了智能制造SMT設(shè)備操作與維護(hù)的相關(guān)知識(shí)，覆蓋了SMT生產(chǎn)線(xiàn)常用的設(shè)備，主要包括上板機(jī)、印刷機(jī)、SPI設(shè)備、雙軌平移機(jī)、貼片機(jī)、AOI設(shè)備、緩存機(jī)、回流焊、X-ray激光檢測(cè)儀、AGV機(jī)器人、傳感器、烤箱、電橋等，還對(duì)SMT生產(chǎn)線(xiàn)的運(yùn)行管理做了介紹。本書(shū)內(nèi)容豐富實(shí)用，講解

本書(shū)為《電子裝聯(lián)職業(yè)技能等級(jí)證書(shū)教程》（初級(jí)）配套教材，以職業(yè)技能等級(jí)標(biāo)準(zhǔn)和電子裝聯(lián)工藝、品質(zhì)管控、設(shè)備操作等崗位能力要求為依據(jù)進(jìn)行編寫(xiě)。本書(shū)重點(diǎn)圍繞裝聯(lián)準(zhǔn)備、基板焊接、基板檢修、基板裝聯(lián)四大工作領(lǐng)域11個(gè)典型工作任務(wù)展開(kāi)。全書(shū)分為理論知識(shí)考核試題和操作技能考核試題兩部分，并附有理論知識(shí)考核試題答案、理論知識(shí)考核試卷樣

本書(shū)系統(tǒng)闡述了表面組裝元器件、表面組裝材料、表面組裝工藝、表面組裝設(shè)備原理及應(yīng)用等SMT基礎(chǔ)內(nèi)容。針對(duì)SMT產(chǎn)品制造業(yè)的技術(shù)發(fā)展及崗位需求，詳細(xì)介紹了表面組裝技術(shù)的SMB設(shè)計(jì)與制造、焊錫膏印刷、點(diǎn)膠、貼片、波峰與再流焊接、檢驗(yàn)、清洗等基本技能。為解決學(xué)校實(shí)訓(xùn)條件不足和增加學(xué)生感性認(rèn)識(shí)的需要，書(shū)中配置了較大數(shù)量的實(shí)物圖片

本書(shū)以作者近年來(lái)的研究成果為基礎(chǔ)，結(jié)合國(guó)際研究進(jìn)展，系統(tǒng)地介紹了金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體器件的物理特性和實(shí)現(xiàn)方法，重點(diǎn)介紹了氫終端金剛石場(chǎng)效應(yīng)管器件。全書(shū)共8章，內(nèi)容包括緒論、金剛石的表面終端、氫終端金剛石場(chǎng)效應(yīng)管的原理和優(yōu)化、金剛石微波功率器件、基于各種介質(zhì)的氫終端金剛石MOSFET、金剛石高壓二極管、石墨烯/金剛石復(fù)合

本書(shū)主要介紹近幾年發(fā)展較快的氧化鎵半導(dǎo)體器件。氧化鎵作為新型的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，在高耐壓功率電子器件、紫外光電探測(cè)器件等方面都具有重要的應(yīng)用前景。本書(shū)共分為7章，第1~4章（氧化鎵材料部分）介紹了氧化鎵半導(dǎo)體材料的基本結(jié)構(gòu)，單晶生長(zhǎng)和薄膜外延方法，電學(xué)特性，氧化鎵材料與金屬、其他半導(dǎo)體的接觸，氧化鎵材料的刻蝕、離子注

隨著太赫茲技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)固態(tài)器件在耐受功率等方面已經(jīng)很難提升，導(dǎo)致現(xiàn)有的太赫茲源輸出功率低，不能滿(mǎn)足太赫茲系統(tǒng)工程化的需求。寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵具有更高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更高熱導(dǎo)率和更低介電常數(shù)的優(yōu)點(diǎn)，在研制大功率固態(tài)源、高速調(diào)制和高靈敏探測(cè)方面具有優(yōu)勢(shì)。本書(shū)主要介紹氮化物太赫茲器件的最新進(jìn)展，包括氮化鎵太赫茲二極管、三極管、

氧化鎵作為新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在高壓功率器件、深紫外光電器件、高亮度LED等方面具有重要的應(yīng)用前景。本書(shū)從氧化鎵半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程、材料特性、材料制備原理與技術(shù)及電學(xué)性質(zhì)調(diào)控等幾個(gè)方面做了較全面的介紹，重點(diǎn)梳理了作者及國(guó)內(nèi)外同行在單晶制備方法、襯底加工、薄膜外延方面的研究成果；系統(tǒng)闡述了獲得高質(zhì)量體塊單晶及薄膜的