本書面向世界科技前沿和國家重大需求，針對高效率Ⅲ族氮化物L(fēng)ED芯片設(shè)計(jì)和制造的關(guān)鍵問題，基于作者在III族氮化物L(fēng)ED外延生長和芯片制造領(lǐng)域十余年的研究基礎(chǔ)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)，融入國內(nèi)外同行在這一領(lǐng)域的研究成果，從藍(lán)光/綠光/紫外LED外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與材料生長、水平結(jié)構(gòu)/倒裝結(jié)構(gòu)/垂直結(jié)構(gòu)/高壓LED芯片設(shè)計(jì)與制造工藝、LED