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《氮化鋁晶體生長與應用》
發(fā)布者:網(wǎng)上館配會 發(fā)布時間:2022/1/17
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內(nèi)容簡介:
氮化鋁(AlN)是一種典型的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體材料。氮化鋁擁有熱導率高、熱膨脹系數(shù)低、介電常數(shù)高、抗腐蝕能力強、熱力學穩(wěn)定性高等優(yōu)異特性。本書系統(tǒng)、深入地介紹了氮化鋁晶體的基本性質(zhì)、生長方法和具體應用。全書分為 7 章:第 1 章是緒論,介紹了第一、二、三代半導體材料的基本概念、性質(zhì)和應用;第 2~6 章主要介紹了氮化鋁晶體的基本特性,低維氮化鋁納米材料、氮化鋁薄膜和氮化鋁晶體的制備方法,以及三元合金及摻雜改性;第 7 章主要介紹了氮化鋁材料的具體應用。
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