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III-V氮化物納米材料的制備及性能研究 Ⅲ-Ⅴ氮化物屬于第三代半導(dǎo)體,具有獨(dú)特的性能及應(yīng)用領(lǐng)域,現(xiàn)在得以廣泛應(yīng)用的藍(lán)光LED就是以氮化鎵為基材制備出來(lái)的。本書(shū)內(nèi)容主要是Ⅲ-Ⅴ氮化物納米材料的研究,包括零維量子點(diǎn)的制備及性能,一維納米材料的制備及性能,納米陣列的制備及性能,以及對(duì)于Ⅲ-Ⅴ氮化物的理論模擬研究等。
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