基于脈沖激光沉積富硼B(yǎng)-C薄膜的關(guān)鍵技術(shù)研究
定 價:38 元
叢書名:博士后文庫
- 作者:章嵩著
- 出版時間:2017/11/1
- ISBN:9787030553331
- 出 版 社:科學(xué)出版社
- 中圖法分類:TD926.4
- 頁碼:
- 紙張:膠版紙
- 版次:1
- 開本:16K
《基于脈沖激光沉積富硼B(yǎng)-C薄膜的關(guān)鍵技術(shù)研究》旨在利用脈沖激光沉積技術(shù),將其分別采用碳化硼陶瓷靶與硼碳拼合靶為靶材。通過對靶材成分、組成形式及沉積溫度等工藝參數(shù)的調(diào)整,得到表面平整、厚度均勻及成分可控的富硼B(yǎng)-C薄膜,建立靶材成分、組成形式和沉積溫度等工藝參數(shù)與薄膜組成、結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系,對該系列薄膜的生長機理進行分析研究。
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目錄
《博士后文庫》序言
前言
第1章 導(dǎo)論 1
1.1 激光慣性約束核聚變 2
1.1.1 激光慣性約束核聚變技術(shù) 2
1.1.2 激光慣性約束核聚變靶丸材料 4
1.2 B-C系列材料 5
1.2.1 B-C系列材料的晶體結(jié)構(gòu) 5
1.2.2 B-C系列材料的研究現(xiàn)狀 8
1.2.3 B-C系列薄膜的研究現(xiàn)狀 10
第2章 富珊B-C陶瓷的制備、結(jié)構(gòu)分析與成分控制 13
2.1 引言 13
2.2 實驗與測試 14
2.2.1 實驗原料 14
2.2.2 實驗設(shè)計與工藝過程 14
2.2.3 測試方法 15
2.3 B-C系列陶瓷靶材的燒結(jié)致密化 16
2.3.1 B-C陶瓷燒結(jié)體的致密度分析 16
2.3.2 B-C陶瓷的物相分析 17
2.3.3 B-C陶瓷的顯微結(jié)構(gòu)分析 23
2.4 不同配比B-C陶瓷靶材的制備與成分控制 27
2.4.1 不同配比B-C陶瓷的物相結(jié)構(gòu)分析 27
2.4.2 不同原子比B-C陶瓷的顯微結(jié)構(gòu)分析 28
2.4.3 B-C陶踵的化學(xué)組成分析與成分控制 30
2.4.4 硼、碳原子的化學(xué)結(jié)構(gòu)分析 31
第3章 采用B-C陶瓷靶的富硼B(yǎng)-C薄膜脈沖激光沉積 35
3.1 引言 35
3.2 實驗與測試 36
3.2.1 實驗原料 36
3.2.2 實驗設(shè)計與工藝過程 36
3.2.3 測試方法 39
3.3 富硼B(yǎng)-C薄膜的脈沖激光沉積工藝研究 41
3.3.1 脈沖激光能量對薄膜沉積質(zhì)量的影響 4
3.3.2 靶-基距對薄膜沉積質(zhì)量的影響 46
3.4 B-C薄膜的成分研究 49
3.4.1 B-C薄膜的化學(xué)組成分析與成分控制 49
3.4.2 硼、碳原子的化學(xué)結(jié)構(gòu)研究 50
第4章 采用B-C拼合靶的富硼B(yǎng)-C薄膜脈沖激光沉積 53
4.1 引言 53
4.2 實驗與測試 54
4.2.1 實驗原料 54
4.2.2 實驗設(shè)計與工藝過程 55
4.2.3 測試方法 57
4.3 B-C拼合靶的脈沖激光沉積工藝研究 58
4.3.1 基板溫度對薄膜沉積質(zhì)量的影響 58
4.3.2 靶材自轉(zhuǎn)速度對薄膜沉積質(zhì)量的影響 64
4.4 B-C薄膜的成分分析與控制 65
4.4.1 B-C薄膜的化學(xué)組成分析與成分控制 65
4.4.2 硼、碳原子的化學(xué)結(jié)構(gòu)分析 66
4.5 B-C拼合靶的脈沖激光沉積過程分析 68
4.5.1 脈沖激光沉積技術(shù) 68
4.5.2 脈沖激光燒蝕靶材過程分析 69
4.5.3 脈沖激光燒蝕產(chǎn)生等離子體的膨脹行為分析 71
4.5.4 等離子體羽輝邊界的求解 75
4.5.5 B-C薄膜中原子比的理論計算 77
本書總結(jié) 81
參考文獻 83