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絕緣體上硅(SOI)技術(shù):制造及應(yīng)用

絕緣體上硅(SOI)技術(shù):制造及應(yīng)用

定  價(jià):128 元

叢書名:裝備科技譯著出版基金

        

  • 作者:[法] Oleg,Kononchuk,ich-Yen,Nguyen 著,劉忠立,寧瑾,趙凱 譯
  • 出版時(shí)間:2018/9/1
  • ISBN:9787118116366
  • 出 版 社:國防工業(yè)出版社
  • 中圖法分類:TN304.9 
  • 頁碼:385
  • 紙張:膠版紙
  • 版次:1
  • 開本:16開
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  《絕緣體上硅(SOI)技術(shù):制造及應(yīng)用》的目的是對SOI CMOS新技術(shù)的進(jìn)展進(jìn)行全面介紹。全書分為兩部分:第一部分介紹SOI晶圓片的制造工藝、表征及SOI器件物理;第二部分介紹相關(guān)的各種應(yīng)用。全書既涉及部分耗盡SOI這樣已成熟的技術(shù),也包括全耗盡平面SOI技術(shù)、FinFET、射頻、光電子、MEMS以及超低功耗應(yīng)用這樣一些新發(fā)展的技術(shù)。晶體管級和電路級解決方案也均有涉及。我們將這《絕緣體上硅(SOI)技術(shù):制造及應(yīng)用》的解決方案限定在32~14nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的范圍,并將應(yīng)用限定在技術(shù)成熟到足以實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)的范圍。
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