絕緣體上硅(SOI)技術(shù):制造及應(yīng)用
定 價(jià):128 元
叢書名:裝備科技譯著出版基金
- 作者:[法] Oleg,Kononchuk,ich-Yen,Nguyen 著,劉忠立,寧瑾,趙凱 譯
- 出版時(shí)間:2018/9/1
- ISBN:9787118116366
- 出 版 社:國防工業(yè)出版社
- 中圖法分類:TN304.9
- 頁碼:385
- 紙張:膠版紙
- 版次:1
- 開本:16開
《絕緣體上硅(SOI)技術(shù):制造及應(yīng)用》的目的是對SOI CMOS新技術(shù)的進(jìn)展進(jìn)行全面介紹。全書分為兩部分:第一部分介紹SOI晶圓片的制造工藝、表征及SOI器件物理;第二部分介紹相關(guān)的各種應(yīng)用。全書既涉及部分耗盡SOI這樣已成熟的技術(shù),也包括全耗盡平面SOI技術(shù)、FinFET、射頻、光電子、MEMS以及超低功耗應(yīng)用這樣一些新發(fā)展的技術(shù)。晶體管級和電路級解決方案也均有涉及。我們將這《絕緣體上硅(SOI)技術(shù):制造及應(yīng)用》的解決方案限定在32~14nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的范圍,并將應(yīng)用限定在技術(shù)成熟到足以實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)的范圍。
絕緣體上硅(SOI)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù),從利基市場開始發(fā)展,現(xiàn)在已經(jīng)達(dá)到了成熟階段。在20世紀(jì)80年代初,開發(fā)這一技術(shù)主要是針對輻射加固(軍用)及功率應(yīng)用。SOI的廣泛采用,是20世紀(jì)90年代末由集成器件制造商(IDM)在高性能的計(jì)算機(jī)應(yīng)用開始的。目前,SOI技術(shù)正在向基于常規(guī)的體硅CMOS的射頻、模擬、通用、超低功耗計(jì)算機(jī)、光電子、存儲器以及MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))等各種電路的市場進(jìn)軍。例如,2012年,已經(jīng)有超過60%的移動(dòng)應(yīng)用裝置以及超過80%的游戲機(jī),是采用SOI芯片制造的。在最近幾年,其已經(jīng)發(fā)展成為一個(gè)完整的CMOS生態(tài)系統(tǒng)。這個(gè)生態(tài)系統(tǒng)基于多年來晶圓片供應(yīng)鏈中三個(gè)主要的SOI晶圓片公司(Soitec,SEH,SunEdison),它們生產(chǎn)的SOI晶圓片總產(chǎn)量達(dá)到每年250萬片(在1~2年內(nèi)可能還會(huì)翻一番)。這個(gè)生態(tài)系統(tǒng)還包括SOI的工藝代工線(ARM、UMC、GlobaJ Foundry、ST Microelec-tronics),以及知識產(chǎn)權(quán)(IP)核心庫提供單位(ARM、IBM)和電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具公司(Synopsys、Cadence、Mentor Graphics),ITRS(國際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖)增加了在IT中采用的SOI技術(shù),并且提供不同應(yīng)用的SOI發(fā)展藍(lán)圖。大多數(shù)CMOS制造商在他們的SOI解決方案中,都有未來的產(chǎn)品研發(fā)計(jì)劃。
SOI的優(yōu)勢是什么呢?可以作如下概括:
·同相應(yīng)的體硅技術(shù)相比,無論是速度還是功耗,性能均有提高;
·SOI具有更好的縮比性,使芯片面積更。
·SOI能簡化加工工藝;
·SOI在晶圓片上容易將不同材料集成在一起。
2008年,全球半導(dǎo)體聯(lián)盟( GSA)和SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟,進(jìn)行了一項(xiàng)行業(yè)對SOI技術(shù)看法的在線調(diào)研(圖1),認(rèn)為SOI晶圓片的成本以及SOI設(shè)計(jì)知識的不完善,是制約SOI發(fā)展的主要原因。目前這些問題正在解決。過去,SOI晶圓片的價(jià)格曾達(dá)體硅晶圓片的五倍,但由于量產(chǎn)目前價(jià)格已顯著降低了。另外,SOI晶圓片的價(jià)格只是加工及封裝器件的一小部分。SOI制造工藝簡單的優(yōu)點(diǎn),抵消了較高襯底價(jià)格的缺點(diǎn)。
本書的目的是對SOI CMOS最新技術(shù)的進(jìn)展進(jìn)行全面介紹。全書分為兩部分:第一部分介紹SOI晶圓片的制造工藝、表征及SOI器件物理;第二部分介紹相關(guān)的各種應(yīng)用。全書既涉及部分耗盡SOI這樣已成熟的技術(shù),也包括全耗盡平面SOI技術(shù)、FinFET、射頻、光電子、MEMS以及超低功耗應(yīng)用這樣一些新發(fā)展的技術(shù)。晶體管級和電路級解決方案也均有涉及。我們將這本書的解決方案限定在32~14nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的范圍,并將應(yīng)用限定在技術(shù)成熟到足以實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)的范圍。
我們要感謝Woodhead出版社的Francis Dodds、Laura Pugh以及Steven Mat-thews,感謝他們?yōu)楸緯某晒Τ霭嫠龅墓ぷ鳌?