本書是模擬CMOS集成電路設(shè)計方面的經(jīng)典教材，介紹模擬CMOS集成電路的分析與設(shè)計，著重講解該技術(shù)的新進展和設(shè)計實例，從MOSFET器件的基本物理特性開始，逐章分析CMOS放大單元電路、差分放大器、頻率響應(yīng)、噪聲、反饋放大器與穩(wěn)定性、運算放大器、電壓基準(zhǔn)源與電流基源、離散時間系統(tǒng)、差分電路及反饋系統(tǒng)中的非線性、振蕩器和鎖相環(huán)等基礎(chǔ)模擬電路的分析與設(shè)計。
本書還介紹了集成電路的基本制造工藝、版圖和封裝設(shè)計的基本原則。
本書自出版以來得到了國內(nèi)外讀者的好評和青睞，被許多國際知名大學(xué)選為教科書。同時，由于原著者在世界知名公司的豐富研究經(jīng)歷，使本書也非常適合作為CMOS模擬集成電路設(shè)計或相關(guān)領(lǐng)域的研究人員和工程技術(shù)人員的參考書。
畢查德·拉扎維，美國加利福尼亞大學(xué)洛杉磯分校電氣工程學(xué)院教授，獲獎無數(shù)的作家、研究人員、教師。他的研究領(lǐng)域包括無線收發(fā)機、寬帶數(shù)據(jù)通信電路、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器。他還是IEEE的院士、IEEE講師，被公認(rèn)為國際固體電路會議（ISSCC）近50年中10位作者之一。在模擬電路、射頻、高速電路的分析和設(shè)計領(lǐng)域，他已經(jīng)出版了7本經(jīng)典巨著。
第2版譯者序
第1版譯者序
第2版前言
第1版前言
第2版致謝
第1版致謝
作者簡介
第1章 模擬電路設(shè)計緒論
1．1 模擬電路的重要性
1．1．1 信號的檢測與處理
1．1．2 數(shù)字信號傳輸中的模擬設(shè)計
1．1．3 需求旺盛的模擬設(shè)計
1．1．4 模擬設(shè)計的挑戰(zhàn)
1．2 研究模擬集成電路的重要性
1．3 研究CMOS模擬集成電路的重要性
1．4 本書的特點
1．5 電路設(shè)計的抽象級別
第2章 MOS器件物理基礎(chǔ)
2．1 基本概念
2．1．1 MOSFET開關(guān)
2．1．2 MOSFET的結(jié)構(gòu)
2．1．3 MOS符號
2．2 MOS的I-V特性
2．2．1 閾值電壓
2．2．2 I-V特性的推導(dǎo)
2．2．3 MOSFET的跨導(dǎo)
2．3 二級效應(yīng)
2．4 MOS器件模型
2．4．1 MOS器件版圖
2．4．2 MOS器件電容
2．4．3 MOS小信號模型
2．4．4 MOS SPICE模型
2．4．5 NMOS與PMOS器件的比較
2．4．6 長溝道器件與短溝道器件的比較
2．5 附錄A：鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）
2．6 附錄B：用作電容器的MOS器件的特性
參考文獻
習(xí)題
第3章 單級放大器
3．1 應(yīng)用
3．2 概述
3．3 共源級
3．3．1 采用電阻作負(fù)載的共源級
3．3．2 采用二極管連接型器件作負(fù)載的共源級
3．3．3 采用電流源作負(fù)載的共源級
3．3．4 有源負(fù)載的共源級
3．3．5 工作在線性區(qū)的MOS為負(fù)載的共源級
3．3．6 帶源極負(fù)反饋的共源級
3．4 源跟隨器
3．5 共柵級
3．6 共源共柵級
3．6．1 折疊式共源共柵
3．7 器件模型的選擇
習(xí)題
第4章 差動放大器
4．1 單端與差動的工作方式
4．2 基本差動對
4．2．1 定性分析
4．2．2 定量分析
4．2．3 帶源極負(fù)反饋的差動對
4．3 共模響應(yīng)
4．4 MOS為負(fù)載的差動對
4．5 吉爾伯特單元
參考文獻
習(xí)題
第5章 電流鏡與偏置技術(shù)
5．1 基本電流鏡
5．2 共源共柵電流鏡
……
第6章 放大器的頻率特性
第7章 噪聲
第8章 反饋
第9章 運算放大器
第10章 穩(wěn)定性與頻率補償
第11章 納米設(shè)計分析
第12章 帶隙基準(zhǔn)
第13章 開關(guān)電容電路導(dǎo)論
第14章 非線性與不匹配
第15章 振蕩器
第16章 鎖相環(huán)
第17章 短溝道效應(yīng)與器件模型
第18章 CMOS工藝技術(shù)
第19章 版圖與封裝
索引
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