半導(dǎo)體材料及器件的輻射效應(yīng)研究，始于20世紀60年代初，起因是1962年在美國通信衛(wèi)星Telstar上發(fā)現(xiàn)的損傷，以及后來諸多衛(wèi)星和地面模擬試驗中證實的半導(dǎo)體器件因空間電離輻射引起的損傷。隨著空間技術(shù)及核技術(shù)的發(fā)展，所采用的半導(dǎo)體器件越來越多，出現(xiàn)的半導(dǎo)體材料及器件的輻射效應(yīng)也越來越復(fù)雜。
　　經(jīng)過幾十年的不斷研究，在半導(dǎo)體材料及器件的輻射效應(yīng)研究方面，已取得了豐富的研究成果。人們已基本上認識了半導(dǎo)體材料及器件輻射效應(yīng)的機理，而且在很大程度上可以在地面及實驗室中，通過模擬試驗并結(jié)合仿真技術(shù)，預(yù)估半導(dǎo)體器件在實際輻射環(huán)境中的應(yīng)用風險。當判斷了已有的半導(dǎo)體器件在實際輻射環(huán)境中的應(yīng)用風險以后，可以通過對半導(dǎo)體材料及器件輻射效應(yīng)機理的認識，在材料、器件設(shè)計以及器件工藝等方面進行改進，使器件加固到可以較有保障地應(yīng)用在實際輻射環(huán)境中。
　　從上面的簡單介紹我們可以看出，半導(dǎo)體材料及器件輻射效應(yīng)的知識是十分重要的。它不僅可以使我們深刻地認識半導(dǎo)體材料及器件輻射效應(yīng)方面多年的研究成果，從而在實際中幫助我們正確地選擇合適的半導(dǎo)體器件，以避免在危險的輻射環(huán)境中造成電子系統(tǒng)的異常工作甚至損壞，同時，它也有助于從事半導(dǎo)體器件輻射加固研究方面的科技人員，去尋求科學的半導(dǎo)體器件輻射加固方法，制做出可靠的輻射加固半導(dǎo)體器件，從而使得半導(dǎo)體器件在苛刻的輻射環(huán)境中安全工作。
　　半導(dǎo)體材料及器件輻射效應(yīng)涉及多方面的知識，包括輻射環(huán)境、核物理、半導(dǎo)體材料及器件物理、半導(dǎo)體材料及器件同輻射的相互作用、輻射效應(yīng)的表征等。相關(guān)方面的文獻及著作非常的多，它們的共同特點是專業(yè)性極強，對它們進行有限的閱讀往往難以對半導(dǎo)體材料及器件輻射效應(yīng)有一個較全面的認識。特別對于非專門從事半導(dǎo)體材料及器件輻射效應(yīng)研究，但所從事的工作又需要較全面地了解半導(dǎo)體材料及器件輻射效應(yīng)的科技人員以及研究生，這種狀況是非常不利的。