《太赫茲技術(shù)及其軍事安全應(yīng)用》涵蓋了太赫茲技術(shù)及其軍事安全領(lǐng)域應(yīng)用的現(xiàn)狀及未來發(fā)展前景。重點(diǎn)紹了太赫茲技術(shù)在實(shí)際應(yīng)用中的優(yōu)缺點(diǎn)，提出和預(yù)測(cè)了克服當(dāng)前操作局限性的好解決方案；討論了不同致冷級(jí)別的太赫茲探測(cè)器、源及相關(guān)電子器件的現(xiàn)狀；建立了太赫茲波段物理模型，為提高太赫茲成像系統(tǒng)性能提供借鑒。
《太赫茲技術(shù)及其軍事安全應(yīng)用》可幫助相關(guān)專業(yè)的本科生和研究生學(xué)習(xí)和理解太赫茲基礎(chǔ)理論，也可作為太赫茲領(lǐng)域科研人員從事技術(shù)研究與應(yīng)用的有價(jià)值參考用書。
對(duì)小型探測(cè)器來說，不管是致冷（不低于液氮溫度）或是非致冷，大功率太赫茲源及相關(guān)電子器件是確定主動(dòng)和被動(dòng)太赫茲成像系統(tǒng)最終性能的關(guān)鍵因素。參加太赫茲會(huì)議的專家一致認(rèn)為，太赫茲部件的建模和仿真（包括矩陣陣列和天線的仿真及優(yōu)化）是非常重要的一個(gè)方面，因而也使其成為該領(lǐng)域?qū)＜以诒敬螘?huì)議上討論的核心內(nèi)容。太赫茲波段物理建模和仿真的深入研究對(duì)研制性能優(yōu)良且成本低的太赫茲成像系統(tǒng)至關(guān)重要。研制高性能的太赫茲成像系統(tǒng)部件或系統(tǒng)，其建模和仿真將受到北大西洋公約組織（NATO）的持續(xù)關(guān)注，原因有兩方面：首先，這些部件是非侵入邊境安全監(jiān)視、遠(yuǎn)距離探測(cè)爆炸物和其他軍事安全應(yīng)用的重要組成部分，這些應(yīng)用決定了太赫茲成像系統(tǒng)的性能參數(shù)；其次，上述領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展將推動(dòng)設(shè)計(jì)出更加先進(jìn)的太赫茲成像系統(tǒng)。研制太赫茲成像系統(tǒng)所必需的探測(cè)器、源及其相關(guān)電子器件，結(jié)構(gòu)復(fù)雜且成本高昂，而設(shè)計(jì)和制造先進(jìn)的太赫茲探測(cè)器、源及相關(guān)電子器件，尤其是帶有微致冷和非致冷部件的太赫茲成像系統(tǒng)，其最終的發(fā)展方向必然是降低成本并擴(kuò)展性能。
會(huì)議的目的是綜述太赫茲成像系統(tǒng)目前具有最先進(jìn)技術(shù)水平的微致冷和非致冷太赫茲探測(cè)器、源及相關(guān)電子器件。通過建立太赫茲波段物理模型和不確定度估算標(biāo)準(zhǔn)，確定未來太赫茲技術(shù)研發(fā)的關(guān)鍵領(lǐng)域，可為獲得高效太赫茲成像系統(tǒng)技術(shù)及其未來發(fā)展方向提供一個(gè)清晰的思路。
會(huì)議討論的主題包括太赫茲探測(cè)器及源的物理學(xué)機(jī)理、探測(cè)器設(shè)計(jì)和工藝制造、相關(guān)電子器件設(shè)計(jì)以及電路和天線的建模和仿真等問題，對(duì)近年來基于研制先進(jìn)太赫茲探測(cè)器、源和相關(guān)電子器件所獲得的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行了深入分析和討論。
第1章 準(zhǔn)光學(xué)或亞毫米波和太赫茲技術(shù)的發(fā)展歷史、實(shí)際局限性及安全領(lǐng)域應(yīng)用前景
1．1 引言
1．2 太赫茲安全領(lǐng)域應(yīng)用關(guān)鍵技術(shù)：歷史介紹
1．2．1 太赫茲波的起源
1．2．2 一個(gè)世紀(jì)前的“太赫茲”概念
1．2．3 近代史
1．2．4 現(xiàn)狀和未來
1．3 關(guān)鍵器件：太赫茲源、濾波器和傳感器
1．3．1 濾波器
1．3．2 太赫茲探測(cè)器
1．4 太赫茲成像系統(tǒng)在安全領(lǐng)域中的應(yīng)用
1．5 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第2章 遠(yuǎn)紅外半導(dǎo)體探測(cè)器和焦平面陣列
2．1 引言
2．2 遠(yuǎn)紅外探測(cè)器的發(fā)展趨勢(shì)
2．3 探測(cè)器的分類
2．3．1 光子探測(cè)器
2．3．2 熱探測(cè)器
2．4 室溫太赫茲成像探測(cè)器
2．4．1 肖特基勢(shì)壘（SBD）二極管
2．4．2 場效應(yīng)晶體管（FET）探測(cè)器
2．4．3 微測(cè)輻射熱計(jì)
2．5 非本征探測(cè)器
2．5．1 鍺非本征光電導(dǎo)探測(cè)器
2．6 阻擋雜質(zhì)帶探測(cè)器
2．7 半導(dǎo)體測(cè)輻射熱計(jì)
2．8 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第3章 非致冷整流和測(cè)輻射熱計(jì)型太赫茲/亞太赫茲探測(cè)器
3．1 引言
3．2 FET探測(cè)器
3．2．1 功率傳遞系數(shù)
3．2．2 天線傳遞系數(shù)
3．2．3 分壓器傳遞系數(shù)
3．3 SBD探測(cè)器
3．4 FET和SBD探測(cè)器的噪聲等效功率
3．5 MCT-HEB探測(cè)器
3．6 太赫茲成像
3．7 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第4章 室溫應(yīng)用的高功率、窄帶小型太赫茲源
4．1 引言
4．2 雙核有源區(qū)設(shè)計(jì)
4．3 集成雙周期光柵設(shè)計(jì)的3．3～4．6THz太赫茲源
4．4 采用Cerenkov相位匹配方式的1～4．6THz太赫茲源
4．5 采用外延層下安裝的高功率太赫茲源
4．6 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第5章 太赫茲光子器件
5．1 引言
5．2 太赫茲QCL
5．2．1 計(jì)量級(jí)太赫茲（QCI）
5．2．2 相位鎖定
5．3 太赫茲探測(cè)器
5．3．1 納米線FET
5．3．2 石墨烯FET
5．4 太赫茲空心波導(dǎo)
5．5 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第6章 基于超導(dǎo)外差集成接收機(jī)的太赫茲成像系統(tǒng)
6．1 引言
6．2 基于600GHz超導(dǎo)集成接收機(jī)的太赫茲安全系統(tǒng)
6．2．1 接收機(jī)性能
6．2．2 太赫茲成像系統(tǒng)模型
6．3 總結(jié)和展望
參考文獻(xiàn)
第7章 表面波在太赫茲光譜學(xué)中的應(yīng)用
7．1 引言
7．2 太赫茲光譜學(xué)在亞波長級(jí)系統(tǒng)的應(yīng)用
7．3 亞波長孔徑太赫茲近場探頭
7．4 太赫茲表面波
7．5 太赫茲表面波近場成像
7．6 采用太赫茲表面波的亞波長限定
7．7 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第8章 探測(cè)紅外和太赫茲波段痕量氣體的石英增強(qiáng)光聲傳感器
8．1 引言
8．2 中紅外石英增強(qiáng)光聲傳感器
8．3 太赫茲石英增強(qiáng)光聲傳感器
8．4 基于QCL的太赫茲石英增強(qiáng)光聲傳感器
8．5 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第9章 太赫茲主動(dòng)實(shí)時(shí)成像系統(tǒng)
9．1 引言
9．2 太赫茲主動(dòng)電子成像系統(tǒng)
9．2．1 太赫茲機(jī)械掃描成像系統(tǒng)
9．2．2 合成孔徑成像
9．2．3 太赫茲主動(dòng)電子成像系統(tǒng)的發(fā)展?jié)摿翱偨Y(jié)
9．3 光電太赫茲成像系統(tǒng)
9．3．1 零平衡探測(cè)原理
9．3．2 外差探測(cè)原理
9．3．3 光電太赫茲成像的潛力及總結(jié)
9．4 太赫茲焦平面陣列
9．4．1 硅FET太赫茲焦平面陣列
9．4．2 硅FET太赫茲焦平面陣列的總結(jié)及展望
9．5 結(jié)論和展望
致謝
參考文獻(xiàn)
第10章 寬帶納米晶體管太赫茲探測(cè)器的最新研究成果
10．1 引言
10．2 等離子體FET探測(cè)的流體動(dòng)力學(xué)理論
10．3 低功率和高功率限的FET太赫茲輻射探測(cè)
10．4 非共振探測(cè)與溫度的依賴關(guān)系
10．5 FET太赫茲探測(cè)的螺旋性依賴關(guān)系
10．6 太赫茲通信應(yīng)用的負(fù)載效應(yīng)和等離子體波探測(cè)器
10．7 太赫茲探測(cè)的雙光柵柵極結(jié)構(gòu)
10．8 討論與結(jié)論
致謝
參考文獻(xiàn)
第11章 太赫茲在民用和軍事安全檢查中的應(yīng)用
11．1 引言
11．2 探測(cè)隱藏物體的太赫茲系統(tǒng)
11．3 圖像處理
11．4 圖像質(zhì)量評(píng)估
11．5 熱模型
11．5．1 熱模型制作
11．5．2 測(cè)量配置和結(jié)果
11．6 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第12章 Clinotron太赫茲成像系統(tǒng)
12．1 引言
12．2 Clinotron設(shè)計(jì)特點(diǎn)
12．3 Clinotron太赫茲成像系統(tǒng)
12．4 Clinotmn太赫茲成像系統(tǒng)應(yīng)用前景
參考文獻(xiàn)
第13章 安全與防御應(yīng)用的新型低成本紅外“太赫茲火炬”技術(shù)
13．1 引言
13．1．1 背景
13．1．2 光譜范圍
13．1．3 成本驅(qū)動(dòng)
13．1．4 新型熱紅外“太赫茲火炬”技術(shù)
13．2 基本單通道架構(gòu)
13．2．1 基本部件介紹
13．2．2 基本子系統(tǒng)介紹
13．2．3 首臺(tái)單通道“太赫茲火炬”原理驗(yàn)證演示器
13．3 多路復(fù)用方案體系結(jié)構(gòu)
13．3．1 多路復(fù)用方案介紹
13．3．2 首臺(tái)“太赫茲火炬”頻分復(fù)用演示器
13．4 基本局限性和工程解決方案
13．4．1 工作波段
13．4．2 燈絲和傳感器的熱時(shí)間常數(shù)
13．4．3 探測(cè)器響應(yīng)度和顫噪效應(yīng)
13．4．4 燈泡玻璃外殼的吸收
13．4．5 自由空間衰減及擴(kuò)展損耗
13．5 結(jié)論
致謝
參考文獻(xiàn)
第14章 太赫茲最新技術(shù)及其在軍事安全領(lǐng)域中的應(yīng)用
14．1 引言——新興、持久、兩用和非常規(guī)威脅形式
14．1．1 信號(hào)采集與遠(yuǎn)程探測(cè)
14．1．2 信號(hào)情報(bào)（SIGINT）
14．2 太赫茲成像技術(shù)——系統(tǒng)基本操作原理
14．3 系統(tǒng)概念和實(shí)施策略
14．4 未來軍事安全應(yīng)用的思考及發(fā)展方向
14．5 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
附錄 圓桌研討會(huì)問答
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