第1章 緒論
第2章 晶體硅的結(jié)構(gòu)和基本物理化學(xué)性質(zhì)
2.1 硅的晶體結(jié)構(gòu)
2.1.1 化學(xué)鍵
2.1.2 晶體結(jié)構(gòu)
2.1.3 表面與界面結(jié)構(gòu)
2.2 晶體硅的基本物理化學(xué)性質(zhì)
第3章 半導(dǎo)體中的能帶與態(tài)密度
3.1 自由電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)
3.2 半導(dǎo)體的能帶
3.2.1 晶體能帶的形成
3.2.2 k空間的量子態(tài)分布
3.2.3 硅晶體的能帶結(jié)構(gòu)
3.3 半導(dǎo)體中的量子態(tài)
3.3.1 自由電子的能量與動(dòng)量之間的關(guān)系
3.3.2 半導(dǎo)體中電子的能量與動(dòng)量之間的關(guān)系
3.3.3 半導(dǎo)體中電子的平均速度和加速度
3.3.4 間接帶隙材料與直接帶隙材料
3.3.5 半導(dǎo)體能帶中的量子態(tài)密度
第4章 半導(dǎo)體中的載流子
4.1 波矢空間半導(dǎo)體載流子
4.1.1 波矢空間半導(dǎo)體載流子的統(tǒng)計(jì)分布
4.1.2 波矢空間半導(dǎo)體的載流子濃度和電流密度
4.2 平衡狀態(tài)下的載流子
4.2.1 本征半導(dǎo)體硅與非本征半導(dǎo)體硅
4.2.2 本征半導(dǎo)體中載流子濃度的統(tǒng)計(jì)分布
4.2.3 摻雜半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
4.2.4 n型半導(dǎo)體硅和p型半導(dǎo)體硅
4.2.5 摻雜半導(dǎo)體的多子濃度
4.2.6 摻雜半導(dǎo)體的少子濃度
4.2.7 重?fù)诫s簡(jiǎn)并半導(dǎo)體及其載流子濃度
4.3 準(zhǔn)平衡狀態(tài)下的載流子
4.3.1 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)
4.3.2 準(zhǔn)平衡狀態(tài)下載流子的統(tǒng)計(jì)分布
4.3.3 準(zhǔn)平衡狀態(tài)下載流子濃度
4.3.4 準(zhǔn)平衡狀態(tài)下電流密度
4.3.5 存在溫度梯度時(shí)的電流密度
第5章 半導(dǎo)體中載流子的輸運(yùn)
5.1 載流子的遷移率和漂移電流
5.2 半導(dǎo)體的電阻率
5.3 載流子的擴(kuò)散和擴(kuò)散電流
5.4 載流子的總電流密度
5.5 載流子的產(chǎn)生
5.5.1 熱平衡狀態(tài)下載流子的產(chǎn)生
5.5.2 光作用下載流子的產(chǎn)生
5.6 半導(dǎo)體中載流子的復(fù)合
5.6.1 直接復(fù)合
5.6.2 俄歇復(fù)合
5.6.3 缺陷復(fù)合
5.6.4 表面復(fù)合和晶界復(fù)合
5.6.5 輻照損傷導(dǎo)致的復(fù)合
5.6.6 半導(dǎo)體的總復(fù)合率
5.7 半導(dǎo)體內(nèi)載流子的輸運(yùn)方程
5.8 表面復(fù)合引起的界面電流
5.9 半導(dǎo)體隧穿效應(yīng)與隧穿電流
第6章 半導(dǎo)體pn結(jié)
6.1 半導(dǎo)體pn結(jié)的形成
6.1.1 pn結(jié)的形成和雜質(zhì)分布
6.1.2 pn結(jié)的能帶結(jié)構(gòu)
6.2 熱平衡狀態(tài)下的pn結(jié)
6.2.1 熱平衡狀態(tài)下pn結(jié)的費(fèi)米能級(jí)
6.2.2 pn結(jié)的內(nèi)建電勢(shì)
6.2.3 空間電荷區(qū)的寬度
6.2.4 突變結(jié)和單邊突變pn結(jié)
6.3 準(zhǔn)平衡狀態(tài)下的pn結(jié)
6.3.1 外加偏壓下pn結(jié)能帶結(jié)構(gòu)和耗盡層寬度
6.3.2 外加偏壓時(shí)pn結(jié)的電流-電壓特性
6.3.3 溫度對(duì)pn結(jié)電流的影響
6.4 pn結(jié)的結(jié)電容
6.5 濃度結(jié)
6.6 半導(dǎo)體pn結(jié)擊穿
6.6.1 半導(dǎo)體中規(guī)則形狀勢(shì)壘的隧穿效應(yīng)
6.6.2 半導(dǎo)體pn結(jié)的隧穿效應(yīng)擊穿
6.6.3 pn結(jié)的雪崩擊穿
6.6.4 熱電擊穿
第7章 晶體硅pn結(jié)太陽(yáng)電池
7.1 晶體硅太陽(yáng)電池的光伏效應(yīng)
7.2 基于等效電路的理想太陽(yáng)電池的輸出特性
7.2.1 電流-電壓特性
7.2.2 輸出功率、填充因子和光電轉(zhuǎn)換效率
7.3 基于微觀機(jī)理的理想太陽(yáng)電池輸出特性
7.3.1 太陽(yáng)電池n型區(qū)和p型區(qū)電場(chǎng)強(qiáng)度為恒定值時(shí)的光譜電流-電壓特性
7.3.2 太陽(yáng)電池n型區(qū)和p型區(qū)電場(chǎng)強(qiáng)度為恒定值時(shí)的全光譜電流-電壓特性
7.3.3 太陽(yáng)電池n型區(qū)和p型區(qū)的電場(chǎng)強(qiáng)度為零時(shí)的電流-電壓特性
7.3.4太陽(yáng)電池n型區(qū)和p型區(qū)的電場(chǎng)強(qiáng)度隨位置變化時(shí)的電流-電壓特性
7.4 表面復(fù)合對(duì)太陽(yáng)電池輸出特性的影響
7.5 準(zhǔn)實(shí)際太陽(yáng)電池的特性
7.5.1 影響理想太陽(yáng)電池性能的主要因素
7.5.2 準(zhǔn)實(shí)際太陽(yáng)電池的輸出特性
第8章 金屬-半導(dǎo)體（MS）結(jié)構(gòu)與MS太陽(yáng)電池
8.1 金屬-半導(dǎo)體接觸
8.1.1 金屬和半導(dǎo)體的功函數(shù)
8.1.2 肖特基勢(shì)壘
8.1.3 金屬-半導(dǎo)體接觸的電荷和電場(chǎng)分布
8.2 金屬-半導(dǎo)體接觸的整流特性
8.2.1 整流特性
8.2.2 熱電子發(fā)射機(jī)理
8.2.3 鏡像力引起的勢(shì)壘降低
8.3 金屬-半導(dǎo)體歐姆接觸
8.3.1 粒子隧穿非矩形勢(shì)壘的隧穿效應(yīng)
8.3.2 肖特基勢(shì)壘的隧穿電流
8.3.3 金屬-半導(dǎo)體的歐姆接觸
8.4 少子的擴(kuò)散電流
8.5 MS肖特基結(jié)太陽(yáng)電池
8.5.1 肖特基結(jié)太陽(yáng)電池的光伏效應(yīng)
8.5.2 光電流和光電壓
第9章 金屬-絕緣體-半導(dǎo)體（MIS）結(jié)構(gòu)與MIS太陽(yáng)電池
9.1 理想MIS結(jié)構(gòu)的能帶圖
9.1.1 理想晶體的表面態(tài)
9.1.2 MIS結(jié)構(gòu)
9.1.3 理想MIS結(jié)構(gòu)的能帶圖
9.2 理想MIS結(jié)構(gòu)的表面空間電荷
9.2.1 表面層的空間電荷密度與表面勢(shì)的關(guān)系
9.2.2 耗盡層寬度
9.2.3 深耗盡狀態(tài)
9.3 理想MIS結(jié)構(gòu)的電容特性
9.4 MIS結(jié)構(gòu)中的載流子輸運(yùn)
9.5 半導(dǎo)體表面層的電導(dǎo)和場(chǎng)效應(yīng)
9.5.1 半導(dǎo)體表面層的電導(dǎo)
9.5.2 表面載流子的有效遷移率
9.6 金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)
9.6.1 MOS結(jié)構(gòu)的功函數(shù)差
9.6.2 硅MOS結(jié)構(gòu)中的空間電荷
9.6.3 Si-SiO2界面處的界面態(tài)
9.6.4 氧化物電荷和功函數(shù)差對(duì)C-V曲線的影響
9.7 MIS結(jié)構(gòu)的隧穿效應(yīng)
9.7.1 粒子隧穿勢(shì)壘的量子傳輸系數(shù)
9.7.2 界面態(tài)及其模型
9.7.3 通過(guò)絕緣體勢(shì)壘和界面態(tài)的量子傳輸系數(shù)
9.7.4 隧穿俘獲截面和捕獲概率
9.8 界面態(tài)復(fù)合隧穿電流
9.8.1 半導(dǎo)體中電子的表面復(fù)合
9.8.2 金屬中電子的陷阱復(fù)合
9.8.3 界面態(tài)的占據(jù)率和隧穿電流
9.9 載流子通過(guò)絕緣體勢(shì)壘的隧穿電流
9.9.1 MIS結(jié)構(gòu)中的絕緣層
9.9.2 從半導(dǎo)體到金屬的隧穿電流
9.9.3 通過(guò)絕緣體的凈隧穿電流
9.10 MIS太陽(yáng)電池
9.10.1 MIS太陽(yáng)電池的能帶結(jié)構(gòu)
9.10.2 MIS太陽(yáng)電池絕緣體中的電壓降和電荷分布
9.10.3 MIS太陽(yáng)電池中的電流分量
9.10.4 MIS太陽(yáng)電池中的總電流
9.10.5 MIS太陽(yáng)電池的開路電壓
第10章 晶體硅異質(zhì)pn結(jié)太陽(yáng)電池
10.1 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)及其能帶圖結(jié)構(gòu)
10.2 突變異質(zhì)結(jié)的輸出特性
10.2.1 內(nèi)建電勢(shì)和勢(shì)壘寬度
10.2.2 結(jié)電容
10.2.3 異質(zhì)結(jié)的電流-電壓特性
10.3 異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池
10.3.1 異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)
10.3.2 異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池的光伏效應(yīng)
10.4 異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池n型區(qū)和p型區(qū)電場(chǎng)強(qiáng)度為恒定值時(shí)的輸出特性
10.4.1 光譜短路電流密度
10.4.2 光譜復(fù)合電流密度
10.4.3 異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池的總電流-電壓特性
10.5 異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池n型區(qū)和p型區(qū)電場(chǎng)強(qiáng)度為零時(shí)的電流-電壓特性
10.6 異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池的效率
10.7 硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池
10.7.1 HIT硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池
10.7.2 非晶硅和納米硅材料
10.7.3 n型晶體硅基底和p型晶體硅基底HIT太陽(yáng)電池
第11章 硅基太陽(yáng)電池的計(jì)算物理
11.1 太陽(yáng)電池?cái)?shù)值計(jì)算的物理模型
11.2 泊松方程
11.2.1 泊松方程中的靜電勢(shì)
11.2.2 泊松方程中的空間電荷密度
11.3 載流子的連續(xù)性方程
11.3.1 電子電流密度和空穴電流密度
11.3.2 光生載流子的產(chǎn)生率
11.3.3 載流子復(fù)合率
11.4 太陽(yáng)電池?cái)?shù)值模擬方法
11.4.1 數(shù)值模擬計(jì)算的一般概念
11.4.2 太陽(yáng)電池基本方程和邊界條件
11.4.3 數(shù)值計(jì)算方法的求解
11.4.4 數(shù)值模擬計(jì)算實(shí)例
11.4.5 改進(jìn)的模擬軟件wxAMPS
第12章 太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率
12.1 太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)換效率的極限
12.2 晶體硅太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)換效率的極限
12.2.1 晶體硅pn結(jié)太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)換效率的極限
12.2.2 硅基疊層太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)換效率的極限
12.3 影響太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)換效率的因素
12.3.1 光電轉(zhuǎn)換過(guò)程的能量損耗
12.3.2 影響太陽(yáng)電池性能參數(shù)的因素分析
12.3.3 高摻雜效應(yīng)對(duì)太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)換效率的影響
12.4 高效晶體硅太陽(yáng)電池實(shí)例
12.4.1 選擇性發(fā)射極(SE)太陽(yáng)電池
12.4.2 硅基異質(zhì)結(jié)（SHJ）太陽(yáng)電池
12.4.3 叉指式背接觸（IBC）太陽(yáng)電池
12.4.4 隧穿氧化層鈍化接觸（TOP-Con）太陽(yáng)電池
12.4.5 雙面太陽(yáng)電池及組件
12.4.6 發(fā)射極鈍化及背面局部擴(kuò)散(PERL)太陽(yáng)電池
12.4.7 黑硅太陽(yáng)電池
12.4.8 多種高效技術(shù)相結(jié)合的太陽(yáng)電池
12.4.9 疊瓦太陽(yáng)電池組件
第13章 聚光太陽(yáng)電池與叉指式背接觸（IBC）太陽(yáng)電池
13.1 聚光太陽(yáng)電池的特性
13.1.1 低聚光率的聚光太陽(yáng)電池
13.1.2 高聚光率的聚光太陽(yáng)電池
13.2 叉指式背接觸(IBC)太陽(yáng)電池
13.3 IBC 聚光太陽(yáng)電池一維模擬
13.3.1 太陽(yáng)電池的終端電流方程
13.3.2 高注入下的復(fù)合電流密度
13.3.3 高注入下的太陽(yáng)電池輸出特性
13.4 IBC 聚光太陽(yáng)電池三維模擬
13.4.1 太陽(yáng)電池的基本方程
13.4.2 終端電流的求解方法
13.4.3 終端電壓的求解方法
13.4.4 高注入下基區(qū)的輸運(yùn)方程
13.4.5 載流子復(fù)合電流的計(jì)算
13.4.6 基區(qū)載流子濃度的變分解
13.4.7 載流子濃度的計(jì)算
13.4.8 終端輸出電流的計(jì)算
13.4.9 終端電壓的計(jì)算
13.4.10 數(shù)值模擬計(jì)算
13.5 太陽(yáng)電池邊角部位的復(fù)合和最佳邊緣距離
第14章 晶體硅太陽(yáng)電池的優(yōu)化設(shè)計(jì)
14.1 晶體硅太陽(yáng)電池優(yōu)化設(shè)計(jì)的幾項(xiàng)基礎(chǔ)算式
14.1.1 太陽(yáng)電池最佳功率點(diǎn)電壓和電流的解析表達(dá)式
14.1.2 入射光子通量密度和硅的光譜吸收系數(shù)的近似表達(dá)式
14.1.3 晶體硅禁帶的變形
14.1.4 半導(dǎo)體-柵極接觸電阻
14.2 基于遺傳算法的太陽(yáng)電池優(yōu)化設(shè)計(jì)
14.2.1 太陽(yáng)電池終端輸出的基本方程
14.2.2 太陽(yáng)電池中與柵極相關(guān)的功率損耗
14.2.3 基于遺傳算法的太陽(yáng)電池優(yōu)化設(shè)計(jì)
14.3 基于變分法計(jì)算的聚光太陽(yáng)電池幾何參數(shù)的優(yōu)化
14.3.1 太陽(yáng)電池的準(zhǔn)一維模型
14.3.2 太陽(yáng)電池中與柵極相關(guān)的功率損耗
14.3.3 基于變分法計(jì)算的太陽(yáng)電池柵極參數(shù)的優(yōu)化
第15章 納米碳/硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池
15.1 碳納米管/硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池
15.1.1 碳納米管/硅太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)和制備
15.1.2 SWCNT/Si太陽(yáng)電池的光電特性
15.2 石墨烯及其電學(xué)性質(zhì)
15.2.1 石墨烯的晶體結(jié)構(gòu)及其能帶結(jié)構(gòu)
15.2.2 電子緊束縛近似
15.2.3 在緊束縛近似下石墨烯的哈密頓量
15.2.4 石墨烯納米帶的能帶結(jié)構(gòu)
15.2.5 石墨烯納米帶的電學(xué)特性
15.3 化學(xué)氣相沉積石墨烯/硅太陽(yáng)電池
15.3.1 石墨烯與石墨烯/硅太陽(yáng)電池的制備
15.3.2 石墨烯與石墨烯/硅太陽(yáng)電池的性能分析
15.4 具有氧化物界面層的石墨烯/硅太陽(yáng)電池
15.4.1 具有氧化物界面層的石墨烯/硅太陽(yáng)電池的制備
15.4.2 具有氧化物層的石墨烯/硅太陽(yáng)電池的性能分析
15.5 納米碳/硅太陽(yáng)電池的研究課題
第16章 鈣鈦礦/硅串聯(lián)太陽(yáng)電池
16.1 鈣鈦礦和鈣鈦礦太陽(yáng)電池
16.1.1 鈣鈦礦
16.1.2 鈣鈦礦太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)和制造
16.2 鈣鈦礦太陽(yáng)電池的計(jì)算物理
16.2.1 本征吸收層鈣鈦礦太陽(yáng)電池
16.2.2 自摻雜吸收層鈣鈦礦太陽(yáng)電池
16.2.3 擬合算法
16.2.4 數(shù)值模擬結(jié)果
16.3 鈣鈦礦/硅串聯(lián)太陽(yáng)電池的計(jì)算物理
16.3.1 鈣鈦礦/硅串聯(lián)太陽(yáng)電池的物理模型
16.3.2 鈣鈦礦/硅串聯(lián)太陽(yáng)電池的模擬計(jì)算
16.4 具有織構(gòu)表面的太陽(yáng)電池的光學(xué)傳輸特性
16.4.1 朗伯分布時(shí)的光傳輸
16.4.2 非朗伯分布時(shí)的光傳輸
16.5 鈣鈦礦/硅串聯(lián)太陽(yáng)電池的光學(xué)傳輸物理模型和數(shù)值模擬
16.5.1 4T和2T太陽(yáng)電池的光學(xué)傳輸物理模型
16.5.2 4T和2T太陽(yáng)電池的數(shù)值模擬計(jì)算
16.5.3 3T太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)和數(shù)值模擬
16.6 對(duì)于鈣鈦礦/硅串聯(lián)太陽(yáng)電池需要進(jìn)一步研究的主要課題
第17章 太陽(yáng)電池?zé)嵛锢矸治?br> 17.1 輻射及其化學(xué)勢(shì)
17.2 基于輻射熱力學(xué)的太陽(yáng)電池電流-電壓特性
17.3 太陽(yáng)電池性能的熱力學(xué)分析
17.4 熱載流子太陽(yáng)電池
附錄A 太陽(yáng)電池n型區(qū)和p型區(qū)的輸出特性
A.1 電流密度的連續(xù)性方程
A.1.1 連續(xù)性方程
A.1.2 邊界條件
A.1.3 載流子產(chǎn)生率
A.1.4 二階常系數(shù)線性非齊次微分方程求解方法
A.2 n型區(qū)的空穴濃度和電流密度
A.3 p型區(qū)的電子濃度和電流密度
附錄B 耗盡區(qū)中通過(guò)缺陷態(tài)復(fù)合中心的復(fù)合電流
附錄C 準(zhǔn)中性區(qū)中電場(chǎng)非均勻分布時(shí)載流子電流的近似計(jì)算方法
附錄D 部分符號(hào)表
附錄E 物理常數(shù)
附錄F 硅的物理化學(xué)性質(zhì)
附錄G 國(guó)際單位制
附錄H 關(guān)于“Solar cell”名詞的翻譯