全書內(nèi)容共分六章。前三章著重講解界面研究的基礎(chǔ)，即界面熱力學(xué)、界面結(jié)構(gòu)和界面電子狀態(tài)；第四和第五章介紹界面的一些基本過程，如吸附與偏析、界面形核與長(zhǎng)大；第六章介紹界面的工程應(yīng)用。

第1章 界面熱力學(xué)
1.1 界面能與體系熱力學(xué)參數(shù)的關(guān)系
1.2 界面區(qū)的物質(zhì)特性
1.3 界面曲率半徑對(duì)兩相平衡體系物理參量的影響
1.4 合金在平衡條件下的界面及顯微組織
l.4.1 單相合金的界面及其組織
1.4.2 復(fù)相合金的界面及其組織
1.4.3 三相界面交界處的界面張力平衡
1.5 界面能各向異性對(duì)晶體形貌和顯微組織的影響
1.5.1 γ能級(jí)圖和wulff結(jié)構(gòu)
1.5.2 界面的刻面化和界面的轉(zhuǎn)動(dòng)
1.5.3 基體中第二相的平衡形貌
1.5.4 Wulff法則
1.5.5 溫度對(duì)平衡形狀wulff結(jié)構(gòu)的影響
1.6 小尺度材料表面誘發(fā)的尺寸效應(yīng)
1.6.1 鏡像力
1.6.2 材料力學(xué)行為對(duì)外在尺寸的依賴性
思考題
本章參考文獻(xiàn)
本章附錄I 蒸汽相飽和蒸汽壓與界面曲率半徑的關(guān)系
本章附錄Ⅱ 溶質(zhì)飽和濃度與界面曲率半徑的關(guān)系
第2章 界面結(jié)構(gòu)
2.1 晶界研究的歷史回顧
2.2 任意晶界的宏觀幾何自由度
2.3 小角晶界的位錯(cuò)模型
2.3.1 Bilby-Frank公式
2.3.2 描述小角晶界位錯(cuò)分布的方程及其應(yīng)用
2.3.3 小角晶界能
2.4 大角晶界結(jié)構(gòu)
2.4.1 晶體學(xué)幾何模型
2.4.2 大角晶界結(jié)構(gòu)的描述
2.4.3 大角晶界能
2.5 孿晶界面
2.5.1 孿生的晶體學(xué)
2.5.2 孿生時(shí)的原子移動(dòng)
2.6 堆垛層錯(cuò)
2.7 反相疇界
2.8 相界面
2.8.1 相界面的結(jié)合模型
2.8.2 界面位錯(cuò)觀察
思考題
本章參考文獻(xiàn)
本章附錄立方晶系一些不同□值的CSL轉(zhuǎn)換矩陣
第3章 界面的電子狀態(tài)
3.1 表面電子態(tài)
3.1.1 表面電子態(tài)的產(chǎn)生及其特征
3.1.2 表面電子態(tài)的經(jīng)典模型及理論計(jì)算
3.1.3 表面電子態(tài)的種類
3.1.4 局域態(tài)密度
3.1.5 清潔表面的電子結(jié)構(gòu)
3.1.6 表面空間電荷層的形成及表面能帶的彎曲
3.2 金屬-半導(dǎo)體界面態(tài)
3.2.1 導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)的區(qū)別
3.2.2 肖特基勢(shì)壘
3.2.3 Bardeen模型
3.2.4 金屬誘生能隙態(tài)
3.2.5 金屬覆蓋率對(duì)肖特基勢(shì)壘的影響
3.2.6 外加電壓對(duì)肖特基勢(shì)壘的影響
3.2.7 金屬-半導(dǎo)體接觸的電流輸運(yùn)機(jī)制
3.2.8 金屬-半導(dǎo)體接觸的電學(xué)特性表征與測(cè)量
3.2.9 Si的肖特基勢(shì)壘
3.2.10 金屬-半導(dǎo)體界面的原子結(jié)構(gòu)
思考題
本章參考文獻(xiàn)
第4章 界面吸附和偏析
4.1 氣固吸附和界面偏析
4.1.1 氣固吸附
4.1.2 界面偏析
4.2 宏觀唯象理論
4.3 吸附的電子態(tài)理論
4.3.1 Lennard-Jones模型
4.3.2 吸附物誘導(dǎo)的功函數(shù)變化
4.3.3 吸附力能學(xué)
4.3.4 吸附動(dòng)力學(xué)
4.4 吸附的統(tǒng)計(jì)理論
4.5 常用氣體在金屬表面上的吸附
4.5.1 氫的吸附
4.5.2 氮的吸附
4.5.3 氧的吸附
4.5.4 一氧化碳的吸附
4.5.5 二氧化碳的吸附
4.5.6 碳?xì)浠�合物的吸�?br>思考題
本章參考文獻(xiàn)
第5章 界面形核與長(zhǎng)大
5.1 相變驅(qū)動(dòng)力與形核驅(qū)動(dòng)力
5.1.1 相變驅(qū)動(dòng)力
5.1.2 形核驅(qū)動(dòng)力
5.2 界面的擴(kuò)散形核
5.2.1 均勻形核
5.2.2 非均勻形核
5.3 新相長(zhǎng)大
5.3.1 界面過程控制的新相長(zhǎng)大
5.3.2 長(zhǎng)程擴(kuò)散控制的新相長(zhǎng)大
5.3.3 析出相的聚集(粗化)
思考題
本章參考文獻(xiàn)
第6章 界面的工程應(yīng)用
6.1 晶界工程
6.1.1 特殊晶界
6.1.2 晶界工程的定義
6.1.3 晶界工程的分類
6.1.4 實(shí)現(xiàn)基于退火孿晶晶界工程的途徑
6.1.5 基于退火孿晶的晶界工程優(yōu)化機(jī)制模型
6.1.6 基于退火孿晶的晶界工程應(yīng)用實(shí)例
6.2 相界面
6.2.1 相界面分類
6.2.2 相界面工程應(yīng)用實(shí)例
6.3 金屬基復(fù)合材料界面
6.3.1 金屬基復(fù)合材料界面類型
6.3.2 金屬基復(fù)合材料界面結(jié)合形式
6.3.3 金屬基復(fù)合材料界面反應(yīng)
6.3.4 金屬基復(fù)合材料界面工程應(yīng)用實(shí)例
思考題
本章參考文獻(xiàn)