高等職業(yè)教育機(jī)電類(lèi)專(zhuān)業(yè)“十一五”規(guī)劃教材：模擬電子技術(shù)
定 價(jià)：28 元
- 作者：汪濤 ，王爽 編
- 出版時(shí)間：2010/1/1
- ISBN：9787118066647
- 出 版 社：國(guó)防工業(yè)出版社
- 中圖法分類(lèi)：TN01
- 頁(yè)碼：217
- 紙張：膠版紙
- 版次：1
- 開(kāi)本：16開(kāi)
《模擬電子技術(shù)》共分9章，第1章為半導(dǎo)體二極管及其基本應(yīng)用電路分析，第2章為晶體三極管及其基本放大電路，第3章為場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路，第4章為多級(jí)放大電路，第5章為負(fù)反饋放大電路，第6章為集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用，第7章為信號(hào)發(fā)生電路，第8章為低頻功率放大電路，第9章為直流穩(wěn)壓電源。
《模擬電子技術(shù)》可作為高職高專(zhuān)與成人教育機(jī)電類(lèi)、電子類(lèi)、電氣類(lèi)、通信類(lèi)及自動(dòng)控制類(lèi)等專(zhuān)業(yè)的教材，也可作為中職、社會(huì)培訓(xùn)、考證機(jī)構(gòu)、工程技術(shù)人員和相關(guān)專(zhuān)業(yè)自學(xué)考試的教材或參考用書(shū)。
本書(shū)遵照教育部提出的以就業(yè)為導(dǎo)向、高職高專(zhuān)教育從專(zhuān)業(yè)本位向職業(yè)崗位和就業(yè)為本轉(zhuǎn)變的指導(dǎo)思想，在編寫(xiě)的過(guò)程中力求按照由淺入深、由易到難、由簡(jiǎn)到繁、循序漸進(jìn)的順序，在保證必要的基本理論、基本知識(shí)、基本分析方法和技能的基礎(chǔ)上，強(qiáng)調(diào)知識(shí)的深度與廣度的結(jié)合；注重內(nèi)容的精選，突出重點(diǎn)；講解上盡量減少理論的推導(dǎo)，力求通俗易懂，強(qiáng)調(diào)知識(shí)的應(yīng)用；每章開(kāi)始部分都有本章的學(xué)習(xí)目標(biāo)，結(jié)尾有本章小結(jié)和思考與練習(xí)題，以幫助讀者加深對(duì)知識(shí)的理解與應(yīng)用，提高分析問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力。
本書(shū)由汪濤、王爽擔(dān)任主編，汪濤負(fù)責(zé)全書(shū)的規(guī)劃、組織、統(tǒng)稿和審稿，李德明、奚洋、王博擔(dān)任副主編。湖北成寧職業(yè)技術(shù)學(xué)院副院長(zhǎng)張業(yè)明副教授、孫官武高級(jí)教師擔(dān)任主審，為本書(shū)提出了不少寶貴意見(jiàn)。本書(shū)在編寫(xiě)過(guò)程中得到了以下領(lǐng)導(dǎo)和老師們的大力支持與幫助：成寧職業(yè)技術(shù)學(xué)院副院長(zhǎng)吳高嶺教授、方新平副教授、余佑財(cái)副教授、吳濤和江喜娥老師；合肥通用職業(yè)技術(shù)學(xué)院吳秣陵副教授、陳棟高級(jí)工程師和吳金權(quán)老師。
全書(shū)具體編寫(xiě)工作分配如下：成寧職業(yè)技術(shù)學(xué)院汪濤編寫(xiě)第1章、第3章、第6章中第3節(jié)和第4節(jié)，合肥通用職業(yè)技術(shù)學(xué)院王爽編寫(xiě)第7章、第8章、第6章第1節(jié)，湖北長(zhǎng)江職業(yè)技術(shù)學(xué)院李德明編寫(xiě)第4章、第5章，咸寧職業(yè)技術(shù)學(xué)院奚洋編寫(xiě)第2章、第6章第2節(jié)，咸寧職業(yè)技術(shù)學(xué)院王博編寫(xiě)第9章。
第1章 半導(dǎo)體二極管及其基本應(yīng)用電路分析
1.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)
1.1.1 本征半導(dǎo)體
1.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體
1.1.3 PN結(jié)及其特性
1.2 半導(dǎo)體二極管
1.2.1 二極管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)
1.2.2 二極管的特性
1.2.3 二極管的主要參數(shù)
1.2.4 二極管的識(shí)別與檢測(cè)
1.3 半導(dǎo)體二極管的電路模型分析
1.4 半導(dǎo)體二極管的基本應(yīng)用
1.4.1 二極管限幅電路
1.4.2 二極管門(mén)電路
1.5 特殊二極管
1.5.1 穩(wěn)壓二極管
1.5.2 發(fā)光二極管
1.5.3 光電二極管
1.5.4 光電耦合器件
1.5.5 變?nèi)荻䴓O管
本章小結(jié)
思考與練習(xí)題
第2章 晶體三極管及其基本放大電路
2.1 晶體三極管
2.1.1 晶體三極管的結(jié)構(gòu)和放大原理
2.1.2 晶體三極管的特性曲線
2.1.3 晶體三極管的主要參數(shù)
2.1.4 晶體三極管的命名與引腳識(shí)別
2.2 共發(fā)射極基本放大電路
2.2.1 共發(fā)射極基本放大電路的組成
2.2.2 共發(fā)射極基本放大電路的靜態(tài)分析
2.2.3 共發(fā)射極基本放大電路的動(dòng)態(tài)分析
2.3 靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定及其偏置電路
2.3.1 溫度對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響
2.3.2 分壓式偏置共射極放大電路
2.4 共集電極放大電路
2.4.1 靜態(tài)分析
2.4.2 動(dòng)態(tài)分析
2.5 共基極放大電路
2.5.1 靜態(tài)分析
2.5.2 動(dòng)態(tài)分析
2.5.3 三種基本放大電路的比較
本章小結(jié)
思考與練習(xí)題
第3章 場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路
3.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管
3.1.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)
3.1.2 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理和特性曲線
3.2 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管
3.2.1 N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管
3.2.2 N溝道耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管
3.2.3 P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管
3.3 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)及使用注意事項(xiàng)
3.3.1 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)
3.3.2 使用場(chǎng)效應(yīng)管的注意事項(xiàng)
3.4 場(chǎng)效應(yīng)管與三極管的比較
3.5 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路
3.5.1 共源極基本放大電路
3.5.2 共漏極基本放大電路
本章小結(jié)
思考與練習(xí)題
第4章 多級(jí)放大電路
4.1 多級(jí)放大電路的組成與耦合方式
4.1.1 多級(jí)放大電路的組成
4.1.2 多級(jí)放大電路的耦合方式
4.2 多級(jí)放大電路的分析
4.2.1 多級(jí)放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)分析
4.2.2 多級(jí)放大電路的動(dòng)態(tài)分析
4.3 放大電路的頻率特性
4.3.1 頻率響應(yīng)的概念
4.3.2 單級(jí)阻容耦合放大電路的頻率特性
4.3.3 多級(jí)放大電路的頻率特性
本章小結(jié)
思考與練習(xí)題
第5章 負(fù)反饋放大電路
5.1 反饋的基本概念
5.1.1 反饋的概念
5.1.2 反饋放大電路的基本關(guān)系式
5.2 放大電路中反饋類(lèi)型的判斷
5.2.1 正、負(fù)反饋及其判定方法
5.2.2 直流反饋和交流反饋
5.2.3 電壓反饋和電流反饋
5.2.4 串聯(lián)反饋和并聯(lián)反饋
5.2.5 交流負(fù)反饋放大電路的四種組態(tài)
5.3 負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響
5.3.1 減小環(huán)路內(nèi)的非線性失真
5.3.2 提高增益的穩(wěn)定性
5.3.3 擴(kuò)展通頻帶
5.3.4 改變輸入電阻和輸出電阻
5.3.5 放大電路引入負(fù)反饋的一般原則
5.4 深度負(fù)反饋放大電路的估算
5.4.1 深度負(fù)反饋的特點(diǎn)
5.4.2 深度負(fù)反饋放大電路的參數(shù)估算
本章小結(jié)
思考與練習(xí)題
第6章 集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用
6.1 差分放大電路
6.1.1 零點(diǎn)漂移
6.1.2 基本差分放大電路
6.1.3 長(zhǎng)尾式差分放大電路
6.1.4 具有調(diào)零電路的差分放大電路
6.1.5 差分放大電路的四種接法
6.2 集成運(yùn)算放大器
6.2.1 集成運(yùn)放的組成、符號(hào)及外形
6.2.2 集成運(yùn)放的種類(lèi)
6.2.3 集成運(yùn)放的主要參數(shù)
6.2.4 理想集成運(yùn)放的性能指標(biāo)
6.2.5 集成運(yùn)放的電壓傳輸特性
6.3 集成運(yùn)算放大器的線性應(yīng)用
6.3.1 比例運(yùn)算電路
6.3.2 法運(yùn)算電路
6.3.3 減法運(yùn)算電路
6.3.4 積分與微分電路
6.4 有源濾波器
6.4.1 基本概念
6.4.2 低通濾波器
6.4.3 高通濾波器
6.4.4 帶通濾波器和帶阻濾波器
本章小結(jié)
思考與練習(xí)題
第7章 信號(hào)發(fā)生電路
7.1 E弦波振蕩電路
7.1.1 正弦波振蕩電路的基本概念
……
第8章 低頻功率放大電路
第9章 直流穩(wěn)壓電源
參考文獻(xiàn)
自由電子和空穴既產(chǎn)生又復(fù)合，最終達(dá)到相對(duì)的動(dòng)態(tài)平衡。從宏觀上看兩種載流子的濃度保持定值并且相等。但是這個(gè)定值與溫度有關(guān)，當(dāng)溫度發(fā)生變化時(shí)，即在新的動(dòng)態(tài)平衡狀態(tài)下，它將保持新的定值。
1.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體
在本征半導(dǎo)體中摻入不同的微量元素就會(huì)得到導(dǎo)電性質(zhì)不同的半導(dǎo)體材料。根據(jù)半導(dǎo)體摻雜特性的不同，可制成N型和P型雜質(zhì)半導(dǎo)體。
1.N型半導(dǎo)體
如果在本征半導(dǎo)體硅或鍺的晶體中摻人微量的五價(jià)元素（如磷），那么半導(dǎo)體內(nèi)部的自由電子數(shù)量將增加成千上萬(wàn)倍，導(dǎo)電能力大幅提高，這類(lèi)雜質(zhì)半導(dǎo)體稱(chēng)為N型半導(dǎo)體，也稱(chēng)為電子型半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中，自由電子成為半導(dǎo)體導(dǎo)電的多數(shù)載流子（簡(jiǎn)稱(chēng)多子），空穴成為少數(shù)載流子（簡(jiǎn)稱(chēng)少子）。就整塊半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，它既沒(méi)有失去電子也沒(méi)有得到電子，所以也呈電中性。
2.P型半導(dǎo)體
如果在本征半導(dǎo)體硅或鍺的晶體中摻人微量的三價(jià)元素（如硼），那么半導(dǎo)體內(nèi)部空穴的數(shù)量將增加成千上萬(wàn)倍，其導(dǎo)電能力也將大幅提高。這類(lèi)雜質(zhì)半導(dǎo)體稱(chēng)為P型半導(dǎo)體，也稱(chēng)為空穴型半導(dǎo)體。在P型半導(dǎo)體中，空穴成為半導(dǎo)體導(dǎo)電的多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。就整塊半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，它既沒(méi)有失去電子也沒(méi)有得到電子，所以呈電中性。
由上述分析可知，雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能主要由多數(shù)載流子濃度決定，而多數(shù)載流子主要由摻雜產(chǎn)生，所以多數(shù)載流子濃度取決于摻雜濃度，其值相對(duì)較大，它基本上不受溫度影響。而少數(shù)載流子由本征激發(fā)產(chǎn)生，其數(shù)量與溫度有關(guān)，溫度越高，其值就越大，反之就越小。
1.1.3 PN結(jié)及其特性
1.PN結(jié)的形成
將N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體通過(guò)特殊的工藝結(jié)合在一起，則在這兩種半導(dǎo)體的交界面形成一個(gè)極薄的特殊層，這個(gè)薄層就是PN結(jié)。由于P型半導(dǎo)體中空穴濃度高、電子濃度低，而N型半導(dǎo)體中電子濃度高、空穴濃度低，因此在交界面附近電子和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴(kuò)散。P區(qū)的空穴要擴(kuò)散到N區(qū)，并與N區(qū)的電子復(fù)合，在P區(qū)一側(cè)就留下了不能移動(dòng)的負(fù)離子空間電荷區(qū)。同樣，N區(qū)的電子要擴(kuò)散到P區(qū)，并與P區(qū)的空穴復(fù)合，在N區(qū)一側(cè)就留下了不能移動(dòng)的正離子空間電荷區(qū)，如圖1-4所示。這樣在兩種半導(dǎo)體的交界面就形成了一個(gè)不能移動(dòng)的正負(fù)離子空間電荷區(qū)。
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