第一章 GaN襯底體材料市場的發(fā)展
1.1 引言
1.2 III族氮化物器件的市場驅(qū)動力和展望
1.3體GaN襯底材料的優(yōu)勢和重要性
1.4 體GaN襯底上GaN器件的發(fā)展趨勢
1.5體GaN襯底的發(fā)展趨勢
1.6 小結(jié)
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第二章 GaN的氫化物氣相外延生長技術(shù)
2.1 引言
2.2 HVPE法生長GaN的熱力學(xué)分析
2.3 GaAs(100)襯底上的立方GaN生長
2.4 生長在GaAs（111）A和（111）B襯底上GaN性質(zhì)的比較
2.5 GaAs(111)A和(111)B面上生長GaN初始生長過程的Ab Initio計算
2.6 GaAs(111)A襯底上厚GaN層的生長
2.7 Fe摻雜半絕緣GaN襯底的制備
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第三章 HVPE法在GaN單晶上生長體GaN
3.1 引言
3.2 實驗過程
3.3 實驗結(jié)果
3.4 結(jié)論
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第四章利用空洞輔助分離的HVPE生長自支撐GaN晶片
4.1 引言
4.2 HVPE-VAS技術(shù)概要
4.3 多孔TiN薄膜的GaN模板制備
4.4 GaN模板上多孔TiN薄膜的HVPE生長
4.5 HVPE-VAS技術(shù)制備GaN晶片的性能
4.6 小結(jié)
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第五章非極性/半極性GaN的HVPE生長法
5.1引言
5.2 異質(zhì)外延生長薄膜及襯底的選擇
5.3 極性/半極性GaN的橫向過生長技術(shù)
5.4 結(jié)論及展望
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第六章 MOVPE高生長速率技術(shù)
6.1 引言
6.2 傳統(tǒng)MOVPE生長AlGaN和GaN的特性
6.3 氣相反應(yīng)的量子化學(xué)研究
6.4 GaN高生長速率的高流速反應(yīng)器生長
6.5 討論和總結(jié)
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第七章氨堿條件下GaN的氨熱生長技術(shù)
7.1 引言
7.2 生長方法
7.3 晶體表征
7.4 氨熱法同質(zhì)外延生長GaN
7.5 結(jié)論
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第八章氨熱法生長體GaN
8.1 引言
8.2 礦化劑對氨熱法合成GaN的影響
8.3 GaN在氨堿溶液中的溶解度
8.4 金屬Ga為反應(yīng)物的GaN籽晶生長
8.5 多晶GaN作為反應(yīng)物的GaN籽晶生長
8.6 體GaN的生長及晶圓的切片
8.7 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第九章酸性氨熱法生長GaN工藝
9.1 簡介
9.2 酸性氨熱法生長GaN工藝簡史
9.3 生長工藝
9.4 溶液化學(xué)性質(zhì)和生長機(jī)制
9.5 氨熱法制GaN的特性
9.6 氨熱法生長GaN的未來發(fā)展前景
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第十章高壓溶液生長GaN
10.1 簡介
10.2 生長方法
10.3 HPS生長法自發(fā)結(jié)晶
10.4 HPS法生長GaN籽晶
10.5 壓生GaN襯底的應(yīng)用: TopGaN Ltd的藍(lán)激光二極管
10.6 HPS生長方法綜述與展望
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第十一章鈉流法生長大尺寸GaN晶體的簡要回顧
11.1 簡介
11.2 鈉流法歷史發(fā)展簡述
11.3 鈉流法液相外延生長GaN的實驗條件
11.4 生長機(jī)制和位錯
11.5 GaN屬性
11.6 鈉流法的工業(yè)潛力
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第十二章低壓液態(tài)法生長GaN
12.1 簡介
12.2 在常壓下溶液生長技術(shù)，LPSG法
12.3 GaN層的結(jié)構(gòu)和形貌演變
12.4 LPSG GaN材料的特性
12.5 總結(jié)和展望
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第十三章 GaN襯底的光學(xué)性質(zhì)
13.1 簡介
13.2 金屬有機(jī)氣相外延和鹵化物氣相外延生長GaN襯底的光學(xué)性質(zhì)
13.3 氨熱法極性方向生長對籽晶GaN襯底光學(xué)性能的影響
13.4 位錯彎曲對氨熱法制GaN籽晶襯底光學(xué)屬性的影響
13.5 總結(jié)
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第十四章基于正電子湮滅光譜學(xué)研究體GaN的點缺陷和雜質(zhì)
14.1 簡介
14.2 正電子湮滅光譜學(xué)
14.3 In-Grown Defects缺陷的生長
14.4 缺陷機(jī)制
14.5 總結(jié)
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