第1章 概況 1.1研究背景 1.1.1技術(shù)發(fā)展概況 1.1.2產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀 1.1.3產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢 1.2研究對象和方法 1.2.1研究對象 1.2.2研究方法 1.2.3相關(guān)事項和約定 第2章 專利壁壘指數(shù)模型研究 2.1研究意義 2.2研究對象 2.3研究優(yōu)勢 2.4專利壁壘指數(shù)模型 2.4.1建立流程 2.4.2相關(guān)因素 第3章 高端光刻機全球競爭情報分析 3.1高端光刻機專利總體競爭態(tài)勢 3.1.1總體申請趨勢 3.1.2原創(chuàng)目標國家地區(qū)專利申請分布 3.1.3重要申請人分析 3.2全球科技文獻技術(shù)情報分析 3.3各領(lǐng)域申請趨勢及布局趨勢分析 3.3.1曝光系統(tǒng) 3.3.2工件臺及測量系統(tǒng) 3.3.3環(huán)境與真空 3.4ASML專利分析 3.4.1ASML成長經(jīng)歷 3.4.2ASML專利申請與布局 3.4.3ASML科技文獻信息分析 3.5中國申請人專利分析 3.5.1專利申請趨勢分析 3.5.2申請人構(gòu)成分析 3.5.3申請人的各技術(shù)分支申請分布 3.5.4重要申請人分析 3.6本章小結(jié) 第4章 EUV光源專利分析 4.1EUV光源技術(shù)介紹 4.2專利競爭態(tài)勢分析 4.2.1申請態(tài)勢 4.2.2專利區(qū)域分布 4.2.3重要申請人分析 4.3技術(shù)路線分析 4.3.1提高轉(zhuǎn)換效率 4.3.2減少污染 4.3.3提高穩(wěn)定性 4.4重要專利技術(shù)介紹 4.5全球科技文獻情報分析 4.5.1EUV光源提高轉(zhuǎn)換效率 4.5.2防止EUV光源污染 4.5.3提高穩(wěn)定性 4.5.4全球科技文獻情報分析小結(jié) 4.6技術(shù)發(fā)展趨勢預(yù)測 4.7專利壁壘研究 4.8技術(shù)未來發(fā)展預(yù)測與中國技術(shù)發(fā)展路線 4.8.1借鑒G公司準分子激光器技術(shù)可行性分析 4.8.2人才戰(zhàn)略資源導(dǎo)航 4.8.3專利可利用性淺析 4.9本章小結(jié) 第5章 投影物鏡專利分析 5.1投影物鏡技術(shù)介紹 5.2專利競爭態(tài)勢分析 5.2.1申請態(tài)勢 5.2.2專利區(qū)域分布 5.2.3主要申請人分析 5.3技術(shù)路線分析 5.3.1膜層設(shè)計 5.3.2多鏡投影物鏡系統(tǒng)整體設(shè)計 5.4重要專利技術(shù)介紹 5.5全球科技文獻情報分析 5.6技術(shù)發(fā)展趨勢預(yù)測 5.7投影物鏡專利壁壘研究 5.8反射鏡鍍膜專利技術(shù)的充分利用 5.9本章小結(jié) 第6章 主要結(jié)論和建議 6.1主要結(jié)論 6.2主要建議 附錄 附錄1申請人名稱約定表 附錄2EUV光刻機重要專利列表 附錄3可被借鑒的部分專利列表 圖索引 表索引