前 言
第1章 集成電路芯片制程簡(jiǎn)介1
1.1 集成電路芯片概述1
1.1.1 集成電路芯片的發(fā)展1
1.1.2 集成電路的未來發(fā)展趨勢(shì)4
1.2 集成電路芯片工藝流程5
1.2.1 集成電路芯片前道制程
工藝6
1.2.2 集成電路芯片后道制程
工藝9
1.3 全球集成電路芯片制程設(shè)備市場(chǎng)
總體概述10
1.3.1 國(guó)外市場(chǎng)分析11
1.3.2 國(guó)內(nèi)市場(chǎng)分析15
1.3.3 半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展前景
展望19
參考文獻(xiàn)20
第2章 晶圓制備設(shè)備23
2.1 單晶生長(zhǎng)設(shè)備23
2.1.1 單晶生長(zhǎng)設(shè)備原理24
2.1.2 單晶生長(zhǎng)設(shè)備發(fā)展26
2.1.3 單晶生長(zhǎng)設(shè)備國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)
分析26
2.2 晶片切割設(shè)備30
2.2.1 晶片切割設(shè)備原理31
2.2.2 晶片切割設(shè)備發(fā)展32
2.2.3 晶片切割設(shè)備國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)
分析32
2.3 晶圓清洗設(shè)備37
2.3.1 晶圓清洗設(shè)備原理37
2.3.2 晶圓清洗設(shè)備發(fā)展39
2.3.3 晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)分析41
2.4 本章小結(jié)46
參考文獻(xiàn)47
第3章 熱工藝設(shè)備50
3.1 熱氧化相關(guān)原理50
3.2 擴(kuò)散相關(guān)原理53
3.3 退火相關(guān)原理55
3.4 熱工藝設(shè)備結(jié)構(gòu)及原理55
3.4.1 立式爐55
3.4.2 臥式爐58
3.4.3 快速熱處理設(shè)備61
3.5 國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)分析63
3.5.1 熱工藝設(shè)備市場(chǎng)概述63
3.5.2 國(guó)外相關(guān)設(shè)備概述65
3.5.3 國(guó)內(nèi)相關(guān)設(shè)備概述66
3.6 本章小結(jié)68
參考文獻(xiàn)69
第4章 光刻及光刻設(shè)備71
4.1 光刻原理71
4.2 光刻耗材74
4.2.1 光刻膠74
4.2.2 顯影液75
4.2.3 掩模版75
4.3 光刻機(jī)分類76
4.4 光刻機(jī)原理77
4.5 光刻機(jī)演變史79
4.5.1 國(guó)外光刻機(jī)發(fā)展史80
4.5.2 中國(guó)光刻機(jī)發(fā)展史81
目錄一本書讀懂芯片制程設(shè)備 4.6 國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)分析83
4.6.1 國(guó)外相關(guān)設(shè)備概述84
4.6.2 國(guó)內(nèi)光刻市場(chǎng)概述88
4.7 本章小結(jié)89
參考文獻(xiàn)90
第5章 刻蝕設(shè)備94
5.1 原理介紹94
5.1.1 濕法刻蝕原理95
5.1.2 干法刻蝕原理97
5.2 刻蝕設(shè)備99
5.2.1 干法刻蝕設(shè)備原理99
5.2.2 干法刻蝕設(shè)備發(fā)展104
5.3 國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)分析107
5.3.1 刻蝕設(shè)備市場(chǎng)概述108
5.3.2 國(guó)外刻蝕設(shè)備市場(chǎng)分析109
5.3.3 國(guó)內(nèi)刻蝕設(shè)備市場(chǎng)分析114
5.4 本章小結(jié)119
參考文獻(xiàn)119
第6章 離子注入機(jī)122
6.1 離子注入相關(guān)原理122
6.2 離子注入設(shè)備結(jié)構(gòu)125
6.3 國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)分析133
6.3.1 離子注入設(shè)備市場(chǎng)概述133
6.3.2 國(guó)外相關(guān)設(shè)備概述134
6.3.3 國(guó)內(nèi)相關(guān)設(shè)備概述136
6.4 本章小結(jié)137
參考文獻(xiàn)137
第7章 薄膜淀積設(shè)備140
7.1 原理介紹140
7.1.1 物理氣相淀積141
7.1.2 化學(xué)氣相淀積146
7.2 設(shè)備發(fā)展155
7.2.1 物理氣相淀積設(shè)備155
7.2.2 化學(xué)氣相淀積設(shè)備156
7.3 國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)分析157
7.3.1 薄膜淀積設(shè)備市場(chǎng)概述157
7.3.2 國(guó)外主要淀積設(shè)備160
7.3.3 國(guó)內(nèi)主要淀積設(shè)備169
7.4 本章小結(jié)174
參考文獻(xiàn)175
第8章 集成電路檢測(cè)設(shè)備177
8.1 檢測(cè)原理178
8.1.1 前道量檢測(cè)178
8.1.2 后道檢測(cè)188
8.2 國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)分析193
8.2.1 檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)分析193
8.2.2 國(guó)外檢測(cè)設(shè)備龍頭企業(yè)
及其設(shè)備介紹195
8.2.3 國(guó)內(nèi)檢測(cè)設(shè)備龍頭企業(yè)
及其設(shè)備介紹211
8.3 本章小結(jié)212
參考文獻(xiàn)212
第9章 化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備215
9.1 化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備原理215
9.2 化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備發(fā)展216
9.3 化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備與耗材
市場(chǎng)分析217
9.3.1 CMP設(shè)備市場(chǎng)分析217
9.3.2 CMP耗材市場(chǎng)分析221
9.4 本章小結(jié)224
參考文獻(xiàn)224
第10章 集成電路封裝設(shè)備226
10.1 封裝工藝流程226
10.2 封裝工藝發(fā)展229
10.3 國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)分析233
10.3.1 半導(dǎo)體芯片封裝設(shè)備
市場(chǎng)分析233
10.3.2 國(guó)外封裝設(shè)備龍頭企業(yè)
及其設(shè)備介紹235
10.3.3 國(guó)內(nèi)封裝設(shè)備龍頭企業(yè)及
其設(shè)備介紹246
10.4 本章小結(jié)248
參考文獻(xiàn)248
后記251
4.6.1 國(guó)外相關(guān)設(shè)備概述81
4.6.2 國(guó)內(nèi)光刻市場(chǎng)概述86
4.7 本章小結(jié)87
參考文獻(xiàn)88
第5章 刻蝕設(shè)備92
5.1 原理介紹92
5.1.1 濕法刻蝕原理93
5.1.2 干法刻蝕原理95
5.2 刻蝕設(shè)備97
5.2.1 干法刻蝕設(shè)備原理97
5.2.2 干法刻蝕設(shè)備發(fā)展102
5.3 國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)分析106
5.3.1 刻蝕設(shè)備市場(chǎng)概述106
5.3.2 國(guó)外刻蝕設(shè)備市場(chǎng)分析107
5.3.3 國(guó)內(nèi)刻蝕設(shè)備市場(chǎng)分析