本書(shū)主要內(nèi)容包括: 芯片的定義及作用, 控制芯片, 計(jì)量芯片, 時(shí)鐘芯片等。作者趙兵, 教授級(jí)高級(jí)工程師, 中國(guó)密碼學(xué)會(huì)常務(wù)理事, 中國(guó)計(jì)量測(cè)試學(xué)會(huì)理事, 中國(guó)智能量測(cè)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng), 現(xiàn)任中國(guó)電力科學(xué)研究院計(jì)量所所長(zhǎng), 國(guó)網(wǎng)計(jì)量中心總經(jīng)理。
目錄
前言
第1章概述1
1.1電能計(jì)量設(shè)備發(fā)展1
1.2電能計(jì)量設(shè)備用芯片發(fā)展趨勢(shì)3
第2章計(jì)量設(shè)備用芯片基礎(chǔ)知識(shí)5
2.1微控制器芯片5
2.1.1微控制器分類(lèi)5
2.1.2主要技術(shù)指標(biāo)6
2.1.3選型說(shuō)明7
2.2計(jì)量芯片8
2.2.1主要技術(shù)指標(biāo)9
2.2.2選型說(shuō)明9
2.3時(shí)鐘芯片13
2.3.1主要技術(shù)指標(biāo)13
2.3.2選型說(shuō)明14
2.4RS信芯片15
2.4.1內(nèi)部結(jié)構(gòu)15
2.4.2主要技術(shù)指標(biāo)15
2.4.3選型說(shuō)明17
2.5隔離芯片18
2.5.1主要技術(shù)指標(biāo)18
2.5.2選型說(shuō)明
2.6存儲(chǔ)器芯片21
2.6.1主要技術(shù)指標(biāo)21
2.6.2選型說(shuō)明22
2.6設(shè)計(jì)23
2.7DC/DC電源轉(zhuǎn)換芯片24
2.7.1工作原理24
2.7.2主要技術(shù)指標(biāo)24
2.7.3選型說(shuō)明25
2.7.4基本電路結(jié)構(gòu)25
2.8磁傳感芯片26
2.8.1制備流程26
2.8.2特性曲線26
2.8.3主要技術(shù)指標(biāo)26
2.8.4選型說(shuō)明27
2.9液晶驅(qū)動(dòng)芯片27
2.9.1主要技術(shù)指標(biāo)28
2.9.2選型說(shuō)明30
2.9.3設(shè)計(jì)電路32
2.10LDO線性穩(wěn)壓芯片32
2.10.1主要技術(shù)指標(biāo)32
2.10.2選型說(shuō)明33
第3章計(jì)量設(shè)備用芯片測(cè)試技術(shù)35
3.1電氣性能測(cè)試技術(shù)35
3.1.1測(cè)試原理35
3.1.2實(shí)例36
3.2靜電敏感度等級(jí)測(cè)試40
3.2.1人體放電模式40
3.2.2機(jī)器放電模式41
3.3抗閂鎖測(cè)試42
3.3.1分類(lèi)42
3.3.2抗閂鎖測(cè)試流程概述42
3.3.3電流測(cè)試流程44
3.3.4過(guò)電壓測(cè)試流程46
3.4工藝適應(yīng)性測(cè)試46
3.4.1可焊性測(cè)試46
3.4.2耐焊接熱測(cè)試46
3.4.3焊球剪切測(cè)試47
第4章芯片可靠性驗(yàn)證技術(shù)48
4.1芯片可靠性實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目48
4.1.1預(yù)處理（PC，JESD22A113）49
4.1.2穩(wěn)態(tài)濕度壽命試驗(yàn)（THB，JESD22A101）50
4.1.3高加速溫濕度應(yīng)力試驗(yàn)（HAST，JESD22A110）52
4.1.4無(wú)偏置高壓蒸煮試驗(yàn)（AC，JESD22A102）53
4.1.5無(wú)偏置高加速應(yīng)力試驗(yàn)（UHAST，JESD22A118）54
4.1.6溫度循環(huán)試驗(yàn)（TC，JESD22A104）55
4.1.7高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)（HTSL，JESD22A103）57
4.1.8低溫存儲(chǔ)試驗(yàn)（LTSL，JESD22A119）58
4.1.9高溫老化壽命試驗(yàn)（HTOL，JESD22A108）59
4.1.10循環(huán)耐久性數(shù)據(jù)保持試驗(yàn)（EDR，JESD22A117）59
4.2應(yīng)用一：基于高溫老化壽命試驗(yàn)的芯片使用壽命評(píng)估62
4.2.1使用壽命定義62
4.2.2壽命驗(yàn)證方案設(shè)計(jì)63
4.2.3芯片使用壽命評(píng)估實(shí)例67
4.2.4RS信芯片68
4.3應(yīng)用二：基于無(wú)偏高溫蒸煮試驗(yàn)的芯片封裝可靠性評(píng)估69
第5章芯片性能綜合評(píng)估71
5.1層次分析法基本原理71
5.1.1構(gòu)造判斷矩陣71
5.1.2利用擬優(yōu)化傳遞矩陣求權(quán)數(shù)分配72
5.1.3檢驗(yàn)72
5.2計(jì)量芯片綜合評(píng)估73
5.2.1計(jì)量芯片引能對(duì)比73
5.2.2計(jì)量芯片參數(shù)對(duì)比77
5.2.3基于層次分析法的計(jì)量芯片評(píng)價(jià)79
5.3微控制器綜合評(píng)價(jià)82
5.3.1微控制器芯片引能對(duì)比82
5.3.2微控制器芯片參數(shù)對(duì)比86
5.3.3基于層次分析法的微控制器芯片評(píng)價(jià)88
5.4存儲(chǔ)芯片綜合評(píng)估91
5.4.1存儲(chǔ)芯片引能對(duì)比91
5.4.2存儲(chǔ)芯片參數(shù)對(duì)比92
5.4.3基于層次分析法的存儲(chǔ)芯片評(píng)價(jià)93
5.5RS信芯片綜合評(píng)估96
5.5.1RS信芯片引能對(duì)比96
5.5.2RS信芯片參數(shù)對(duì)比97
5.5.3基于層次分析法的RS信芯片評(píng)價(jià)98
附錄A芯片相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)102
附錄B國(guó)內(nèi)外芯片檢測(cè)機(jī)構(gòu)105
書(shū)單推薦
