本書(shū)系統(tǒng)介紹了低維納米材料熱輸運(yùn)性能的分子動(dòng)力學(xué)模擬方法,及其在一些具有代表性的低維納米材料中的應(yīng)用,如碳納米管、石墨烯、二維材料等。主要內(nèi)容包括:低維納米材料熱輸運(yùn)性能及相關(guān)理論,分子動(dòng)力學(xué)模擬的基礎(chǔ)知識(shí),分子動(dòng)力學(xué)模擬熱輸運(yùn)方法及應(yīng)用,幾種具有代表性的復(fù)雜結(jié)構(gòu)的熱輸運(yùn)性能,以及機(jī)器學(xué)習(xí)勢(shì)在熱輸運(yùn)領(lǐng)域的應(yīng)用。
隨著現(xiàn)代新興納米技術(shù)和工藝的進(jìn)步,微納尺度半導(dǎo)體電子器件得以迅猛發(fā)展,并展現(xiàn)了一系列新奇的物理特性及潛在的應(yīng)用價(jià)值。然而,這些器件在能量傳輸過(guò)程中必然存在熱傳輸或熱耗散形式的能量轉(zhuǎn)換。它們具有高性能和小尺度的特點(diǎn),這帶來(lái)了嚴(yán)峻的控溫挑戰(zhàn),散熱及傳熱問(wèn)題極大地限制了這些器件的性能。有效的熱管理與熱控制及定向傳熱已成為當(dāng)前傳熱領(lǐng)域研究的重點(diǎn)和方向。許多電子設(shè)備系統(tǒng)的熱管理技術(shù)已是不可或缺的重要技術(shù),如激光器、雷達(dá)、航天飛機(jī)、超算數(shù)據(jù)中心等。這些電子系統(tǒng)所涉及的芯片和器件,除具有小型化、高集成、高熱流密度的特點(diǎn)外.還要滿(mǎn)足大規(guī);蜆O端環(huán)境條件的要求,必須面對(duì)熱管理相關(guān)的產(chǎn)熱、傳熱、散熱及隔熱一系列復(fù)雜的熱輸運(yùn)問(wèn)題,特別是以新興材料為代表的微納尺度傳熱。新興材料及其熱管理是下一代電子器件和設(shè)備研制的核心要素,已成為近些年來(lái)國(guó)際熱科學(xué)研究的熱點(diǎn)問(wèn)題之一,也是“后摩爾”時(shí)代電子技術(shù)發(fā)展的一項(xiàng)重大挑戰(zhàn)。
盡管實(shí)驗(yàn)測(cè)量方法進(jìn)展迅速,但進(jìn)行納米級(jí)熱傳導(dǎo)實(shí)驗(yàn)仍然具有很大的挑戰(zhàn)性。存在實(shí)驗(yàn)測(cè)量困難及測(cè)量精度不足而導(dǎo)致較大誤差等諸多不可預(yù)見(jiàn)和不可靠因素。因此,迫切需要理論計(jì)算方法來(lái)輔助實(shí)驗(yàn)研究,以解釋當(dāng)前測(cè)量技術(shù)尚不成熟的潛在機(jī)制或預(yù)測(cè)新的物理現(xiàn)象。而以前的理論工作由于計(jì)算技術(shù)及資源的限制僅僅考慮過(guò)較小的體系,且得到的往往是彈道輸運(yùn)現(xiàn)象,與現(xiàn)實(shí)的實(shí)驗(yàn)情形相去甚遠(yuǎn)。采用多尺度的分子動(dòng)力學(xué)模擬方法更有利于探索新型低維納米結(jié)構(gòu)中幾何構(gòu)型(形狀、尺寸和邊界等)、組分、外場(chǎng)(溫度)以及多種散射機(jī)制(雜質(zhì)散射、缺陷散射、界面散射等)對(duì)熱輸運(yùn)性質(zhì)的影響,研究調(diào)控納米結(jié)構(gòu)的熱輸運(yùn)機(jī)制。分子動(dòng)力學(xué)方法對(duì)于模擬大尺度、復(fù)雜結(jié)構(gòu)的熱輸運(yùn)性能,有著無(wú)法替代的優(yōu)勢(shì)。由于描述原子間相互作用的可靠勢(shì)函數(shù)的限制,極大地制約了分子動(dòng)力學(xué)模擬方法及時(shí)有效的應(yīng)用實(shí)施。因此,需要深入研究微納尺度的復(fù)雜結(jié)構(gòu)的熱輸運(yùn)機(jī)理,發(fā)展更精確有效的計(jì)算方法以解釋或預(yù)言相關(guān)的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象。尋找和設(shè)計(jì)有廣泛應(yīng)用前景的新型導(dǎo)熱材料、熱電材料、隔熱材料和熱控制器件.促進(jìn)分子動(dòng)力學(xué)模擬方法在熱輸運(yùn)領(lǐng)域中的應(yīng)用與發(fā)展。
本書(shū)圍繞分子動(dòng)力學(xué)模擬方法計(jì)算熱導(dǎo)率展開(kāi)全面系統(tǒng)的討論,主要貢獻(xiàn)有以下三點(diǎn):
。1)理解各種分子動(dòng)力學(xué)模擬方法研究熱輸運(yùn)性質(zhì)的理論背景,探究這些方法不同理論背景下的近似條件,以及適用性和優(yōu)缺點(diǎn),有效結(jié)合這些方法為進(jìn)一步深入研究復(fù)雜結(jié)構(gòu)體系的熱輸運(yùn)性能夯實(shí)基礎(chǔ)。
(2)針對(duì)幾種具有代表性的復(fù)雜結(jié)構(gòu),深挖熱輸運(yùn)過(guò)程中因晶格振動(dòng)引起的聲子傳輸特性及相關(guān)物理機(jī)制。低維納米材料是一個(gè)理想的理論研究平臺(tái),可為設(shè)計(jì)新型可控的熱管理器件提供理論支持。
。3)探索機(jī)器學(xué)習(xí)勢(shì)在熱輸運(yùn)領(lǐng)域的具體應(yīng)用。建立了針對(duì)聲子輸運(yùn)性質(zhì)的機(jī)器學(xué)習(xí)勢(shì)訓(xùn)練方案,包括訓(xùn)練集的準(zhǔn)備、機(jī)器學(xué)習(xí)勢(shì)的訓(xùn)練以及聲子相關(guān)特性的驗(yàn)證與評(píng)估。解決傳統(tǒng)經(jīng)驗(yàn)勢(shì)可靠性差、勢(shì)函數(shù)匱乏等分子動(dòng)力學(xué)模擬卡脖子的問(wèn)題。
本書(shū)所涉及研究?jī)?nèi)容獲得國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目“基于石墨烯及其它兩維材料的柔性熱電材料的多尺度模擬”(項(xiàng)目編號(hào):11974059)、渤海大學(xué)校級(jí)重點(diǎn)資助科研項(xiàng)目“基于高精度機(jī)器學(xué)習(xí)勢(shì)研究新型材料的熱輸運(yùn)性能”(項(xiàng)目編號(hào):0522xn076)、渤海大學(xué)校博士啟動(dòng)基金項(xiàng)目“新型低維納米材料熱輸運(yùn)性的模擬”(項(xiàng)目編號(hào):0523bs008)的支持。
本書(shū)的出版得到了渤海大學(xué)的大力支持。在編寫(xiě)過(guò)程中,北京科技大學(xué)宿彥京教授、錢(qián)萍教授,渤海大學(xué)修曉明教授、樊哲勇副教授給予了大量的指導(dǎo)和幫助。在此,向支持本書(shū)出版的單位和個(gè)人表示由衷的感謝。
由于作者水平所限,書(shū)中欠妥之處懇請(qǐng)各位讀者不吝賜教。
1緒論1
1.1低維納米材料及其優(yōu)異性能1
1.2低維納米材料的熱輸運(yùn)性能3
1.2.1晶格振動(dòng)和聲子4
1.2.2晶格熱導(dǎo)率6
1.3低維納米材料的熱輸運(yùn)模擬7
1.3.1熱輸運(yùn)模擬方法7
1.3.2低維納米材料熱輸運(yùn)的MD模擬8
2MD模擬及熱導(dǎo)率計(jì)算方法11
2.1MD模擬基本理論11
2.1.1初始化12
2.1.2邊界條件13
2.1.3系綜理論15
2.1.4運(yùn)動(dòng)方程的數(shù)值積分17
2.2MD模擬基本流程18
2.3相互作用勢(shì)函數(shù)19
2.3.1兩體勢(shì)20
2.3.2多體勢(shì)20
2.3.3機(jī)器學(xué)習(xí)勢(shì)21
2.4MD模擬計(jì)算熱導(dǎo)率方法23
2.4.1EMD模擬方法23
2.4.2NEMD模擬方法24
2.4.3HNEMD模擬方法25
2.5基于GPU加速的高效MD模擬程序26
3熱輸運(yùn)EMD模擬方法的應(yīng)用發(fā)展27
3.1EMD模擬計(jì)算有限體系熱導(dǎo)率的新應(yīng)用27
3.1.1模擬方法及設(shè)置28
3.1.2模擬細(xì)節(jié)29
3.1.3模擬結(jié)果與討論30
3.2有限體系下來(lái)自EMD和NEMD完全等效的熱導(dǎo)率模擬36
3.2.1模型與理論方法37
3.2.2勢(shì)函數(shù)訓(xùn)練39
3.2.3模擬結(jié)果與討論40
3.3本章小結(jié)43
4晶界、超晶格和具有范德華相互作用復(fù)雜結(jié)構(gòu)的傳熱機(jī)理分析44
4.1石墨烯/h-BN異質(zhì)結(jié)構(gòu)界面的熱輸運(yùn)性能44
4.1.1石墨烯/h-BN晶界模型45
4.1.2NEMD模擬設(shè)置及細(xì)節(jié)46
4.1.3光譜分解和量子修正48
4.1.4界面Kapitza熱導(dǎo)49
4.1.5熱整流效果52
4.2石墨烯晶界超晶格相干熱輸運(yùn)性能的研究53
4.2.1晶體相場(chǎng)模型54
4.2.2模擬方法及細(xì)節(jié)55
4.2.3HNEMD方法的驗(yàn)證56
4.2.4相干和非相干聲子輸運(yùn)57
4.2.5沿著晶界方向的聲子相干輸運(yùn)61
4.3C60封裝CNTs熱輸運(yùn)性能的研究63
4.3.1SWCNT和納米豌豆模型64
4.3.2MD模擬細(xì)節(jié)64
4.3.3NEMD模擬結(jié)果66
4.3.4EMD模擬結(jié)果67
4.3.5HNEMD模擬結(jié)果69
4.3.6EMD模擬中的一種假象71
4.3.7熱導(dǎo)率降低的物理機(jī)制73
4.4本章小結(jié)76
5基于機(jī)器學(xué)習(xí)勢(shì)研究二維C—N材料的熱輸運(yùn)性能78
5.1機(jī)器學(xué)習(xí)勢(shì)與模擬方法79
5.1.1NEP機(jī)器學(xué)習(xí)勢(shì)79
5.1.2MD模擬81
5.2NEP勢(shì)的訓(xùn)練81
5.2.1訓(xùn)練集的準(zhǔn)備81
5.2.2勢(shì)函數(shù)訓(xùn)練細(xì)節(jié)83
5.3NEP勢(shì)的評(píng)估84
5.3.1晶格常數(shù)檢驗(yàn)84
5.3.2聲子色散評(píng)估85
5.3.3熱導(dǎo)率對(duì)比85
5.4二維C—N超晶格中的熱輸運(yùn)87
5.4.1二維C—N超晶格87
5.4.2熱輸運(yùn)性能89
5.5本章小結(jié)90
參考文獻(xiàn)91
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