本書主要介紹了通過分析在不同絕緣層制備的有機場效應(yīng)晶體管性能，得出絕緣層與半導(dǎo)體層表面能匹配可以提高場效應(yīng)遷移率的規(guī)律。全書共4章，具體內(nèi)容包括：有機場效應(yīng)晶體管簡介及發(fā)展現(xiàn)狀分析，Ph5T2單晶場效應(yīng)晶體管的制備及其性能分析，表面能匹配對于不同單晶材料普適性的討論，以及利用表面能匹配為指導(dǎo)制備高遷移率DNTT單晶場效應(yīng)晶體管等。
場效應(yīng)遷移率是評價有機半導(dǎo)體材料和晶體管器件性能的重要指標(biāo)之一，決定了器件的開關(guān)速度、驅(qū)動能力和器件尺寸，器件的遷移率越高，其應(yīng)用領(lǐng)域越廣。目前，絕緣層表面修飾是提高場效應(yīng)晶體管器件遷移率的主要方式之一。探究絕緣層表面性質(zhì)對有機場效應(yīng)晶體管器件遷移率的影響規(guī)律，對于制備高遷移率器件具有重要意義。
本書首先利用物理氣相輸運法生長超薄的Ph5T2單晶．通過機械轉(zhuǎn)移的方式在八種絕緣層上制備了單晶場效應(yīng)晶體管，研究絕緣層表面性質(zhì)對Ph5T2單晶器件遷移率的影響規(guī)律。其次，為了驗證上述規(guī)律的普適性，選擇傳統(tǒng)的并五苯和酞菁鋅單晶，并在不同表面能的絕緣層上制備其單晶場效應(yīng)晶體管，以進(jìn)行性能分析。最后，以發(fā)現(xiàn)的實驗規(guī)律為指導(dǎo)，制備了目前所見報道最高遷移率的DNTT單晶場效應(yīng)晶體管，反映了材料的本征性能和規(guī)律的正確性。
高遷移率且性能穩(wěn)定的有機場效應(yīng)晶體管可以拓寬其在電子產(chǎn)品中的實際應(yīng)用。本書通過大量實驗得出的經(jīng)驗規(guī)律對后續(xù)提高有機場效應(yīng)器件性能在篩選絕緣層方面提供了優(yōu)化方向，并對其實際應(yīng)用提供了更多可能，從而有力推動有機半導(dǎo)體電子學(xué)的發(fā)展。
本書內(nèi)容涉及的研究課題包括遼寧省教育廳青年科技人才“育苗”項目“高遷移率有機單晶場效應(yīng)晶體管的制備與機理研究”（項目編號：LQ2020016）、渤海大學(xué)校內(nèi)博士啟動基金項目“界面張力對有機場效應(yīng)晶體管中載流子傳輸?shù)臋C理探究”（項目編號：0520bs004）、遼寧省委組織部青年拔尖人才項目“基于范德瓦爾斯層狀半導(dǎo)體的電聲子輸運調(diào)控以及熱電性質(zhì)研究”（項目編號：XLYC2007120）。
本書的出版得到了遼寧省教育廳、渤海大學(xué)和東北師范大學(xué)的大力支持。在編寫過程中，東北師范大學(xué)湯慶鑫教授、童艷紅教授、趙曉麗副教授給予了充分指導(dǎo)，渤海大學(xué)修曉明教授、張開成教授、董海寬副教授、王春艷副教授、計彥強副教授、尹洪杰博士、齊猛博士給予了充分支持和幫助。在此，向支持本書出版的單位和個人表示由衷的感謝。
由于作者水平有限，書中欠妥之處懇請各位讀者不吝賜教。
1 緒論
1．1 場效應(yīng)晶體管簡介
1．1．1 場效應(yīng)晶體管的基本原理
1．1．2 場效應(yīng)晶體管的基本參數(shù)
1．1．3 場效應(yīng)晶體管的基本構(gòu)型
1．1．4 有機場效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢
1．1．5 有機場效應(yīng)晶體管的發(fā)展現(xiàn)狀
1．2 有機薄膜場效應(yīng)晶體管
1．2．1 有機薄膜場效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢
1．2．2 有機薄膜的制備方法
1．2．3 有機薄膜場效應(yīng)晶體管的制備方法和發(fā)展現(xiàn)狀
1．3 有機單晶場效應(yīng)晶體管
1．3．1 有機單晶場效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢
1．3．2 有機單晶的生長方法
1．3．3 有機單晶場效應(yīng)晶體管的制備方法和發(fā)展現(xiàn)狀
1．4 半導(dǎo)體／絕緣層的界面性質(zhì)對有機場效應(yīng)晶體管性能的影響
1．4．1 有機場效應(yīng)晶體管中的界面工程
1．4．2 絕緣層的性質(zhì)對有機場效應(yīng)晶體管性能的影響
1．4．3 絕緣層的表面能對有機場效應(yīng)晶體管性能的影響
參考文獻(xiàn)
2 Ph5T2單晶場效應(yīng)晶體管的制備及其性能分析
2．1 Ph5T2單晶的生長及表征
2．1．1 Ph5T2單晶的生長
2．1．2 Ph5T2單晶的表征
2．2 絕緣層的制備及表征
2．2．1 絕緣層的選擇及制備
2．2．2 絕緣層的表征
2．3 絕緣層性質(zhì)對Ph5T2單晶場效應(yīng)晶體管性能的影響
2．3．1 Ph5T2單晶場效應(yīng)晶體管的制備及表征
2．3．2 Ph5T2材料表面能的計算及選取
2．3．3 絕緣層性質(zhì)對Ph5T2單晶場效應(yīng)晶體管性能的影響
2．3．4 半導(dǎo)體和絕緣層表面能及其分量匹配提高遷移率的機理分析
2．4 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
3 表面能匹配對于不同單晶材料普適性的討論
3．1 并五苯單晶場效應(yīng)晶體管
3．1．1 并五苯單晶的生長及表征
3．1．2 并五苯單晶場效應(yīng)晶體管的制備及表征
3．1．3 并五苯表面能的計算及選取
3．1．4 絕緣層表面能對并五苯單晶場效應(yīng)晶體管器件性能的影響
3．2 酞菁鋅單晶場效應(yīng)晶體管
3．2．1 酞菁鋅單晶的生長及表征
3．2．2 酞菁鋅單晶場效應(yīng)晶體管的制備及表征
3．2．3 酞菁鋅表面能的計算及選取
3．2．4 絕緣層表面能對酞菁鋅單晶場效應(yīng)晶體管器件性能的影響
3．3 表面能及其分量匹配與其他實驗結(jié)論的兼容
3．4 不同半導(dǎo)體和絕緣層表面能的匯總
3．5 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
4 高遷移率DNTT單晶場效應(yīng)晶體管的制備
4．1 DNTT單晶的生長及表征
4．1．1 DNTT單晶的生長
4．1．2 DNTT單晶的表征
4．2 DNTT表面能的計算及選取
4．3 絕緣層的選取、制備及表征
4．3．1 絕緣層的選取及制備
4．3．2 絕緣層的表征
4．4 高遷移率DNTT單晶場效應(yīng)晶體管的制備
4．5 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
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