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半導(dǎo)體材料及器件輻射缺陷與表征方法 
定 價(jià)：128 元 叢書(shū)名：國(guó)家出版基金項(xiàng)目 國(guó)家出版基金資助項(xiàng)目 材料與器件輻射效應(yīng)及加固技術(shù)研究著作
9 7 7 8 0 7 5 5 4 7 4 6 7 讀者對(duì)象:本書(shū)可供從事航天技術(shù)研究的專業(yè)人員和相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域的科技人員參考，也可作為高等院校航空宇航科學(xué)與技術(shù)、空間科學(xué)、材料物理和集成電路學(xué)科的研究生教材
全書(shū)共分為4章，系統(tǒng)闡述了輻射誘導(dǎo)半導(dǎo)體缺陷的相關(guān)理論、數(shù)值模擬方法、表征技術(shù)及應(yīng)用。空間輻射誘導(dǎo)缺陷是導(dǎo)致電子元器件性能退化的重要原因，然而輻射誘導(dǎo)缺陷的形成、演化和性質(zhì)與半導(dǎo)體材料本身物理屬性、器件類型及結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。
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