本書針對(duì)AlInN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)HEMT器件性能的熱退化問(wèn)題，提出添加背勢(shì)壘層和自支撐GaN襯底的解決思路，并通過(guò)數(shù)值模擬的方法進(jìn)行了驗(yàn)證優(yōu)化。同時(shí)通過(guò)模擬和實(shí)驗(yàn)研究了AlGaN/GaN和AlInN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)HEMT器件的pH傳感器性能，并對(duì)感測(cè)區(qū)尺寸進(jìn)行了優(yōu)化，證明GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)HEMT器件具有優(yōu)異的pH值探測(cè)性能。