晶圓級芯片封裝技術(shù) [美] 曲世春 [美] 劉勇
定 價(jià):119 元
- 作者:[美] 曲世春 [美] 劉勇
- 出版時(shí)間:2024/11/1
- ISBN:9787111768166
- 出 版 社:機(jī)械工業(yè)出版社
- 中圖法分類:
- 頁碼:
- 紙張:膠版紙
- 版次:
- 開本:16開
《晶圓級芯片封裝技術(shù)》主要從技術(shù)和應(yīng)用兩個(gè)層面對晶圓級芯片封裝(Wafer-Level Chip-Scale Package,WLCSP)技術(shù)進(jìn)行了全面的概述,并以系統(tǒng)的方式介紹了關(guān)鍵的術(shù)語,輔以流程圖和圖表等形式詳細(xì)介紹了先進(jìn)的WLCSP技術(shù),如3D晶圓級堆疊、硅通孔(TSV)、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)和光電子應(yīng)用等,并著重針對其在模擬和功率半導(dǎo)體方面的相關(guān)知識進(jìn)行了具體的講解!毒A級芯片封裝技術(shù)》主要包括模擬和功率WLCSP的需求和挑戰(zhàn),扇入型和扇出型WLCSP的基本概念、凸點(diǎn)工藝流程、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和可靠性評估,WLCSP的可堆疊封裝解決方案,晶圓級分立式功率MOSFET封裝設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng),TSV/堆疊芯片WLCSP的模擬和電源集成的解決方案,WLCSP的熱管理、設(shè)計(jì)和分析的關(guān)鍵主題,模擬和功率WLCSP的電氣和多物理仿真,WLCSP器件的組裝,WLCSP半導(dǎo)體的可靠性和一般測試等內(nèi)容。
《晶圓級芯片封裝技術(shù)》可作為微電子、集成電路等領(lǐng)域工程技術(shù)人員的參考書,也可作為高等院校相關(guān)專業(yè)高年級本科生和研究生的教學(xué)輔導(dǎo)書。
1.兩位作者均是美國仙童半導(dǎo)體公司資深技術(shù)專家,長期從事芯片先進(jìn)封裝方面的研究,具有深厚的技術(shù)積累。
2.內(nèi)容源于工程實(shí)踐,聚焦晶圓級芯片封裝技術(shù)及工程應(yīng)用,詳細(xì)介紹了模擬與功率WLCSP設(shè)計(jì)、材料表征、可靠性及建模相關(guān)知識。
3.本書采用彩色印刷,包含270多張彩色圖片,圖片清晰、精美,易于閱讀理解。
晶圓級芯片封裝(WLCSP)是一種裸片封裝,它不僅在所有IC封裝形式中提供盡可能小的封裝面積,而且具有卓越的電氣性能和熱性能,這主要?dú)w功于其組裝的芯片和應(yīng)用PCB之間直接通過焊料進(jìn)行連接,具有低電阻、低熱阻和低電感。對于性能要求高、尺寸要求較小的移動電子產(chǎn)品,其散熱僅限于通過PCB傳導(dǎo)到移動設(shè)備的外殼,而WLCSP是平衡這一看似矛盾需求的最佳芯片封裝方案。
與倒裝芯片封裝相同,WLCSP向前邁出了大膽的一步,在半導(dǎo)體芯片上放置了足夠大的焊料凸點(diǎn),并允許其直接倒裝在應(yīng)用基板上。由于焊點(diǎn)占據(jù)了芯片/PCB 熱膨脹系數(shù)(CTE)失配熱/機(jī)械應(yīng)力的很大一部分,除了基本的設(shè)備特定可靠性測試外,WLCSP在跌落測試、彎曲測試和溫度循環(huán)測試等移動設(shè)備的可靠性測試中也表現(xiàn)出了優(yōu)異的可靠性。這種封裝形式的魯棒性也在數(shù)十億移動消費(fèi)電子設(shè)備的日常使用壽命中得到了證明。隨著凸點(diǎn)技術(shù)的不斷發(fā)展,如聚合物再鈍化焊盤上凸點(diǎn)(Bump on Pad,BoP)、銅的再分布層(Redistrbution Layer,RDL)、RDL上的正面模制銅柱、強(qiáng)力的硅背面研磨、先進(jìn)的合金焊料和設(shè)計(jì)技巧,使得WLCSP將硅片尺寸范圍從早期的2-3mm擴(kuò)展到了8-10mm,同時(shí)持續(xù)減少了200mm和300mm晶圓尺寸大批量生產(chǎn)時(shí)的單位成本。封裝尺寸范圍的可用性和有利的成本結(jié)構(gòu)使WLCSP成為各種半導(dǎo)體器件的良好封裝候選,從模擬/混合信號和無線連接芯片到光電子、功率電子以及邏輯和存儲器芯片。3D晶圓級芯片堆疊的創(chuàng)新進(jìn)一步使WLCSP成為MEMS和傳感器芯片封裝的可行選擇。
WLCSP的優(yōu)點(diǎn)在于從開始到結(jié)束都是基于晶圓的處理。WLCSP打破了晶圓廠工藝和后端封裝操作的界限,不同于傳統(tǒng)封裝技術(shù),其封裝過程更加集成化和自動化。WLCSP的封裝操作因其高自動化和高產(chǎn)率而廣為人知,包括凸點(diǎn)、檢查和測試,從一步到另一步都是完全自動化的。并且,得益于半個(gè)世紀(jì)的晶圓加工技術(shù)設(shè)計(jì)技巧積累,整體WLCSP(通常稱為凸點(diǎn))的良率也接近100%?紤]到這一點(diǎn),即使對于芯片扇出型封裝,基于200mm或300mm尺寸重構(gòu)晶圓的晶圓加工形式從一開始就是優(yōu)選的方法就一點(diǎn)也不奇怪了。
WLCSP在過去十年中取得了巨大的增長,這主要得益于全球消費(fèi)者對移動通信和計(jì)算設(shè)備需求的持續(xù)增長。隨著兩位數(shù)的市場價(jià)值(包括晶圓凸點(diǎn)、測試和晶圓加工服務(wù),如背面研磨、標(biāo)記、切割以及膠帶和卷軸)的增長,WLCSP仍然是各種背景的封裝工程師所采用的最重要的封裝技術(shù)之一。
《晶圓級芯片封裝技術(shù)》的目的是為讀者提供關(guān)于WLCSP技術(shù)的全面概述。作者還打算分享WLCSP在模擬和功率半導(dǎo)體中應(yīng)用的具體知識。本書還簡要介紹了先進(jìn)的WLCSP技術(shù),如3D晶圓級堆疊、TSV、MEMS和光電子應(yīng)用等。
《晶圓級芯片封裝技術(shù)》共有10章,第1章概述了模擬和功率WLCSP的需求和挑戰(zhàn);第2、3章涵蓋了扇入型和扇出型WLCSP的基本概念、凸點(diǎn)工藝流程、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和可靠性評估;第4章專門介紹涉及WLCSP的可堆疊封裝解決方案;第5章詳細(xì)介紹了晶圓級分立式功率MOSFET封裝設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng);第6章詳細(xì)討論了TSV/堆疊芯片WLCSP的模擬和電源集成的解決方案;第7章是關(guān)于WLCSP的熱管理、設(shè)計(jì)和分析的關(guān)鍵主題;第8章繼續(xù)介紹模擬和功率WLCSP的電氣和多物理仿真,并介紹了0.18μm功率技術(shù)電遷移研究的新進(jìn)展;第9章涉及WLCSP器件的組裝;第10章總結(jié)了WLCSP半導(dǎo)體的可靠性和一般測試。
憑借多年的半導(dǎo)體封裝經(jīng)驗(yàn),以及對晶圓級封裝的關(guān)注,作者試圖在10章中提供均衡且最新的內(nèi)容。我們希望《晶圓級芯片封裝技術(shù)》對于那些需要在短時(shí)間內(nèi)學(xué)習(xí)WLCSP技術(shù)最重要知識的年輕工程師來說,是一個(gè)很好的入門材料。同時(shí),我們也希望經(jīng)驗(yàn)豐富的工程師能發(fā)現(xiàn)本書是很好的參考資料,不僅能幫助他們跟上快速的技術(shù)進(jìn)步,還能幫助他們應(yīng)對日常的工程挑戰(zhàn)。
Shichun Qu
美國加利福尼亞州圣何塞
Yong Liu
美國緬因州南波特蘭
Shichun Qu博士,于2007年加入美國加州圣克拉拉的國家半導(dǎo)體公司,參與了先進(jìn)引線框架封裝的開發(fā)、焊盤上高溫引線鍵合金屬化研究和生產(chǎn)鑒定,以及高引腳數(shù)WLCSP技術(shù)研究。2011年加入仙童半導(dǎo)體公司后,他大部分時(shí)間都致力于了解WLCSP芯片/PCB的相互作用,并微調(diào)WLCSP設(shè)計(jì)和凸點(diǎn)工藝,通過在更高引腳數(shù)下擴(kuò)展使用低掩模數(shù)凸點(diǎn)技術(shù)來實(shí)現(xiàn)有競爭力的制造成本。
Yong Liu博士,自2001年以來一直在美國仙童半導(dǎo)體公司工作,2008年起擔(dān)任高級技術(shù)人員,目前是仙童半導(dǎo)體公司全球電氣、熱機(jī)械建模和分析團(tuán)隊(duì)的負(fù)責(zé)人。他的主要興趣領(lǐng)域是先進(jìn)的模擬和電力電子封裝、建模和仿真、可靠性和組裝工藝。他在期刊和會議上合作發(fā)表了170多篇論文,并在3D/Stack/TSV IC 和電力電子封裝領(lǐng)域獲得了45項(xiàng)美國專利。
譯者序
原書前言
致謝
作者簡介
第1章 晶圓級芯片模擬和功率器件封裝的需求和挑戰(zhàn)1
1.1 模擬和功率WLCSP需求1
1.2 芯片收縮影響2
1.2.1 芯片收縮產(chǎn)生的影響2
1.2.2 晶圓級片上系統(tǒng)與系統(tǒng)級封裝3
1.3 扇入與扇出3
1.4 功率WLCSP開發(fā)4
1.4.1 與常規(guī)分立功率封裝相比的晶圓級MOSFET4
1.4.2 更高的載流能力5
1.4.3 低Rds (on)電阻和更好的熱性能6
1.4.4 功率IC封裝的發(fā)展趨勢7
1.4.5 晶圓級無源器件的發(fā)展趨勢8
1.4.6 晶圓級堆疊/3D功率芯片SiP8
1.5 總結(jié)10
參考文獻(xiàn)10
第2章 扇入型WLCSP12
2.1 扇入型WLCSP簡介12
2.2 WLCSP凸點(diǎn)技術(shù)13
2.3 WLCSP 凸點(diǎn)工藝和成本考慮14
2.4 WLCSP 的可靠性要求16
2.5 跌落測試中的應(yīng)力17
2.6 TMCL 中的應(yīng)力18
2.7 高可靠性WLCSP設(shè)計(jì)19
2.8 用于精確可靠性評估的測試芯片設(shè)計(jì)19
2.9 BoP設(shè)計(jì)規(guī)則25
2.10 RDL設(shè)計(jì)規(guī)則28
2.11 總結(jié)31
參考文獻(xiàn)31
第3章 扇出型WLCSP32
3.1 扇出型WLCSP簡介32
3.2 高產(chǎn)扇出模式的形成37
3.3 再分布芯片封裝和嵌入式晶圓級球柵陣列38
3.4 扇出型WLCSP的優(yōu)勢38
3.5 扇出型WLCSP的挑戰(zhàn)39
3.6 扇出型WLCSP的可靠性45
3.7 扇出型設(shè)計(jì)規(guī)則46
3.8 扇出型WLCSP的未來47
參考文獻(xiàn)51
第4章 可堆疊的晶圓級模擬芯片封裝52
4.1 引言52
4.2 多芯片模塊封裝53
4.3 疊片封裝和疊層封裝55
4.4 三維集成電路(3D IC)58
4.4.1 硅通孔(TSV)59
4.4.2 TSV的形成60
4.4.3 先通孔、后通孔和中通孔62
4.4.4 TSV填充63
4.4.5 3D IC鍵合64
4.4.6 TSV 3D IC集成65
4.5 晶圓級3D集成66
4.5.1 3D MEMS和傳感器WLCSP67
4.6 嵌入式WLCSP70
4.7 總結(jié)71
參考文獻(xiàn)72
第5章 晶圓級分立式功率MOSFET封裝設(shè)計(jì)74
5.1 分立式功率WLCSP的介紹與發(fā)展趨勢74
5.2 分立式功率WLCSP設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)75
5.2.1 典型的分立式功率WLCSP設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)76
5.2.2 功率MOSFET BGA76
5.2.3 在分立式功率WLCSP中將MOSFET漏極移到前側(cè)78
5.3 晶圓級MOSFET的直接漏極設(shè)計(jì)78
5.3.1 直接漏極VDMOSFET WLCSP的構(gòu)建79
5.3.2 直接漏極VDMOSFET WLCSP的其他結(jié)構(gòu)79
5.4 帶有銅柱凸點(diǎn)的功率VDMOSFET WLCSP80
5.4.1 在功率WLCSP上進(jìn)行銅柱凸點(diǎn)構(gòu)建80
5.4.2 銅柱凸點(diǎn)過程中鋁層下的BPSG剖面81
5.5 帶嵌入式WLCSP的3D功率模塊87
5.5.1 引言87
5.5.2 嵌入式WLCSP模塊89
5.5.3 可靠性測試90
5.5.4 討論95
5.6 總結(jié)96
參考文獻(xiàn)96
第6章 用于模擬和功率集成解決方案的晶圓級TSV/堆疊芯片封裝97
6.1 模擬和功率集成的設(shè)計(jì)理念97
6.2 模擬和功率SoC WLCSP101
6.2.1 模擬和功率SoC WLCSP設(shè)計(jì)布局101
6.2.2 焊點(diǎn)應(yīng)力和可靠性分析102
6.3 帶TSV的晶圓級功率堆疊芯片3D封裝104
6.3.1 晶圓級功率堆疊芯片封裝的設(shè)計(jì)理念104
6.3.2 熱分析105
6.3.3 組裝過程中的應(yīng)力分析107
6.4 用于模擬和功率集成的晶圓級TSV/堆疊芯片概念118
6.5 帶有有源和無源芯片的集成功率封裝119
6.6 總結(jié)120
參考文獻(xiàn)120
第7章 WLCSP的熱管理、設(shè)計(jì)和分析121
7.1 熱阻及其測量方法121
7.1.1 熱阻的概念121
7.1.2 結(jié)溫敏感參數(shù)法122
7.1.3 熱阻測量124
7.1.4 熱阻測量環(huán)境:結(jié)-環(huán)境熱阻124
7.2 WLCSP導(dǎo)熱測試板125
7.2.1 低效導(dǎo)熱測試板127
7.2.2 高效導(dǎo)熱測試板127
7.2.3 WLCSP的典型JEDEC板127
7.3 WLCSP的熱分析與管理128
7.3.1 參數(shù)化模型的構(gòu)建128
7.3.2 參數(shù)化模型的應(yīng)用132
7.3.3 熱仿真分析133
7.4 WLCSP的瞬態(tài)熱分析137
7.4.1 4×5 WLCSP的概述和瞬態(tài)材料特性137
7.5 總結(jié)140
參考文獻(xiàn)141
第8章 模擬和功率WLCSP的電氣和多物理仿真142
8.1 電氣仿真方法:提取電阻、電感和電容142
8.1.1 提取電感和電阻142
8.1.2 電容提取方法148
8.2 扇出型模制芯片級封裝的電氣仿真154
8.2.1 MCSP簡介154
8.2.2 帶GGI工藝的40引腳MCSP的RLC仿真155
8.2.3 引線鍵合MCSP及其與GGI型MCSP的電氣性能比較155
8.3 0.18μm晶圓級功率技術(shù)的電遷移預(yù)測和測試164
8.3.1 簡介164
8.3.2 電遷移模型的建立164
8.3.3 電遷移晶圓級實(shí)驗(yàn)測試165
8.3.4 有限元仿真167
8.3.5 討論175
8.4 模擬無鉛焊點(diǎn)中微觀結(jié)構(gòu)對電遷移的影響175
8.4.1 簡介175
8.4.2 遷移的直接積分法176
8.4.3 WLCSP中焊料凸點(diǎn)微觀結(jié)構(gòu)的有限元分析建模177
8.4.4 仿真結(jié)果與討論180
8.4.5 討論185
8.5 總結(jié)185
參考文獻(xiàn)185
第9章 WLCSP 組裝187
9.1 引言187
9.2 PCB 設(shè)計(jì)188
9.2.1 SMD和NSMD188
9.2.2 焊盤尺寸189
9.2.3 PCB焊盤表面處理189
9.2.4 WLCSP 下的通孔190
9.2.5 局部靶標(biāo)190
9.2.6 PCB材料191
9.2.7 PCB布線和銅覆蓋192
9.3 鋼網(wǎng)和焊錫膏192
9.3.1 通用鋼網(wǎng)設(shè)計(jì)指南192
9.3.2 焊錫膏193
9.4 器件放置193
9.4.1 取放流程194
9.4.2 定位精度194
9.4.3 噴嘴和送料器195
9.4.4 高速表面貼裝注意事項(xiàng)195
9.4.5 定位精度要求196
9.4.6 放置原則選項(xiàng)196
9.4.7 視覺系統(tǒng)197
9.4.8 算法197
9.4.9 送料和助焊劑198
9.4.10 總結(jié)198
9.5 回流焊198
9.5.1 預(yù)熱區(qū)199
9.5.2 保溫200
9.5.3 回流200
9.5.4 冷卻201
9.5.5 回流爐201
9.5.6 WLCSP回流201
9.5.7 無鉛(Sn–Ag–Cu)焊料的回流曲線和關(guān)鍵參數(shù)202
9.5.8 雙面 SMT203
9.5.9 回流后檢驗(yàn)203
9.5.10 助焊劑清潔204
9.5.11 返工204
9.5.12 底部填充205
9.5.13 WLSCP 底層填充工藝要求205
9.6 WLCSP儲存和保質(zhì)期206
9.7 總結(jié)207
參考文獻(xiàn)207
第10章 WLCSP典型可靠性和測試208
10.1 WLCSP可靠性測試概述208
10.1.1 可靠性壽命208
10.1.2 失效率208
10.1.3 模擬和功率WLCSP的典型可靠性測試210
10.2 WLCSP焊球剪切性能和失效模式213
10.2.1 引言213
10.2.2 測試程序和試樣214
10.2.3 沖擊測試的實(shí)驗(yàn)研究215
10.2.4 基于FEM的仿真與分析216
10.2.5 討論221
10.3 WLCSP組裝回流工藝和PCB設(shè)計(jì)的可靠性223
10.3.1 引言223
10.3.2 3種PCB設(shè)計(jì)及其FEA模型224
10.3.3 仿真結(jié)果228
10.3.4 討論和改進(jìn)計(jì)劃230
10.4 WLCSP板級跌落測試234
10.4.1 引言234
10.4.2 WLCSP跌落測試和模型設(shè)置234
10.4.3 不同設(shè)計(jì)變量的跌落沖擊仿真/測試及討論237
10.4.4 跌落測試239
10.4.5 討論241
10.5 WLCSP可靠性設(shè)計(jì)241
10.5.1 引言241
10.5.2 有限元模型設(shè)置242
10.5.3 跌落測試和熱循環(huán)仿真結(jié)果243
10.5.4 跌落測試和熱循環(huán)測試253
10.5.5 討論257
10.6 總結(jié)257
參考文獻(xiàn)258