碳化硅及其復(fù)合材料的制造與應(yīng)用
定 價(jià)：52 元
- 作者：張?jiān)讫?/span>
- 出版時(shí)間：2015/11/1
- ISBN：9787118104875
- 出 版 社：國(guó)防工業(yè)出版社
- 中圖法分類：TQ174.75
- 頁(yè)碼：188
- 紙張：膠版紙
- 版次：1
- 開本：小16開
《碳化硅及其復(fù)合材料的制造與應(yīng)用》系統(tǒng)地闡述了SiC材料的發(fā)展與應(yīng)用，論述了SiC微粉、SiC晶須，納米線的制造工藝以及相應(yīng)合成材料的性能�！短蓟杓捌鋸�(fù)合材料的制造與應(yīng)用》共6章，主要內(nèi)容包括：SiC材料概論；SiC粉體改性與應(yīng)用；SiC晶須增強(qiáng)復(fù)合材料；短碳纖維增韌SiC基復(fù)合材料；一維SiC納米材料與復(fù)合材料；SiC基陶瓷燒結(jié)等。
第1章 SiC材料概論
1．1 SiC的性質(zhì)
1．2 SiC微粉
1．2．1 SiC粉體制造技術(shù)
1．2．2 SiC粉體的應(yīng)用
1．3 SiC晶須
1．3．1 SiC晶須簡(jiǎn)介
1．3．2 SiC晶須制備技術(shù)
1．4 SiC一維納米材料
1．4．1 一維SiC納米材料性質(zhì)
1．4．2 一維SiC納米材料制造技術(shù)
1．4．3 一維納米線的生長(zhǎng)機(jī)理
1．5 SiC陶瓷
1．5．1 SiC陶瓷燒結(jié)技術(shù)
1．5．2 SiC陶瓷的工程應(yīng)用
1．6 Cf／SiC基復(fù)合材料
1．6．1 Cf／SiC基復(fù)合材料簡(jiǎn)介
1．6．2 Cf／SiC基復(fù)合材料的制備
1．6．3 SiC基復(fù)合材料的應(yīng)用
第2章 SiC粉體改性與應(yīng)用
2．1 SiC粉體改性技術(shù)
2．1．1 SiC粉體改性簡(jiǎn)介
2．1．2 SiC粉體的表面改性技術(shù)
2．1．3 SiC顆�；瘜W(xué)鍍銅研究實(shí)例
2．2 水基SiC陶瓷料漿的穩(wěn)定行為
2．2．1 料漿的穩(wěn)定機(jī)理
2．2．2 料漿穩(wěn)定影響因素
2．2．3 SiC水基料漿實(shí)例研究
2．3 SiC顆粒摻雜銅基復(fù)合材料
2．3．1 SiCp／Cu基封裝材料的研究現(xiàn)狀
2．3．2 SiCp／Cu基復(fù)合材料制造技術(shù)
2．3．3 SiCp／Cu基復(fù)合材料實(shí)例研究
第3章 SiCw增強(qiáng)復(fù)合材料
3．1 晶須增韌復(fù)合材料界面與性能
3．2 SiCw增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料
3．2．1 SiCw／玻璃陶瓷基復(fù)合材料
3．2．2 SiCw／Al2O3基復(fù)合材料
3．2．3 SiCw／ZrB2基復(fù)合材料
3．2．4 SiCw／MoSi2基復(fù)合材料
3．2．5 SiCw／Si3N4基復(fù)合材料
3．2．6 SiCw／SiC基復(fù)合材料
3．3 SiCw增強(qiáng)高聚物基復(fù)合材料
3．3．1 改善晶須／聚合物界面的方法
3．3．2 SiCw改性聚合物研究
3．4 SiCw增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料
3．4．1 金屬基復(fù)合材料制造技術(shù)
3．4．2 SiCw增強(qiáng)鎂基復(fù)合材料
3．4．3 SiCw增強(qiáng)銅基復(fù)合材料
3．4．4 SiCw增強(qiáng)Ti（C，N）基復(fù)合材料
3．4．5 SiCw增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料
3．5 SiCw增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料研究實(shí)例
3．5．1 金屬基復(fù)合材料的熱殘余應(yīng)力分析
3．5．2 金屬基復(fù)合材料的熱膨脹行為研究
3．5．3 金屬基復(fù)合材料的微蠕變和回復(fù)探討
3．5．4 SiCw／Al復(fù)合材料的制備與表征
3．5．5 SiCw／Al復(fù)舍材料熱殘余應(yīng)力與變形
3．5．6 SiCw／Al復(fù)合材料的熱應(yīng)變
3．5．7 加熱過(guò)程中SiCw／Al復(fù)合材料熱膨脹系數(shù)與熱錯(cuò)配應(yīng)力
3．5．8 冷卻過(guò)程中SiCw／Al復(fù)合材料熱膨脹系數(shù)與熱錯(cuò)配應(yīng)力
第4章 短碳纖維增韌SiC基復(fù)合材料
4．1 Csf／SiC基復(fù)合材料簡(jiǎn)介
4．2 熱壓燒結(jié)Al2O3／Y2O3系列Cf／SiC陶瓷
4．2．1 燒結(jié)溫度對(duì)Cf／SiC陶瓷性能的影響
4．2．2 助劑比例對(duì)Cf／SiC陶瓷性能的影響
4．2．3 碳纖維含量對(duì)Cf／SiC陶瓷性能的影響
4．3 短碳纖維增韌SiC復(fù)合材料
4．3．1 助劑體系參數(shù)的設(shè)計(jì)
4．3．2 物相組成與微觀結(jié)構(gòu)分析
4．3．3 力學(xué)性能與斷裂機(jī)制分析
第5章 一維SiC納米材料與復(fù)合材料
5．1 一維SiC納米材料基本構(gòu)型
5．1．1 SiC納米棒、納米帶與納米線
5．1．2 SiC納米管與中空納米纖維
5．1．3 SiC納米光纜
5．1．4 SiC納米陣列
5．2 Csf／SiC納米線協(xié)同增韌SiC復(fù)合材料
5．2．1 Csf／SiCnw增韌SiC基復(fù)合材料設(shè)計(jì)
5．2．2 熱處理溫度的影響
5．2．3 熱處理時(shí)間的影響
5．2．4 SiC納米線生長(zhǎng)機(jī)制
5．2．5 SiC納米線增韌機(jī)制
第6章 SiC基陶瓷的燒結(jié)
6．1 SiC陶瓷燒結(jié)助劑概論
6．1．1 SiC陶瓷的固相燒結(jié)
6．1．2 SiC陶瓷的液相燒結(jié)
6．2 無(wú)壓燒結(jié)Al2O3-La2O3-SiC陶瓷
6．2．1 助劑含量對(duì)SiC陶瓷性能的影響
6．2．2 燒結(jié)溫度對(duì)SiC陶瓷性能的影響
6．2．3 助劑比例對(duì)SiC陶瓷性能的影響
6．3 無(wú)壓燒結(jié)Al2O3-Er2O3-SiC／B4C復(fù)相陶瓷
6．3．1 燒結(jié)溫度對(duì)SiC／B4C復(fù)相陶瓷的影響
6．3．2 B4C含量對(duì)SiC／B4C復(fù)相陶瓷的影響
6．4 無(wú)壓燒結(jié)Al2O3-Yb2O3-SiC／B4C復(fù)相陶瓷
6．4．1 SiC／B4C陶瓷燒結(jié)致密化
6．4．2 SiC／B4C陶瓷相分析與組織觀察
6．5 熱壓Cp／SiC復(fù)合材料
6．5．1 Cp／SiC復(fù)合材料設(shè)計(jì)
6．5．2 Cp／SiC復(fù)合粉體分析
6．5．3 熱壓Cp／SiC材料微觀結(jié)構(gòu)
6．5．4 熱壓Cp／SiC材料性能表征
6．5．5 熱壓Cp／SiC材料氧化行為
參考文獻(xiàn)
《碳化硅及其復(fù)合材料的制造與應(yīng)用》：
1.陶瓷粉體原料
陶瓷粉體性質(zhì)包括粉體純度、顆粒大小、尺寸分布、表面形貌、顆粒表面荷電行為以及對(duì)添加劑的吸附能力等。粉體制備工藝和主要來(lái)源的不同將導(dǎo)致粉體表面性質(zhì)的差異。粉體團(tuán)聚狀態(tài)將影響粉體懸浮液的流變性質(zhì)，尤其是采用濕法成型制備，也將直接影響到整個(gè)體系的燒結(jié)性能和制品最終性能。陶瓷粉體純度對(duì)料漿乃至陶瓷燒結(jié)體性能都有明顯作用，尤其是在極端苛刻的條件下使用的高性能結(jié)構(gòu)陶瓷，陶瓷粉體的純度越高，力學(xué)等性能越好。過(guò)多雜質(zhì)將使制備的坯體密度降低，使得最終的燒結(jié)制品斷裂強(qiáng)度等力學(xué)性能大大下降。對(duì)于SiC和Si3 N4而言，空氣中放置的粉體會(huì)與空氣中的O2和H2O等發(fā)生緩慢反應(yīng)，在顆粒表面形成富氧層，在顆粒內(nèi)部形成O元素雜質(zhì)，同時(shí)還可能引入其他雜質(zhì)離子成分（如Fe2+等）。雜質(zhì)離子的存在，將會(huì)影響溶液中膠體行為，從而影響高固相含量懸浮液體的制備，也將對(duì)燒結(jié)過(guò)程的動(dòng)力學(xué)行為和晶界相的成分和性能產(chǎn)生影響。而對(duì)于某些具有規(guī)則形狀的性能優(yōu)良的高純度粉體顆粒而言，只需調(diào)整pH值，在不使用外加劑的條件下，便可在較寬pH值范圍內(nèi)制備高固相含量濃懸浮液。在粉體粒徑分布相近情況下，SiC粉料的來(lái)源不同時(shí)，其流變性能相差很大。國(guó)產(chǎn)SiC粉純度不高，在使用分散劑PEI時(shí)所形成的料漿最高固相含量的體積分?jǐn)?shù)為40%；德國(guó)進(jìn)口的SiC粉體純度較高，不使用分散劑，僅調(diào)節(jié)料漿pH值便可制備固相含量體積分?jǐn)?shù)高達(dá)55%的穩(wěn)定料漿。陶瓷粉體顆粒級(jí)配和粒度分布對(duì)穩(wěn)定料漿也產(chǎn)生明顯的影響作用。粒徑大的粉體能增加流動(dòng)性，有助于制備高固相含量的料漿，但顆粒之間空隙過(guò)大，將難于制備致密而均勻的坯體。同時(shí)大粒徑粉體表面能比較低，難于提供有利的燒結(jié)驅(qū)動(dòng)力，必將提高陶瓷燒結(jié)溫度；而粒徑小的粉體由于具有高的比表面積，導(dǎo)致體系表面能急劇升高，使其成為一個(gè)不穩(wěn)定熱力學(xué)體系，能提供陶瓷燒結(jié)驅(qū)動(dòng)力，降低燒結(jié)溫度。顆粒間產(chǎn)生范德華力，導(dǎo)致顆粒表面極易與其他原子相結(jié)合而成為動(dòng)力學(xué)穩(wěn)定體系，導(dǎo)致粉體團(tuán)聚。但就料漿穩(wěn)定性能而言，使用過(guò)多細(xì)粉則難于制備高固相含量的料漿。通過(guò)設(shè)計(jì)合理的陶瓷粉體顆粒級(jí)配，選擇合理的較寬的粒徑分布范圍和適當(dāng)顆粒形狀，對(duì)于高固相含量低黏度穩(wěn)定濃懸浮液的制備顯得尤為重要。就陶瓷粉體而言，制備高固相含量穩(wěn)定料漿的前提是粉體純度高、顆粒級(jí)配合理且粒度呈現(xiàn)為多峰模型分布。
2.預(yù)處理工藝
對(duì)于制備高固相含量的陶瓷穩(wěn)定料漿而言，粉體表面電荷屬性對(duì)料漿穩(wěn)定性影響作用明顯，粉體顆粒表面以及表面攜帶的雜質(zhì)離子的荷電行為對(duì)穩(wěn)定料漿的流變性能影響較大。目前改變粉體表面電荷屬性的預(yù)處理工藝主要包括液體洗滌、煅燒粉體以及粉體表面包覆等方法。
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