1 功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)
1．1 電力電子技術(shù)概述
1．1．1 電力電子技術(shù)發(fā)展的背景
1．1．2 電力電子技術(shù)與其他學(xué)科的關(guān)系
1．1．3 電力電子技術(shù)的發(fā)展
1．1．4 電力電子技術(shù)的應(yīng)用
1．2 功率半導(dǎo)體器件概述
1．2．1 半導(dǎo)體器件的分類
1．2．2 功率半導(dǎo)體器件命名規(guī)則
1．2．3 功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展
1．3 功率半導(dǎo)體器件的研制水平及主要用途
1．3．1 電力整流管
1．3．2 普通晶閘管及其派生器件
1．3．3 全控型功率半導(dǎo)體器件
1．3．4 復(fù)合型功率半導(dǎo)體器件
1．4 功率半導(dǎo)體器件模塊
1．4．1 晶閘管和整流二極管傳統(tǒng)模塊
1．4．2 晶閘管智能模塊
1．4．3 IGBT模塊
1．4．4 智能功率模塊
1．4．5 用戶專用電力模塊
1．4．6 集成電力電子模塊
1．5 功率半導(dǎo)體器件展望
1．5．1 功率半導(dǎo)體器件功率變換能力的不斷提升
1．5．2 新材料功率半導(dǎo)體器件
1．5．3 關(guān)于現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件發(fā)展趨勢(shì)的幾點(diǎn)看法


2 功率半導(dǎo)體器件工作原理、特性及主要參數(shù)
2．1 功率半導(dǎo)體器件的工作狀態(tài)
2．1．1 功率半導(dǎo)體器件的工作特征
2．1．2 功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用系統(tǒng)的組成
2．2 功率二極管
2．2．1 功率二極管的工作原理
2．2．2 功率二極管的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性
2．2．3 功率二極管的主要參數(shù)
2．2．4 功率二極管的類型
2．3 晶閘管
2．3．1 晶閘管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
2．3．2 晶閘管的工作原理
2．3．3 晶閘管的基本特性
2．3．4 晶閘管的基本參數(shù)
2．4 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2．4．1 結(jié)構(gòu)分類
2．4．2 工作機(jī)理
2．4．3 特性分析
2．5 IGBI、的結(jié)構(gòu)及特性
2．5．1 IGBq、的基本結(jié)構(gòu)
2．5．2 [GBT的工作原理
2．5．3 。IGBT的工作特性


3 功率半導(dǎo)體器件加工工藝
3．1 功率半導(dǎo)體器件加工流程
3．1．1 整流二極管基本工藝流程
3．1．2 晶閘管基本工藝流程
3．1．3 燒、蒸、堅(jiān)工序流程
3．1．4 硅片清洗處理
3．1．5 各工序檢查標(biāo)準(zhǔn)
3．2 擴(kuò)散工序
3．2．1 一維Fick擴(kuò)散方程
3．2．2 恒定擴(kuò)散系數(shù)
3．2．3 擴(kuò)散系數(shù)與溫度的關(guān)系
3．2．4 擴(kuò)散參數(shù)
3．3 氧化工藝
3．3．1 熱氧化原理
3．3．2 氧化層的作用
3．4 歐姆電極制備
3．4．1 鋁硅、鋁片處理
3．4．2 裝模
3．4．3 不同燒結(jié)效果產(chǎn)生的原因
3．5 臺(tái)面工藝
3．5．1 負(fù)角結(jié)構(gòu)原理
3．5．2 臺(tái)面腐蝕
3．5．3 臺(tái)面保護(hù)


4 功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)
4．1 晶閘管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
4．1．1 晶閘管的基本結(jié)構(gòu)
4．1．2 晶閘管結(jié)構(gòu)參數(shù)和電參數(shù)間的制約關(guān)系
4．1．3 程序設(shè)計(jì)的部分重要公式
4．2 晶閘管設(shè)計(jì)軟件的界面形式
4．2．1 主界面形式
4．2．2 參數(shù)驗(yàn)算功能模塊
4．2．3 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)功能模塊


5 功率半導(dǎo)體器件熱設(shè)計(jì)
5．1 功率半導(dǎo)體器件散熱方法
5．1．1 自然冷卻方法
5．1．2 強(qiáng)迫空氣冷卻方法
5．1．3 液體冷卻方法
5．2 大功率半導(dǎo)體器件用散熱器風(fēng)冷熱阻計(jì)算
5．2．1 傳熱的基本原理和公式
5．2．2 求解散熱器熱阻和繪制熱阻曲線的軟件
5．2．3 討論
5．3 散熱器的選擇


附錄 晶閘管設(shè)計(jì)程序
參考文獻(xiàn)