本書對(duì)復(fù)雜的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)智能調(diào)度問(wèn)題從理論到方法再到應(yīng)用,進(jìn)行了系統(tǒng)論述。主要內(nèi)容包括數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)調(diào)度框架、半導(dǎo)體制造系統(tǒng)數(shù)據(jù)預(yù)處理的方法、半導(dǎo)體生產(chǎn)線性能指標(biāo)相關(guān)性分析、智能化投料控制策略、一種模擬信息素機(jī)制的動(dòng)態(tài)派工規(guī)則、基于負(fù)載均衡的半導(dǎo)體生產(chǎn)線的動(dòng)態(tài)調(diào)度和性能指標(biāo)驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體生產(chǎn)線動(dòng)態(tài)調(diào)度方法、大

有機(jī)光功能材料與器件在信息、工業(yè)、國(guó)防、醫(yī)療等各個(gè)行業(yè)都有重要的應(yīng)用，是未來(lái)光子發(fā)展以及國(guó)際高技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)的重要陣地。本書重點(diǎn)介紹了有機(jī)光功能材料及其在激光器件方面的應(yīng)用，從光功能材料的發(fā)光機(jī)理、激發(fā)態(tài)過(guò)程及激光基礎(chǔ)理論出發(fā)，討論有機(jī)微納激光發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)的激光顯示應(yīng)用。

本書以作者及其研究團(tuán)隊(duì)多年的研究成果為基礎(chǔ)，系統(tǒng)地介紹了Ⅲ族氮化物發(fā)光二極管的材料外延、芯片制作、器件封裝和系統(tǒng)應(yīng)用，內(nèi)容集學(xué)術(shù)性與實(shí)用性為一體。全書共12章，內(nèi)容包括：Ⅲ族氮化物L(fēng)ED的基本原理、材料性質(zhì)及外延生長(zhǎng)理論，InGaN/GaN多量子阱材料及藍(lán)、綠光LED，AlGaN/GaN多量子阱材料及紫外LED，Ⅲ族氮

本書共分為6章：第1章是關(guān)于AlX(X=N,P,As)化合物的研究進(jìn)展的專題介紹，引出了現(xiàn)階段AlX(X=N,P,As)化合物的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。第二章以實(shí)驗(yàn)上已有AlX(X=N,P,As)化合物物相為對(duì)象，開展AlX(X=N,P,As)化合物的性質(zhì)研究及對(duì)比分析，闡明組分改變對(duì)相同結(jié)構(gòu)的AlX化合物的性質(zhì)影響規(guī)律。第三章中

本書首先對(duì)不同類型的IGBT工作原理進(jìn)行了介紹，然后從IGBT的結(jié)構(gòu)出發(fā)，給出了IGBT中MOS結(jié)構(gòu)和雙極型結(jié)構(gòu)的工作原理，接下來(lái)詳細(xì)說(shuō)明了它們?nèi)绾斡绊慖GBT的正向傳導(dǎo)特性，詳細(xì)研究了IGBT模型，包括靜態(tài)、動(dòng)態(tài)和電熱行為，討論了IGBT中的閂鎖效應(yīng)，以及預(yù)防閂鎖的詳細(xì)處理方法。借助計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)工具深入研究了IGB

《晶體管非線性模型參數(shù)提取技術(shù)》旨在對(duì)晶體管模型參數(shù)提取提供全面的概述：一方面，基本前提是參數(shù)提取與建立基于物理模型本身同等重要；另一方面，即使對(duì)不同的技術(shù)，提取方法也往往基于同樣的想法和假設(shè)；因此，《晶體管非線性模型參數(shù)提取技術(shù)》的目的是給出一個(gè)較為寬泛的想法，聚焦于一個(gè)主題和概念，而非限定在某一特定的晶體管類型�！�

本書為“低維材料與器件叢書”之一。全書主要介紹低維半導(dǎo)體光子學(xué)的物理基礎(chǔ)，低維半導(dǎo)體材料制備與能帶調(diào)控、瞬態(tài)光學(xué)特性、光傳輸與光反饋、光子調(diào)控、非線性光學(xué)性質(zhì)和納米尺度光學(xué)表征與應(yīng)用，以及基于低維半導(dǎo)體材料或結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管、激光器、光調(diào)制器和非線性光學(xué)器件等，最后介紹了基于低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)集成光子器件與技術(shù)。本書力求為

SiC功率器件是電能變換的核心，是下一代電氣裝備的基礎(chǔ)，在消費(fèi)電子、智能電網(wǎng)、電氣化交通、國(guó)防軍工等領(lǐng)域，具有不可替代的作用。SiC功率器件的性能表征、封裝測(cè)試和系統(tǒng)集成，具有重要的研究?jī)r(jià)值和應(yīng)用前景。圍繞SiC功率器件的基礎(chǔ)研究和前沿應(yīng)用，本書系統(tǒng)介紹了SiC功率器件的研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)，分析了器件的電-熱性能表征方

本教材提供了關(guān)于軟件設(shè)計(jì)深入的介紹，重點(diǎn)關(guān)注面向?qū)ο蟮脑O(shè)計(jì)，并使用Java編程語(yǔ)言。目的是通過(guò)發(fā)掘設(shè)計(jì)過(guò)程中的經(jīng)驗(yàn)來(lái)幫助讀者學(xué)習(xí)軟件設(shè)計(jì)。使用這樣一種敘述方式：在上下文中介紹設(shè)計(jì)知識(shí)的每一個(gè)元素，并探索不同的解決方案，同時(shí)輔以數(shù)百個(gè)代碼片段和設(shè)計(jì)圖。

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