"為了應對我國在集成電路領域,尤其是光刻技術方面嚴重落后于發(fā)達國家的局面,破解光刻制造設備、材料和光學鄰近效應修正軟件幾乎完全依賴進口的困境,作為從事光刻工藝研發(fā)近20年的資深研發(fā)人員,作者肩負著協(xié)助光刻設備、材料和軟件等產業(yè)鏈共同研發(fā)和發(fā)展的責任,將為了應對我國在集成電路領域，尤其是光刻技術方面嚴重落后于發(fā)達國家的局

以GaN為襯底材料的Ⅲ-Ⅴ族氮化物（包括AlN、GaN、InN及相關合金）是極為重要的寬禁帶半導體材料，這類氮化物材料和器件的發(fā)展十分迅速。本書通過理論介紹與具體實驗范例相結合的方式對氮化物半導體材料及器件進行介紹，并系統(tǒng)地講解了目前廣泛應用的氮化物光電器件與氮化物電力電子器件，使讀者能夠充分了解二者之間內在的聯系與區(qū)

半導體制造作為微電子與集成電路行業(yè)中非常重要的環(huán)節(jié)，其工藝可靠性是決定芯片性能的關鍵。本書詳細描述和分析了半導體器件制造中的可靠性和認定，并討論了基本的物理和理論。本書涵蓋了初始規(guī)范定義、測試結構設計、測試結構數據分析，以及工藝的最終認定，是一本實用的、全面的指南，提供了驗證前端器件和后端互連的測試結構設計的實際范例。

本書以光學/儀表級復合材料為應用背景，以高比模量、高比強度、低膨脹、高導熱及高尺寸穩(wěn)定性等性能為目標，針對中等體積分數SiCp/Al復合材料的制備及性能調控難題，介紹了粉末冶金法制備SiCp/Al復合材料優(yōu)化工藝，通過碳化硅顆粒尺寸調控實現復合材料的性能改進，進一步介紹了不同碳化硅顆粒尺寸調控下復合材料的力學性能、界面

本書主要內容是介紹TO2光催化劑的局限性，以及利用構筑TiO2基納米異質結來提高其光電化學性能。具體包括通過水熱法、陽極氧化等方法制備m&t-BiVO4/TiO2-NTAs、TiO2/PSA、CdS/PSA和CdS/TiO2-NTAs等納米異質結光催化劑，分析它們的電荷轉移機制和光電化學性能。

本書旨在系統(tǒng)探討超快光譜在半導體納米異質結電荷轉移與光電化學性能方面的應用，主要內容包括納米異質結復合體系的構筑與表征，TiO2/Au/Cu2O納米管復合體系表(界)面紫外光生電荷動力學行為，TiO2/BiVO4納米管復合體系表(界)面紫外光生電荷動力學行為，TiO2/Mo2S納米管復合體系表(界)面紫外光生電荷動力學

本書概述了業(yè)界前沿研究者所采取的技術方法，以及他們所面臨的挑戰(zhàn)和在該領域所取得的進展。具體內容包括寬禁帶半導體器件中的熱問題、氮化鎵(GaN)及相關材料的第一性原理熱輸運建模、多晶金剛石從介觀尺度到納米尺度的熱輸運、固體界面熱輸運基本理論、氮化鎵界面熱導上限的預測和測量、AlGaN/GaNHEMT器件物理與電熱建模、氮

本書是國外學者們對寬禁帶半導體封裝技術和趨勢的及時總結。首先，對寬禁帶功率器件的發(fā)展趨勢做了總結和預演判斷，講述寬禁帶功率半導體的基本原理和特性，包括其獨特的物理和化學屬性，以及它們在極端環(huán)境下的潛在優(yōu)勢。接著介紹封裝材料的選擇和特性，分別就互連技術和襯底展開論述，同時，介紹了磁性材料，并對不同材料結構的熱性能，以及冷

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶功率半導體器件具有導通電阻低、擊穿電壓高、開關速度快及熱傳導性好等優(yōu)點，相比傳統(tǒng)的Si基功率器件，可簡化功率電子系統(tǒng)拓撲結構，減小系統(tǒng)損耗和體積，因而對功率電子系統(tǒng)的發(fā)展至關重要。然而，由于寬禁帶器件的外延材料和制備工藝仍不完善，器件界面缺陷密度大等問題，使得寬禁帶功率器件在高溫、高

"本書基于作者團隊多年的光刻工藝（包括先進光刻工藝）研發(fā)經驗，從集成電路工廠的基本結構、半導體芯片制造中常用的控制系統(tǒng)、圖表等基本內容出發(fā)，依次介紹光刻基礎知識，一個6晶體管靜態(tài)隨機存儲器的電路結構與3個關鍵技術節(jié)點中SRAM制造的基本工藝流程，光刻機的發(fā)展歷史、光刻工藝8步流程、光刻膠以及掩模版類型，光刻工藝標準化與