本書系統(tǒng)介紹了人工晶體生長的基礎(chǔ)理論和相圖技術(shù)，在此基礎(chǔ)上全面介紹了人工晶體生長主流技術(shù)如水溶液法、助熔劑法、水熱法、焰熔法、提拉法和坩堝下降法等，詳細(xì)介紹了上述人工晶體生長技術(shù)的基本原理、設(shè)備設(shè)計(jì)與構(gòu)造、生長工藝以及它們的優(yōu)缺點(diǎn)等。同時(shí)，作者結(jié)合自身多年科研工作成果積累，選擇性介紹了幾種重要的光電子晶體材料的生長技術(shù)

傳統(tǒng)的晶體生長理論模型創(chuàng)建時(shí)，受時(shí)代限制，缺乏原位實(shí)時(shí)觀測晶體生長過程微觀結(jié)構(gòu)演化的實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)，難以真實(shí)、完整地反映晶體生長過程中微觀結(jié)構(gòu)的演化。本書突破了晶體生長機(jī)理研究的傳統(tǒng)思維，采用高溫激光顯微拉曼光譜和同步輻射Ｘ射線衍射等現(xiàn)代觀測技術(shù)，從微觀尺度上，原位實(shí)時(shí)觀測晶體生長過程中微觀結(jié)構(gòu)的演化。發(fā)現(xiàn)了晶體熔融生長時(shí)，

本書主要介紹了晶體生長技術(shù)及相關(guān)晶體缺陷，結(jié)合計(jì)算流體力學(xué)數(shù)值模擬和實(shí)驗(yàn)研究，系統(tǒng)的從熱流體輸運(yùn)、化學(xué)反應(yīng)等方面闡明了晶體生長技術(shù)的要點(diǎn)和優(yōu)化方法。為了讀者更系統(tǒng)的了解晶體缺陷的理論和研究方法，本書也詳細(xì)介紹了分子動(dòng)力學(xué)和第一性原理的研究策略，并應(yīng)用于晶體缺陷的研究。本書的研究涵蓋了宏觀和微觀的研究方法和理論，把傳統(tǒng)的

本書分4篇探討晶體生長的原理與技術(shù)。第一篇為晶體生長的基本原理，分5章對晶體生長的熱力學(xué)原理、動(dòng)力學(xué)原理、界面過程、生長形態(tài)及晶體生長初期的形核相關(guān)原理進(jìn)行論述。第二篇為晶體生長的技術(shù)基礎(chǔ)，分3章進(jìn)行晶體生長過程的涉及傳輸行為(傳質(zhì)、傳熱、對流)、化學(xué)基礎(chǔ)問題(材料的提純與合成問題)以及物理基礎(chǔ)(電、磁、力的作用原理)

晶體是粒子在三維空間中作周期性排列而構(gòu)成的物體。在工業(yè)時(shí)代，晶體的人工制備展現(xiàn)了智力勞動(dòng)創(chuàng)造的知識、技術(shù)與物質(zhì)結(jié)合所產(chǎn)生的巨大力量。晶體又是一類具有特定使用性能的基礎(chǔ)材料，在現(xiàn)代高技術(shù)發(fā)展中扮演著舉足輕重的角色。本書表述了作者在長期實(shí)踐中形成的對晶體制備研究若干重要問題的一些認(rèn)識，其中包括：晶體制備研究在晶體研究體系結(jié)

晶體生長科學(xué)與技術(shù)(第二版）（上冊

晶體生長科學(xué)與技術(shù)(第二版）（下冊）

本書內(nèi)容包括：常壓酸化法制備碳酸鈣晶須的試驗(yàn)研究；水熱合成法制備碳酸鈣晶須的試驗(yàn)研究；雜質(zhì)對碳酸鈣晶須性能影響研究；偏溶法表面改性碳酸鈣晶須的試驗(yàn)研究等。

本書對坩堝下降法的歷史進(jìn)行總結(jié)回顧，并分章節(jié)重點(diǎn)介紹幾種功能晶體的生長和應(yīng)用，包括閃爍晶體鍺酸鉍、硅酸鉍及其混晶，四硼酸鋰壓電晶體生長與應(yīng)用，鹵化物晶體坩堝下降法生長與閃爍性能，鎢酸鉛閃爍晶體及其在大科學(xué)工程中的應(yīng)用，弛豫鐵電單晶生長于表征進(jìn)展，鎢酸鎘閃爍晶體的坩堝下降法生長研究，中紅外非線性光學(xué)晶體磷化鍺鋅和砷化鍺鎘