《半導體結構》主要內容總體可被劃分為兩個部分，分別是晶體的結構理論和晶體的缺陷理論。第一部分主要圍繞理想晶體（完美晶體）的主要性質與基本概念撰寫，加深讀者對晶體結構和關鍵性質的理解。第一部分擬通過五個章節(jié)分別介紹晶體的基本概念、晶體結構、對稱性、晶體結構描述方法及典型半導體晶體的重要物理、化學特性和這些特性與晶體微觀、

本書講述了功率半導體器件的基本原理，涵蓋Si器件、SiC器件，GaN器件以及GaAs器件等；綜合分析和呈現(xiàn)了不同類型器件的封裝形式、工藝流程、材料參數(shù)、器件特性和技術難點等；將功率器件測試分為特性測試、極限能力測試、高溫可靠性測試、電應力可靠性測試和壽命測試等，并詳細介紹了測試標準、方法和原理，同步分析了測試設備和數(shù)據

集成電路與等離子體裝備

彈性半導體結構的機械變形-電場-熱場-載流子分布等物理場的耦合分析十分復雜。《彈性半導體的多場耦合理論與應用》基于連續(xù)介質力學、連續(xù)介質熱力學及靜電學的基本原理，建立了半導體的連續(xù)介質物理模型。以該模型為基礎，采用材料力學及板殼力學的建模方法系統(tǒng)地研究了典型彈性半導體結構中的多場耦合問題，包括一維和二維壓電半導體結構（

目前以有機/聚合物和半導體量子點為代表的新型電致發(fā)光材料與器件受到了國內外眾多企業(yè)和人士的廣泛關注。本書從新型電致發(fā)光材料與器件原理，以及關鍵材料的開發(fā)與應用技術出發(fā)，內容涵蓋有機電致發(fā)光概念與過程、有機電致發(fā)光材料、有機電致發(fā)光器件、半導體量子點材料、半導體量子點電致發(fā)光器件、鹵素鈣鈦礦材料及其電致發(fā)光器件等。全書反

本書基于當前半導體行業(yè)制造過程中存在的問題，介紹了多種改進的批間控制和過程監(jiān)控算法及其性能。第1章為半導體制造過程概述，包括國內外研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。第2、3章介紹批間控制、控制性能和制造過程監(jiān)控。第4～7章討論機臺干擾、故障、度量時延對系統(tǒng)性能的影響，提出多種批間控制衍生算法，包括雙產品制程的EWMA批間控制算法、變

本書系統(tǒng)介紹了用于材料位移損傷研究的多尺度模擬方法，包括輻射與材料相互作用模擬方法、分子動力學方法、動力學蒙特卡羅方法、第一性原理方法、器件電學性能模擬方法等，模擬尺寸從原子尺度的10.10m到百納米，時間從亞皮秒量級到106s，并給出了多尺度模擬方法在硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵材料位移損傷研究中的應用，揭示了典型半導

本書全面闡述了半導體刻蝕加工及金屬輔助化學刻蝕加工原理與工藝，詳細講述了硅折點納米線、超高深徑比納米線、單納米精度硅孔陣列三類典型微/納米結構的刻蝕加工工藝，并對第三代半導體碳化硅的電場和金屬輔助化學刻蝕復合加工、第三代半導體碳化硅高深寬比微槽的紫外光場和濕法刻蝕復合加工工藝進行了詳細論述。

傳感器是信息獲取的源頭，位于信息技術鏈條的最前端。本書從氣體傳感器的應用領域和系統(tǒng)分類出發(fā)，重點圍繞基于混成電位原理的固體電解質氣體傳感器的研究進展、發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢進行介紹。本書主要內容包括固體電解質氣體傳感器的種類和特點、釔穩(wěn)定氧化鋯基混成電位型氣體傳感器的混成電位原理、增感策略、高效三相界面構筑、其他增感策略以

超結是功率半導體器件領域的創(chuàng)新的耐壓層結構之一，它將常規(guī)阻型耐壓層質變?yōu)镻N結型耐壓層，突破了傳統(tǒng)比導通電阻和耐壓之間的硅極限關系（Ron,spVB^2.5），將2.5次方關系降低為1.32次方，甚至是1.03次方關系，被譽為功率半導體器件發(fā)展的里程碑。本書概述了功率半導體器件的基本信息，重點介紹了作者在功率超結器件研

單片智能功率芯片是一種功能與結構高度集成化的高低壓兼容芯片，其內部集成了高壓功率器件、高低壓轉換電路及低壓邏輯控制電路等，高壓厚膜SOI基橫向IGBT器件（高壓厚膜SOI-LIGBT器件）在其中被用作開關器件，是該芯片中的核心器件，其性能直接決定了芯片的可靠性和功耗。本書共7章：介紹了厚膜SOI-LIGBT器件的工作原

本書主要以幾種新型的納米多孔GaN基薄膜為研究對象，系統(tǒng)地介紹了其納米孔結構的制備及特性研究，為其在光解水、發(fā)光器件、柔性器件及可穿戴設備等領域的應用奠定了理論和實驗基礎。

本書以著名光子學家郭光燦院士指出的“書乃明理于本始，惠澤于世人……探微索隱，刻意研精，識其真要，奉獻讀者”為旨要，以12章成體，以激光單元技術和應用技術為用。首先對各種單元技術結構特點、運轉機理等基礎知識進行介紹；然后分別介紹激光調制、偏轉、調Q、超短脈沖、放大、橫模選取、縱模選取、穩(wěn)頻、非線性光學、激光微束等技術，其

本書根據國內外近十幾年來氧化物半導體TiO2和WO3的氧空位調控及其光學、電學和磁學特性的研究進展，結合作者的研究成果撰寫而成，系統(tǒng)地介紹了采用離子注入、水熱法和真空退火等技術方法，通過對TiO2和WO3氧空位缺陷的分布、濃度的調控，進而實現(xiàn)對光學、電學和磁學性質的調制，獲得更為理想的鐵磁性能和表面增強拉曼光譜性能。本

全書較為系統(tǒng)地論述了壓接型IGBT器件封裝疲勞失效機理及其可靠性建模與測評等，既有理論原理、仿真分析、又有實驗測試等。全書內容可為高壓大功率壓接器件的可靠性設計優(yōu)化和測試奠定理論基礎；同時也為實現(xiàn)柔直裝備安全運行的狀態(tài)評估和主動運維提供技術支撐，從而進一步支撐以高壓大功率IGBT器件為核心的柔直裝備及電力系統(tǒng)安全。

本書介紹了主要半導體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為硅和鍺的化學制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長；第4章為硅、鍺晶體中的雜質和缺陷；第5章為硅外延生長；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體；第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的外延生長；第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導體；第9章為Ⅱ

半導體光電子學是研究半導體光子和光電子器件的學科，涉及各種半導體光電子器件的物理概念、工作原理及制作技術，在能源、顯示、傳感和通信等領域都擁有廣泛的應用。《BR》本書主要包括半導體材料基本性質、半導體光電子器件基本結構、載流子注入與速率方程、半導體激光器基本理論、光信號調制、半導體光電探測器、太陽能光熱與光伏、半導體光

本書采用通俗易懂的語言、圖文并茂的形式，詳細講解了智能制造SMT設備操作與維護的相關知識，覆蓋了SMT生產線常用的設備，主要包括上板機、印刷機、SPI設備、雙軌平移機、貼片機、AOI設備、緩存機、回流焊、X-ray激光檢測儀、AGV機器人、傳感器、烤箱、電橋等，還對SMT生產線的運行管理做了介紹。本書內容豐富實用，講解

薄膜晶體管（TFT）是一種金屬-絕緣層-半導體場效應管，迄今已經歷了60年的發(fā)展，在原理與技術方面的創(chuàng)新層出不窮。《薄膜晶體管原理與技術》首先概述TFT的物理基礎及典型薄膜工藝原理；接著以氫化非晶硅、低溫多晶硅、金屬氧化物和有機TFT為主，系統(tǒng)介紹TFT相關的材料、器件及制備技術；再以有源驅動液晶顯示和有機發(fā)光顯示兩種

本書面向世界科技前沿和國家重大需求，針對高效率Ⅲ族氮化物LED芯片設計和制造的關鍵問題，基于作者在III族氮化物LED外延生長和芯片制造領域十余年的研究基礎和產業(yè)化經驗，融入國內外同行在這一領域的研究成果，從藍光/綠光/紫外LED外延結構設計與材料生長、水平結構/倒裝結構/垂直結構/高壓LED芯片設計與制造工藝、LED