本書(shū)系統(tǒng)介紹了人工晶體生長(zhǎng)的基礎(chǔ)理論和相圖技術(shù)，在此基礎(chǔ)上全面介紹了人工晶體生長(zhǎng)主流技術(shù)如水溶液法、助熔劑法、水熱法、焰熔法、提拉法和坩堝下降法等，詳細(xì)介紹了上述人工晶體生長(zhǎng)技術(shù)的基本原理、設(shè)備設(shè)計(jì)與構(gòu)造、生長(zhǎng)工藝以及它們的優(yōu)缺點(diǎn)等。同時(shí)，作者結(jié)合自身多年科研工作成果積累，選擇性介紹了幾種重要的光電子晶體材料的生長(zhǎng)技術(shù)

傳統(tǒng)的晶體生長(zhǎng)理論模型創(chuàng)建時(shí)，受時(shí)代限制，缺乏原位實(shí)時(shí)觀測(cè)晶體生長(zhǎng)過(guò)程微觀結(jié)構(gòu)演化的實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)，難以真實(shí)、完整地反映晶體生長(zhǎng)過(guò)程中微觀結(jié)構(gòu)的演化。本書(shū)突破了晶體生長(zhǎng)機(jī)理研究的傳統(tǒng)思維，采用高溫激光顯微拉曼光譜和同步輻射Ｘ射線(xiàn)衍射等現(xiàn)代觀測(cè)技術(shù)，從微觀尺度上，原位實(shí)時(shí)觀測(cè)晶體生長(zhǎng)過(guò)程中微觀結(jié)構(gòu)的演化。發(fā)現(xiàn)了晶體熔融生長(zhǎng)時(shí)，

本書(shū)主要介紹了晶體生長(zhǎng)技術(shù)及相關(guān)晶體缺陷，結(jié)合計(jì)算流體力學(xué)數(shù)值模擬和實(shí)驗(yàn)研究，系統(tǒng)的從熱流體輸運(yùn)、化學(xué)反應(yīng)等方面闡明了晶體生長(zhǎng)技術(shù)的要點(diǎn)和優(yōu)化方法。為了讀者更系統(tǒng)的了解晶體缺陷的理論和研究方法，本書(shū)也詳細(xì)介紹了分子動(dòng)力學(xué)和第一性原理的研究策略，并應(yīng)用于晶體缺陷的研究。本書(shū)的研究涵蓋了宏觀和微觀的研究方法和理論，把傳統(tǒng)的

本書(shū)分4篇探討晶體生長(zhǎng)的原理與技術(shù)。第一篇為晶體生長(zhǎng)的基本原理，分5章對(duì)晶體生長(zhǎng)的熱力學(xué)原理、動(dòng)力學(xué)原理、界面過(guò)程、生長(zhǎng)形態(tài)及晶體生長(zhǎng)初期的形核相關(guān)原理進(jìn)行論述。第二篇為晶體生長(zhǎng)的技術(shù)基礎(chǔ)，分3章進(jìn)行晶體生長(zhǎng)過(guò)程的涉及傳輸行為(傳質(zhì)、傳熱、對(duì)流)、化學(xué)基礎(chǔ)問(wèn)題(材料的提純與合成問(wèn)題)以及物理基礎(chǔ)(電、磁、力的作用原理)

晶體生長(zhǎng)科學(xué)與技術(shù)(第二版）（上冊(cè)