輻射在半導(dǎo)體器件中電離產(chǎn)生電子-空穴對，長時(shí)間輻射劑量累積引起半導(dǎo)體器件電離輻射總劑量效應(yīng)。電離輻射總劑量效應(yīng)是輻射效應(yīng)中最常見的一種，會(huì)導(dǎo)致器件性能退化、閾值電壓漂移、遷移率下降、動(dòng)態(tài)和靜態(tài)電流增加，甚至功能失效，因此在輻射環(huán)境中工作的半導(dǎo)體器件和電子系統(tǒng)必須考慮電離輻射總劑量效應(yīng)問題。本書主要介紹空間輻射環(huán)境與效應(yīng)、體硅CMOS器件電離輻射總劑量效應(yīng)、雙極器件電離輻射總劑量效應(yīng)、SOI器件電離輻射總劑量效應(yīng)、電離輻射總劑量效應(yīng)模擬試驗(yàn)方法、MOS器件電離輻射總劑量效應(yīng)預(yù)估、納米器件電離輻射總劑量效應(yīng)與可靠性、系統(tǒng)級電離輻射總劑量效應(yīng)等內(nèi)容。

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