本書依據(jù)“教育部電子信息科學(xué)與電氣信息類基礎(chǔ)課程教學(xué)指導(dǎo)分委員會(huì)”制訂的“電子技術(shù)基礎(chǔ)（A）課程教學(xué)基本要求”修訂。本書上一版以通俗易懂、便于自學(xué)的特點(diǎn)廣受全國(guó)高校師生歡迎，是電子技術(shù)基礎(chǔ)課程比較有影響的教材之一。本次修訂主要有以下變化：1.刪減比較陳舊的內(nèi)容，加強(qiáng)對(duì)新技術(shù)的介紹，如集成運(yùn)算放大器和其他模擬集成電路的應(yīng)用。2.引入 EDA內(nèi)容，每章增加Multisim仿真實(shí)例，仿真圍繞教學(xué)的基本要求和重點(diǎn)內(nèi)容進(jìn)行。3.將功率放大器的內(nèi)容提前安排在第4章。
全書內(nèi)容共10章，分別是半導(dǎo)體器件、放大電路的基本原理和分析方法、放大電路的頻率響應(yīng)、功率放大電路、集成運(yùn)算放大電路、放大電路中的反饋、模擬信號(hào)運(yùn)算電路、信號(hào)處理電路、波形發(fā)生電路、直流電源。
本書簡(jiǎn)明扼要，深人淺出，便于自學(xué)，可作為高校電氣信息類及相關(guān)專業(yè)“模擬電子技術(shù)”課程教材，也可供從事電子技術(shù)工作的工程技術(shù)人員參考。

第1章 半導(dǎo)體器件
　內(nèi)容提要
　1.1 半導(dǎo)體的特性
　　1.1.1 本征半導(dǎo)體
　　1.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體
　1.2 半導(dǎo)體二極管
　　1.2.1 PN結(jié)及其單向?qū)щ娦?br>　　1.2.2 二極管的伏安特性
　　1.2.3 二極管的主要參數(shù)
　　1.2.4 穩(wěn)壓管
　1.3 雙極結(jié)型三極管
　　1.3.1 三極管的結(jié)構(gòu)
　　1.3.2 三極管中載流子的運(yùn)動(dòng)和電流分配關(guān)系
　　1.3.3 三極管的特性曲線
　　1.3.4 三極管的主要參數(shù) 第1章 半導(dǎo)體器件
　內(nèi)容提要
　1.1 半導(dǎo)體的特性
　　1.1.1 本征半導(dǎo)體
　　1.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體
　1.2 半導(dǎo)體二極管
　　1.2.1 PN結(jié)及其單向?qū)щ娦?br>　　1.2.2 二極管的伏安特性
　　1.2.3 二極管的主要參數(shù)
　　1.2.4 穩(wěn)壓管
　1.3 雙極結(jié)型三極管
　　1.3.1 三極管的結(jié)構(gòu)
　　1.3.2 三極管中載流子的運(yùn)動(dòng)和電流分配關(guān)系
　　1.3.3 三極管的特性曲線
　　1.3.4 三極管的主要參數(shù)
　1.4 場(chǎng)效應(yīng)三極管
　　1.4.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管
　　1.4.2 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管
　　1.4.3 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)
　1.5 半導(dǎo)體器件Multisim仿真實(shí)例
　本章小結(jié)
　習(xí)題與思考題
　Multisim仿真練習(xí)題
第2章 放大電路的基本原理和分析方法
　內(nèi)容提要
　2.1 放大的概念
　2.2 放大電路的主要技術(shù)指標(biāo)
2.3 單管共發(fā)射極放大電路
　　2.3.1 單管共發(fā)射極放大電路的組成
　　2.3.2 單管共發(fā)射極放大電路的工作原理
　2.4 放大電路的基本分析方法
　　2.4.1 直流通路與交流通路
　　2.4.2 靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算
　　2.4.3 圖解法
　　2.4.4 微變等效電路法
　2.5 靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定問題
　　2.5.1 溫度對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響
　　2.5.2 分壓式靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定電路
　2.6 雙極型三極管放大電路的三種基本組態(tài)
　　2.6.1 共集電極放大電路
　　2.6.2 共基極放大電路
　　2.6.3 三種基本組態(tài)的比較
　2.7 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路
　　2.7.1 共源極放大電路
　　2.7.2 分壓一自偏壓式共源極放大電路
　　2.7.3 共漏極放大電路
　2.8 多級(jí)放大電路
　　2.8.1 多級(jí)放大電路的耦合方式
　　2.8.2 多級(jí)放大電路的電壓放大倍數(shù)和輸入、輸出電阻
　2.9 基本放大電路Multisim仿真實(shí)例
　本章小結(jié)
　習(xí)題與思考題
　Multisim仿真練習(xí)題
第3章 放大電路的頻率響應(yīng)
　內(nèi)容提要
　3.1 頻率響應(yīng)的一般概念
　　3.1.1 幅頻特性和相頻特性
　　3.1 2 下限頻率、上限頻率和通頻帶
　　3.1 3 頻率失真
　　3.1.4 波特圖
　　3.1.5 高通電路和低通電路
　3.2 三極管的頻率參數(shù)
　　3.2.1 共射截止頻率
　　3.2.2 特征頻率
　　3.2.3 共基截止頻率
　3.3 單管共射放大電路的頻率響應(yīng)
　　3.3.1 三極管的混合叮r型等效電路
　　3.3.2 阻容耦合單管共射放大電路的頻率響應(yīng)
　　3.3.3 直接耦合單管共射放大電路的頻率響應(yīng)
　3.4 多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng)
　　3.4.1 多級(jí)放大電路的幅頻特性和相頻特性
　　3.4.2 多級(jí)放大電路的上限頻率和下限頻率
　3.5 頻率響應(yīng)Multisim仿真實(shí)例
　本章小結(jié)
　習(xí)題與思考題
　Multisim仿真練習(xí)題
第4章 功率放大電路
　內(nèi)容提要
　4.1 功率放大電路的主要特點(diǎn)
　4.2 互補(bǔ)對(duì)稱式功率放大電路
　　4.2.1 電路組成和工作原理
　　4.2.2 互補(bǔ)對(duì)稱電路主要參數(shù)的估算
4.3 采用復(fù)合管的互補(bǔ)對(duì)稱式放大電路
　　4.3.1 復(fù)合管的接法及其盧和rbe
　　4.3.2 復(fù)合管組成的互補(bǔ)對(duì)稱放大電路
　4.4 集成功率放大器
　　4.4.1 集成功率放大器的電路組成
　　4.4.2 集成功率放大器的主要技術(shù)指標(biāo)
　　4.4.3 集成功率放大器的引腳和典型接法
　4.5 功率放大電路Multisim仿真實(shí)例
本章小結(jié)
習(xí)題與思考題
Multisim仿真練習(xí)題
第5章 集成運(yùn)算放大電路
　內(nèi)容提要
　5.1 集成放大電路的特點(diǎn)
　5.2 集成運(yùn)放的主要技術(shù)指標(biāo)
　5.3 集成運(yùn)放的基本組成部分
　　5.3.1 偏置電路
　　5.3.2 差分放大輸人級(jí)
　　5.3.3 中間級(jí)
　　5.3.4 輸出級(jí)
　5.4 集成運(yùn)放的典型電路
　　5.4.1雙極型集成運(yùn)放LM741
　　5.4.2 CMOS集成四運(yùn)放C14573
　5.5 各類集成運(yùn)放的性能特點(diǎn)
　5.6 集成運(yùn)放使用中的幾個(gè)具體問題
　　5.6.1 集成運(yùn)放參數(shù)的測(cè)試
　　5.6.2 使用中可能出現(xiàn)的異�，F(xiàn)象
　　5.6.3 集成運(yùn)放的保護(hù)
　5.7 集成運(yùn)算放大電路Multisim仿真實(shí)例
　本章小結(jié)
　習(xí)題與思考題
　Multisim仿真練習(xí)題
第6章 放大電路中的反饋
　內(nèi)容提要
　6.1 反饋的基本概念
　　6.1.1 什么是反饋
　　6.1.2 反饋的分類
　6.2 負(fù)反饋的四種組態(tài)和反饋的一般表達(dá)式
　　6.2.1 負(fù)反饋的四種組態(tài)
　　6.2.2 反饋的方塊圖和一般表達(dá)式
　6.3 負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響
　　6.3.1 提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性
　　6.3.2 減小非線性失真和抑制干擾
　　6.3.3 展寬頻帶
　　6.3.4 改變輸入電阻和輸出電阻
6.4 負(fù)反饋放大電路的分析計(jì)算
　　6.4.1 利用關(guān)系式上估算閉環(huán)電壓放大倍數(shù)聲
　　6.4.2 利用關(guān)系式估算閉環(huán)電壓放大倍數(shù)
　6.5 負(fù)反饋放大電路的自激振蕩
　　6.5.1 產(chǎn)生自激振蕩的原因
　　6.5 2 常用的校正措施
　6.6 反饋放大電路Multisim仿真實(shí)例
　本章小結(jié)
　習(xí)題與思考題
　Multisim仿真練習(xí)題
第7章 模擬信號(hào)運(yùn)算電路
　內(nèi)容提要
　7.1 理想運(yùn)放的概念
　　7.1.1 什么是理想運(yùn)放
　　7.1.2 理想運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí)的特點(diǎn)
　　7.1.3 理想運(yùn)放工作在非線性區(qū)時(shí)的特點(diǎn)
　7.2 比例運(yùn)算電路
　　7.2.1 反相比例運(yùn)算電路
　　7.2.2 同相比例運(yùn)算電路
　　7.2.3 差分比例運(yùn)算電路
　　7.2.4 實(shí)用電路舉例
　7.3 求和電路
　　7.3.1 反相輸入求和電路
　　7.3.2 同相輸人求和電路
　7.4 積分和微分電路
　　7.4.1 積分電路
　　7.4.2 微分電路
　7.5 對(duì)數(shù)和指數(shù)電路
　　7.5.1 對(duì)數(shù)電路
　　7.5.2 指數(shù)電路
　7.6 乘法和除法電路
　　7.6.1 由對(duì)數(shù)及指數(shù)電路組成的乘除電路
　　7.6.2 模擬乘法器
　7.7 運(yùn)算電路Multisim仿真實(shí)例
　本章小結(jié)
　習(xí)題與思考題
　Multisim仿真練習(xí)題
第8章 信號(hào)處理電路
　內(nèi)容提要
　8.1 有源濾波器
　　8.1.1 濾波電路的作用和分類
　　8.1.2 低通濾波器（LPF）
　　8.1.3 高通濾波器（HPF）
　　8.1.4 帶通濾波器（BPF）
　　8.1.5 帶阻濾波器（BEF）
　8.2 電壓比較器
　　8.2.1 過零比較器
　　8.2.2 單限比較器
　　8.2.3 滯回比較器
　　8.2.4 雙限比較器
　　8.2.5 集成電壓比較器
　8.3 信號(hào)處理電路Multisim仿真實(shí)例
　本章小結(jié)
　習(xí)題與思考題
　Multisim仿真練習(xí)題
第9章 波形發(fā)生電路
　內(nèi)容提要
　9.1 正弦波振蕩電路的分析方法
　　9.1.1 產(chǎn)生正弦波振蕩的條件
　　9.1.2 正弦波振蕩電路的組成
　　9.1.3 正弦波振蕩電路的分析步驟
　9.2 RC正弦波振蕩電路
　　9.2.1 RC串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的選頻特性
　　9.2.2 RC串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)振蕩電路
　9.3 LC正弦波振蕩電路
　　9.3.1 LC并聯(lián)電路的選頻特性
　　9.3.2 變壓器反饋式振蕩電路
　　9.3.3 電感三點(diǎn)式振蕩電路
　　9.3.4 電容三點(diǎn)式振蕩電路
　　9.3.5 改進(jìn)型電容三點(diǎn)式振蕩電路
　9.4 石英晶體振蕩器
　　9.4.1 石英晶體的基本特性和等效電路
　　9.4.2 石英晶體振蕩電路
　9.5 非正弦波發(fā)生電路
　　9.5.1 矩形波發(fā)生電路
　　9.5.2 三角波發(fā)生電路
　　9.5.3 鋸齒波發(fā)生電路
　9.6 渡形發(fā)生電路Multisim仿真實(shí)例
　本章小結(jié)
　習(xí)題與思考題
　Multisinl仿真練習(xí)題
第10章 直流電源
　內(nèi)容提要
10.1 直流電源的組成
　10.2 單相整流電路
　　10.2.1 單相半波整流電路
　　10.2.2 單相橋式整流電路
　　10.2.3 整流電路的主要參數(shù)
　10.3 濾波電路
　　10.3.1 電容濾波電路
　　10.3.2 電感濾波電路
　　10.3.3 復(fù)式濾波電路
　10.4 倍壓整流電路
　　10.4.1 二倍壓整流電路
　　10.4.2 多倍壓整流電路
　10.5 硅穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路
　　10.5.1 穩(wěn)壓電路的主要指標(biāo)
　　10.5.2 硅穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路的組成和工作原理
　　10.5.3 穩(wěn)壓電路的內(nèi)阻和穩(wěn)壓系數(shù)
　　10.5.4 穩(wěn)壓電路中限流電阻的選擇
　10.6 串聯(lián)型直流穩(wěn)壓電路
　　10.6.1 電路組成和工作原理
　　10.6.2 輸出電壓的調(diào)節(jié)范圍
　　10.6.3 調(diào)整管的選擇
　　10.6.4 穩(wěn)壓電路的過載保護(hù)
10.7 集成穩(wěn)壓器
　　10.7.1 三端集成穩(wěn)壓器的組成
　　10.7.2 三端集成穩(wěn)壓器的主要參數(shù)
　　10.7.3 三端集成穩(wěn)壓器的應(yīng)用
　10.8 開關(guān)型穩(wěn)壓電路
　　10.8.1 開關(guān)型穩(wěn)壓電路的特點(diǎn)和分類
　　10.8.2開關(guān)型穩(wěn)壓電路的組成和工作原理
　10.9 可控整流電路
　　10.9.1 晶閘管的基本特性
　　10.9.2 單相橋式可控整流電路
　　10.9.3 單結(jié)管觸發(fā)電路
　　10.10 直流電源Multisim仿真實(shí)例
　本章小結(jié)
　習(xí)題與思考題
　Multisim仿真練習(xí)題
附錄
　附錄A Mulfisim 7簡(jiǎn)介
　附錄B 集成運(yùn)放典型產(chǎn)品的技術(shù)指標(biāo)
　附錄C 光盤內(nèi)容簡(jiǎn)介
參考文獻(xiàn)

第1章 半導(dǎo)體器件
　　內(nèi)容提要
本章首先介紹半導(dǎo)體的特性，半導(dǎo)體中載流子的運(yùn)動(dòng)，闡明PN結(jié)的單向?qū)щ娦�，然后分別介紹半導(dǎo)體二極管、穩(wěn)壓二極管、雙極型三極管以及場(chǎng)效應(yīng)三極管的結(jié)構(gòu)、工作原理、特性曲線和主要參數(shù)。
　　1．1 半導(dǎo)體的特性
　　半導(dǎo)體器件是構(gòu)成各種電子電路——包括模擬電路和數(shù)字電路、集成電路和分立元件電路的基礎(chǔ)。而這些半導(dǎo)體器件主要是利用各種半導(dǎo)體材料制成的，例如硅(Si)和鍺(Ge)等。
半導(dǎo)體的主要特性是什么呢?通常將導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的一大類物質(zhì)統(tǒng)稱為半導(dǎo)體。而半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能是由其原子結(jié)構(gòu)決定的。以硅為例，它的原子序數(shù)是14，在硅原子中共有14個(gè)電子圍繞原子核旋轉(zhuǎn)，最外層的軌道上有4個(gè)電子，通常稱為價(jià)電子。鍺的原子序數(shù)是32，原子最外層的軌道上也有4個(gè)價(jià)電子，所以硅和鍺都是4價(jià)元素。為了簡(jiǎn)單明了，常常用帶有+4電荷的正離子以及它周圍的4個(gè)價(jià)電子來表示一個(gè)4價(jià)元素的原子，如圖1．1．1所示。
在硅或鍺的晶體中，原子在空間排列成規(guī)則的晶格。其中每個(gè)原子最外層的價(jià)電子，不僅受到自身原子核的束縛，同時(shí)也受到相鄰原子核的吸引。因此，每個(gè)價(jià)電子不僅圍繞自身的原子核，同時(shí)也圍繞相鄰的原子核而運(yùn)動(dòng)。也就是說，兩個(gè)相鄰的原子共有一對(duì)價(jià)電子，這一對(duì)價(jià)電子組成所謂的共價(jià)鍵，如圖1．1．2所示。在硅或鍺的晶體中，每個(gè)原子都與周圍的4個(gè)原子以共價(jià)鍵的形式緊密地聯(lián)系在一起，組成整齊的晶格。
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