本書以第三代半導(dǎo)體與二維材料相結(jié)合的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用為目標(biāo),詳細(xì)介紹了二維材料上準(zhǔn)范德華外延氮化物的理論計(jì)算、材料生長、器件制備和應(yīng)用,內(nèi)容集學(xué)術(shù)性與實(shí)用性于一體。全書共8章,內(nèi)容包括二維材料及準(zhǔn)范德華外延原理及應(yīng)用、二維材料/氮化物準(zhǔn)范德華外延界面理論計(jì)算、二維材料/氮化物準(zhǔn)范德華外延成鍵成核、單晶襯底上氮化物薄膜準(zhǔn)范德華
氮化鋁晶體具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)等優(yōu)勢,是制備紫外發(fā)光器件和大功率電力電子器件的理想材料。本書以作者多年的研究成果為基礎(chǔ),參考國內(nèi)外的最新研究成果,詳細(xì)介紹了氮化鋁單晶材料生長與器件制備的基本原理、技術(shù)工藝、最新進(jìn)展及發(fā)展趨勢。本書共7章,內(nèi)容包括氮化鋁單晶材料的基本性質(zhì)、缺陷及其生長的物理基礎(chǔ),物理氣相傳輸
本書以圖解的方式深入淺出地講述了功率半導(dǎo)體制造工藝的各個(gè)技術(shù)環(huán)節(jié)。全書共分為10章,包括俯瞰功率半導(dǎo)體工藝全貌、功率半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)及運(yùn)作、各種功率半導(dǎo)體的作用、功率半導(dǎo)體的用途與市場、功率半導(dǎo)體的分類、用于功率半導(dǎo)體的硅晶圓、硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展、挑戰(zhàn)硅極限的SiC與GaN、功率半導(dǎo)體制造過程的特征、功率半導(dǎo)體開辟綠色
激光熱敏光刻具有以下特點(diǎn):1)寬波段光刻,這類光刻膠的吸收光譜一般都覆蓋從近紅外到極紫外的整個(gè)光刻曝光的波段,可以稱之為寬波段光刻膠;2)突破衍射極限的光刻,光刻特征尺寸不再受制于光學(xué)衍射極限,而是取決于熱致結(jié)構(gòu)變化區(qū)域的尺寸;3)跨尺度光刻,光刻中激光光斑的強(qiáng)度一般呈高斯分布,光斑中心的溫度高,沿四周擴(kuò)散并逐漸降低,
本書主要介紹了第一性原理及其在計(jì)算機(jī)模擬中各種參數(shù)的設(shè)置問題和實(shí)際模擬中的參數(shù)選擇,以及該方法在基于表面改性設(shè)計(jì)的氮化鎵/氮化銦納米線、氮化鎵納米薄膜等納米材料在外場(電場或應(yīng)變場)作用下電學(xué)性質(zhì)和磁學(xué)性質(zhì)研究中的應(yīng)用,并將材料進(jìn)一步拓展到外場下表面改性的類石墨烯(錫烯和鍺烯等)納米材料。
功率半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)
本書主要依據(jù)作者研究團(tuán)隊(duì)及國內(nèi)外金屬有機(jī)框架材料(MOFS)與半導(dǎo)體復(fù)合材料的研究進(jìn)展,系統(tǒng)介紹了不同種類的MOFS半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法,表征手段,電荷傳遞路徑,在不同污染環(huán)境中的催化應(yīng)用以及光催化性能機(jī)理解釋。最后,闡述了此類異質(zhì)結(jié)構(gòu)在工業(yè)應(yīng)用中的未來方向和發(fā)展前景。 本書可供從事金屬有機(jī)框架材料及其光電
本書就電子裝聯(lián)所用焊料、助焊劑、線材、絕緣材料的特性及使用和選型,針對(duì)工藝技術(shù)的特點(diǎn)和要求做了較為詳細(xì)的介紹。尤其對(duì)常常困擾電路設(shè)計(jì)和工藝人員的射頻同軸電纜導(dǎo)線的使用問題進(jìn)行了全面的分析。對(duì)于手工焊接的可靠性問題、整機(jī)接地與布線處理的電磁兼容性問題、工藝文件的編制、電子裝聯(lián)檢驗(yàn)的理念和操作等內(nèi)容,本書不僅在理論上,還在
以日本碳化硅學(xué)術(shù)界元老京都大學(xué)名譽(yù)教授松波弘之、關(guān)西學(xué)院大學(xué)知名教授大谷昇、京都大學(xué)實(shí)力派教授木本恒暢和企業(yè)實(shí)力代表羅姆株式會(huì)社的中村孝先生為各技術(shù)領(lǐng)域的牽頭,集日本半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)學(xué)研各界中的骨干代表,在各自的研究領(lǐng)域結(jié)合各自多年的實(shí)際經(jīng)驗(yàn),撰寫了這本囊括碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)焦點(diǎn),以技術(shù)為主導(dǎo)、以應(yīng)用為目的的實(shí)用型